半导体结构和封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：基底层；半导体晶粒，在该基底层上，每个该半导体晶粒包括有源区域和密封环区域，该密封环区域包括围绕该有源区域的密封环；以及晶粒间连接层，电连接两个相邻的半导体晶粒，并且该晶粒间连接层在两个相邻的半导体晶粒的该密封环区域该中在该密封环的相邻部分上延伸。因此，由于可以显著减少实施例的半导体晶粒之间的信号损耗(和/或功率损耗)，所以类似于在实施例中的包括具有多个半导体晶粒的多晶粒组件的封装结构，与从常规芯片单独地具有多个晶粒的封装结构相比，具有更好的电性能。具有更好的电性能。具有更好的电性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和封装结构


[0001]本专利技术半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构和封装结构。

技术介绍

[0002]半导体封装不仅可以为半导体晶粒提供保护免受环境污染物的侵害，而且还可以提供封装在其中的半导体晶粒与另一器件(例如印刷电路板(printed circuit board，PCB))之间的电连接。例如，一个或多个半导体晶粒可以封装在封装材料(encapsulating material)中，并且电连接到半导体封装的基板。然后，可以使用接合制程将半导体封装电连接到印刷电路板。例如，半导体封装可以在基板的底表面上具有凸块(bump)结构，并且该凸块结构安装在印刷电路板上并电耦接到印刷电路板上。已经开发了半导体封装的不同封装类型以改善封装中晶粒的电性能。
[0003]尽管现有的封装结构已经足以满足其预期目的，但是它们在所有方面都不是完全令人满意的。例如，在封装结构的晶粒之间会发生信号损耗和/或功率损耗。因此，关于具有从半导体结构获得的晶粒的半导体结构和封装结构，仍然有待克服的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装结构和封装结构，以解决上述问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：
[0006]基底层；
[0007]半导体晶粒，在该基底层上，每个该半导体晶粒包括有源区域和密封环区域，该密封环区域包括围绕该有源区域的密封环；以及
[0008]晶粒间连接层，电连接两个相邻的半导体晶粒，并且该晶粒间连接层在两个相邻的半导体晶粒的该密封环区域该中在该密封环的相邻部分上延伸。
[0009]根据本专利技术的第二方面，公开一种封装结构，包括：
[0010]基板，具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，其中该基板包括重分布层；
[0011]多晶粒部件，设置在该基板的该第一表面上方并且电耦接至该基板的重分布层，其中，该多晶粒部件包括：基底层；多个半导体晶粒，在该基底层上并且彼此间隔开；以及晶粒间连接层，电连接两个相邻的半导体晶粒；其中，该晶粒间连接层在两个相邻的半导体晶粒的密封环区域中的密封环上延伸。
[0012]本专利技术的半导体结构由于包括：基底层；半导体晶粒，在该基底层上，每个该半导体晶粒包括有源区域和密封环区域，该密封环区域包括围绕该有源区域的密封环；以及晶粒间连接层，电连接两个相邻的半导体晶粒，并且该晶粒间连接层在两个相邻的半导体晶粒的该密封环区域该中在该密封环的相邻部分上延伸。因此，本专利技术在执行晶圆锯切制程之后，可以通过布置包括彼此电连接的两个或更多个半导体晶粒的多晶粒部件来形成封装结构。多晶粒部件的半导体晶粒通过半导体晶粒之间的晶粒间连接层提供快速且可靠的信号传输，这是因为相邻半导体晶粒之间通过晶粒间连接层电连通可以通过最短路径来实
现。因此，由于可以显著减少实施例的半导体晶粒之间的信号损耗(和/或功率损耗)，所以类似于在实施例中的包括具有多个半导体晶粒的多晶粒组件的封装结构，与从常规芯片单独地具有多个晶粒的封装结构相比，具有更好的电性能。
附图说明
[0013]图1A和图1B是根据本专利技术的一些实施例的用于形成半导体结构的方法的中间阶段的俯视图。
[0014]图2是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的俯视图。
[0015]图3是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的晶粒区域的俯视图。
[0016]图4是沿着图3中的半导体结构的截面线4
‑
4截取的截面图。
[0017]图5是沿着图3中的半导体结构的截面线5
‑
5截取的截面图。
[0018]图6是根据本专利技术的一些实施例的在图3中的晶粒区域内的两个相邻的半导体晶粒的俯视图。
[0019]图7A是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的截面图。
[0020]图7B是根据本专利技术的一些实施例的半导体结构的截面图。
[0021]图8是根据本专利技术的一些其他实施例的半导体结构的截面图。
[0022]图9A是根据本专利技术的一些实施例的多晶粒部件的俯视图。
[0023]图9B是根据本专利技术的一些实施例的包括图9A中的多晶粒部件的封装结构的截面图。
具体实施方式
[0024]以下描述是实施本专利技术的最佳构想模式。进行该描述是为了说明本专利技术的一般原理，而不应被认为是限制性的。本专利技术的范围由所附权利要求书确定。
