【技术实现步骤摘要】
封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置
[0001]本公开涉及用于表面安装的封装后的可堆叠电子功率器件和电路装置,电路装置包括封装后的相互堆叠的多个电子功率器件。
技术介绍
[0002]例如,以下器件可以利用可快速切换的电流在高电压(甚至高达1700V)下操作:诸如碳化硅器件或硅器件、或者例如无论是桥(半桥或全桥)配置中,还是在AC开关配置中的MOSFET、超结型MOSFET、IGBT等、PFC(功率因数校正)电路、SMPS(开关模式电源)器件。
[0003]针对这样的电子功率器件,已设计了使得能够进行高散热的特定封装件。这些封装件通常通过具有平行六面体形状的刚性绝缘体(例如,树脂)以及布置在管芯之间的耗散结构而形成,刚性绝缘体嵌入集成了(多个)电子组件的管芯,耗散结构面向封装件表面并且通常占据平行六面体形状的主基部的大部分。耗散结构有时由金属的支撑结构(被称为“引线框架”)形成,支撑结构承载管芯并且具有用于外部连接的多个引线。通常,在该情况下,引线框架具有直接面向外部的表面。
[0004]例如,在包括MOSFET或IGBT的封装后的器件的情况下,集成了MOSFET的管芯通常在自己的第一主表面上具有漏极接触焊盘并且在第二主表面上具有至少两个接触焊盘(分别是源极焊盘和栅极焊盘),第二主表面与第一表面相对。晶体管接触焊盘(通常是漏极焊盘)被固定到引线框架的支撑部分。其他接触焊盘(通常是栅极和源极焊盘)通过键合线或夹具被耦合到其他引线。该标准封装件通常设想在耗散结构的同一侧上布置引线,并且因此通 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于表面安装的功率器件,包括:引线框架,包括管芯附接支撑件、第一引线和第二引线;半导体材料的管芯,被键合到所述管芯附接支撑件;以及绝缘材料的封装件,具有平行六面体形状,所述封装件具有第一侧表面、第二侧表面、第一基部和第二基部,并且所述第一侧表面和所述第二侧表面限定封装件高度,所述封装件包围所述管芯,并且至少部分地包围所述管芯附接支撑件,其中所述第一引线和所述第二引线具有在所述封装件外部、分别从所述封装件的所述第一侧表面和所述第二侧表面延伸的外部部分,所述引线的所述外部部分具有大于所述封装件高度的引线高度,贯穿所述封装件高度延伸,并且具有从所述第一基部突出的相应部分。2.根据权利要求1所述的功率器件,其中所述第一侧表面和所述第二侧表面彼此相对、并且不连续。3.根据权利要求2所述的功率器件,其中所述功率器件包括三端子器件,所述三端子器件包括第一端子、第二端子和第三端子,其中所述第一端子被耦合到所述第一引线,所述第二端子被耦合到所述第二引线,并且所述第三端子被耦合到具有自己的外部部分的第三引线,所述第二引线的所述外部部分形成杆,所述杆基本垂直于所述第一基部延伸且延伸到所述封装件的所述第二基部、并且基本平行于所述第二侧表面且沿所述第二侧表面延伸,并且所述第一引线和所述第三引线的所述外部部分由从所述第一侧表面突出的、基本上垂直于所述封装件的所述第一基部和所述第二基部的、彼此间隔一定距离的薄片形成。4.根据权利要求1所述的功率器件,其中所述管芯附接支撑件被电耦合到所述第二引线的所述外部部分,并且具有与所述封装件的所述第二基部齐平的第一表面、以及耦合到所述管芯的第二表面,并且所述封装件占据所述管芯和所述第一基部之间的间隙。5.根据权利要求1所述的功率器件,还包括第一多层耗散区域,所述第一多层耗散区域具有耦合到所述管芯的第一面的第一表面、以及与所述封装件的所述第一基部齐平的第二表面,其中所述管芯附接支撑件被电耦合到所述第二引线的所述外部部分,并且具有与所述封装件的所述第二基部齐平的第一表面、以及耦合到所述管芯的第二面的第二表面。6.根据权利要求1所述的功率器件,还包括传导材料的非绝缘耗散区域,所述非绝缘耗散区域具有耦合到所述管芯的第一面并且耦合到所述第一引线的第一表面,以及与所述封装件的所述第一基部齐平延伸的第二表面,并且其中所述管芯附接支撑件被电耦合到所述第二引线的所述外部部分,并且具有与所述封装件的所述第二基部齐平的第一表面、以及与所述管芯的第二面耦合的第二表面。7.根据权利要求6所述的功率器件,其中所述非绝缘耗散区域的所述第二表面具有比所述非绝缘耗散区域的所述第一表面更小的面积,并且所述非绝缘耗散区域的所述第二表面与所述第一表面相比在距所述第二引线的更大距离处延伸。8.根据权利要求1所述的功率器件,还包括第一多层耗散区域和第二多层耗散区域,所述第一多层耗散区域具有耦合到所述管芯的第一面并且耦合到所述第一引线的第一表面,以及与所述封装件的所述第一基部齐平的第二表面,所述第二多层耗散区域具有耦合到所述管芯的第二面并且耦合到所述第二引线的第一表面,以及耦合到所述管芯附接支撑件的第二表面,并且所述管芯附接支撑件从所述第二引线的所述外部部分电解耦。
9.一种安装式电子设备,包括:功率器件,包括:引线框架,包括管芯附接支撑件、第一引线和第二引线;半导体材料的管芯,被键合到所述管芯附接支撑件;绝缘材料的封装件,具有平行六面体形状,所述封装件具有第一侧表面、第二侧表面、第一基部和第二基部,并且所述第一侧表面和所述第二侧表面限定封装件高度,所述封装件包围所述管芯、并且至少部分地包围所述管芯附接支撑件;绝缘衬底,具有第一面和第二面;以及第一散热器,与所述封装件的所述第二基部接触,其中:所述第一引线和所述第二引线具有在所述封装件外部、分别从所述封装件的所述第一侧表面和所述第二侧表面延伸的外部部分,所述引线的所述外部部分具有大于所述封装件高度的引线高度,贯穿所述封装件高度延伸,并且具有从所述第一基部突出的相应部分;所述功率器件被键合到所述绝缘衬底的所述第一面,其中所述封装件的所述第一基部面向所述衬底,并且所述功率器件的所述引线的所述外部部分与所述衬底的所述第一面接触。10.根据权利要求9所述的安装式电子设备,还包括:第二散热器,在所述封装件的所述第一基部和所述衬底的所述第一面之间、并与所述封装件的所述第一基部和所述衬底的所述第一面接触,所述第二散热器基本平行于所述第一散热器、并且与所述第一散热器垂直对准;以及横切壁,基本垂直于所述第一散热器和所述第二散热器,并且横向于所述功率器件延伸,与所述第一散热器和所述第二散热器接触。11.根据权利要求10所述的安装式电子设备,还包括:第三散热器,与所述衬底的...
【专利技术属性】
技术研发人员:C,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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