[0025]在下文中，参考附图对本专利技术构思进行全面描述，在附图中示出了本专利技术构思的示例性实施例。根据以下示例性实施例，本专利技术构思的优点和特征以及实现它们的方法将变得显而易见，所述实施例将参考附图进行更详细地描述。然而，应当注意，本专利技术构思不限于以下示例性实施例，并且可以以各种形式实现。因此，提供示例性实施例仅是为了公开专利技术构思，并且使本领域技术人员知道专利技术构思的类别。而且，所示的附图仅是示意性的，并且是非限制性的。在附图中，出于说明的目的，一些元件的尺寸可能被放大并且未按比例绘制。在本专利技术的实践中，尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。
[0026]本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数术语“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。应该理解的是，当一个元件称为“连接”或“接触”到另一个元件时，它可以直接连接或接触另一个元件，或者可以存在中间元件。
[0027]类似地，应当理解，当诸如层、区域或基板的元件称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，术语“直接”是指不存在中间元件。应该理解的是，当在本文中使用时，术语“包括”，和/或“包含”规定了所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操
作、元件、部件和/或其组合。
[0028]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”，“在...之下”，“在...下面”，“在...上方”，“在...之上”之类的空间相对术语，以便于描述一个元件或特征与之的关系。如图所示的另一个或多个元件或特征。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或操作中的不同方位。应当理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本专利技术的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件可以在其他实施例中称为第二元件。本文中解释和说明的本专利技术构思的方面的示例性实施例包括它们的互补对等物。在整个说明书中，相同或相似的附图标记或参考标记表示相同或相似的元件。
[0029]描述了本专利技术的一些实施例。应当注意，可以在这些实施例中描述的阶段之前、之中和/或之后提供附加的操作。对于不同的实施例，可以替换或消除所描述的某些阶段。可以将附加特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底层；半导体晶粒，在该基底层上，每个该半导体晶粒包括有源区域和密封环区域，该密封环区域包括围绕该有源区域的密封环；以及晶粒间连接层，电连接两个相邻的半导体晶粒，并且该晶粒间连接层在两个相邻的半导体晶粒的该密封环区域该中在该密封环的相邻部分上延伸。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该两个相邻的半导体晶粒的该密封环的相邻部分具有凹部，并且该晶粒间连接层穿过该凹部。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层与该密封环的一个导电层处于同一水平。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个该半导体晶粒的该密封环包括：第一互连堆叠，在该基底层上方并围绕该有源区域，其中该第一互连堆叠包括第一导线；以及第二互连堆叠，在该第一互连堆叠上方并围绕该有源区域，其中该第二互连堆叠包括第二导线。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该第二互连堆叠具有第一凹部，并且该晶粒间连接层穿过该第一凹部。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层与该第二导线之一齐平。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二导线和该晶粒间连接层由相同的材料制成。8.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层的厚度大于该第一导线之一的厚度。9.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，每个该半导体晶粒的该密封环还包括：第三互连堆叠，在该第二互连堆叠上并围绕该有源区域，其中该第三互连堆叠包括第三导线，其中该第二互连堆叠具有第一凹部，该第三互连堆叠具有第二凹部，并且该第二凹部与该第一凹部连通。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层穿过该第一凹部和/或该第二凹部。11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层穿过该第一凹部，并且该半导体结构还包括另一晶粒间连接层，该另一晶粒间连接层穿过该第二凹部。12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该晶粒间连接层与该第二导线之一齐平，并且该另一晶粒间连接层与该第三导线之一齐平。13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，该第二导线和该晶粒间连接层由相同的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅传贤，张正佶，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：