本公开涉及一种具有提高的操作速度的存储装置，该存储装置可以包括：主存储器，被配置为存储第一元数据至第N元数据；高速缓存存储器，包括分别与存储第一元数据至第N元数据的区域相对应的第一专用区域至第N专用区域；以及处理器，被配置为将第一元数据至第N元数据之中的、根据从主机提供的请求而访问的数据分别存储在第一专用区域至第N专用区域中。可以根据响应于请求访问第一元数据至第N元数据中的每一个的次数来确定第一专用区域至第N专用区域的大小。区域的大小。区域的大小。
【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月13日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0044768的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储装置及操作该存储装置的方法。
技术介绍
[0004]存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括存储数据的存储器装置和控制该存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以包括易失性存储器装置、非易失性存储器装置或这两者。
[0005]易失性存储器装置可以是仅在供应电力时存储数据并且在电源断开时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0006]非易失性存储器装置是即使断电也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器等。
技术实现思路
[0007]本公开的实施例提供一种具有提高的操作速度的存储装置及操作该存储装置的方法。
[0008]根据本公开的实施例的一种控制非易失性存储器的存储器控制器可以包括：主存储器，被配置为存储映射数据和有效页面表，该映射数据包括由主机提供的逻辑地址和存储器装置的物理地址之间的对应关系，并且该有效页面表包括在物理地址处存储的数据是否为有效数据的指示；高速缓存存储器，包括分别与该映射数据和该有效页面表相对应的第一专用区域和第二专用区域；以及处理器，被配置为从主存储器中请求与根据主机的请求而输入的逻辑地址相对应的映射数据和与根据主机的请求而输入的逻辑地址相对应的物理地址的有效页面表，其中与根据主机的请求而输入的逻辑地址相对应的映射数据被高速缓存在第一专用区域中，并且与根据主机的请求而输入的逻辑地址相对应的物理地址的有效页面表被高速缓存在第二专用区域中。
[0009]根据本公开的实施例的一种存储器控制器可以包括：主存储器，被配置为存储第一元数据和第二元数据；高速缓存存储器，包括分别对应于第一元数据和第二元数据的第一专用区域和第二专用区域；以及处理器，被配置为控制高速缓存存储器以将第一元数据和第二元数据之中的、响应于来自主机的请求而访问的数据分别存储在第一专用区域和第二专用区域中。
[0010]根据本公开的实施例的一种存储装置可以包括：主存储器，被配置为存储第一元数据至第N元数据；高速缓存存储器，包括分别与主存储器中存储第一元数据至第N元数据的区域相对应的第一专用区域至第N专用区域；以及处理器，被配置为将第一元数据至第N元数据之中的、根据从主机提供的请求而访问的数据分别高速缓存在第一专用区域至第N专用区域中，其中根据响应于请求将访问第一元数据至第N元数据中的每一个的次数来确定第一专用区域至第N专用区域的大小。
[0011]根据本技术，提供一种具有提高的操作速度的存储装置及操作该存储装置的方法。
附图说明
[0012]图1示出根据本公开的实施例的存储装置。
[0013]图2是存储装置的映射更新操作的流程图。
[0014]图3示出对图2的L2P映射数据的读取-修改-写入操作。
[0015]图4示出图2的旧物理地址的有效页面表(VPT)的读取-修改-写入。
[0016]图5示出图2的新物理地址的VPT的读取-修改-写入。
[0017]图6示出诸如可以在图1的存储装置中使用的高速缓存存储器。
[0018]图7示出根据第一实施例的图1的高速缓存存储器。
[0019]图8示出根据第二实施例的图1的高速缓存存储器。
[0020]图9示出根据第三实施例的图1的高速缓存存储器。
[0021]图10示出根据第四实施例的图1的高速缓存存储器。
[0022]图11示出图1的存储器装置。
[0023]图12示出图11的存储块中的任意一个的配置。
[0024]图13示出图1的存储器控制器的实施例。
[0025]图14示出应用根据本公开的实施例的存储装置的存储卡系统。
[0026]图15示出应用根据本公开的实施例的存储装置的固态驱动器(SSD)系统。
[0027]图16示出应用根据本公开的实施例的存储装置的用户系统。
具体实施方式
[0028]根据在本说明书或本申请中所公开的概念的实施例的具体结构或功能描述仅被示出以描述根据本公开的概念的实施例。根据本公开的概念的实施例可以以各种形式来实施，并且该描述不限于本说明书或本申请中描述的实施例。
[0029]图1是根据本公开的实施例的存储装置50的示图。
[0030]存储装置50可以包括存储器装置100和控制存储器装置的操作的存储器控制器200。存储装置50可以是在主机400的控制下存储数据的装置。主机400可以是例如蜂窝电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、TV、平板PC或车载信息娱乐系统。
[0031]根据提供与主机400的通信的主机接口，存储装置50可以被制造为各种类型的存储装置的一种。例如，存储装置50可以被配置为以下任意一种：SSD，MMC、eMMC、RS-MMC和微型MMC形式的多媒体卡，SD、迷你SD和微型SD形式的安全数字卡，通用串行总线(USB)存储装
置，通用闪存(UFS)装置，个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡型存储装置，外围组件互连(PCI)卡型存储装置，高速PCI(PCI-E)卡型存储装置，紧凑式闪存(CF)卡，智能媒体卡和记忆棒。
[0032]存储装置50可以被制造为各种类型的封装中的任意一种。例如，存储装置50可以被制造为以下任意一种：堆叠封装(POP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)以及晶圆级堆叠封装(WSP)。
[0033]存储器装置100可以存储数据。存储器装置100在存储器控制器200的控制下进行操作。存储器装置100可以包括存储器单元阵列(未示出)，该存储器单元阵列包括存储数据的多个存储器单元。
[0034]存储器单元中的每一个可以被配置为存储一个数据位的单层单元(SLC)、存储两个数据位的多层单元(MLC)、存储三个数据位的三层单元(TLC)或能够存储四个数据位的四层单元(QLC)。
[0035]存储器单元阵列(未示出)可以包括多个存储块。存储块可以包括多个页面。在实施例中，页面可以是用于将数据存储在存储器装置100中或读取存储在存储器装置100中的数据的单位。存储块可以是用于擦除存储器装置100中的数据的单位。
[0036]在实施例中，存储器装置100可以包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)、低功率双倍数据速率第四代(LPDDR4)SDRAM、图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制非易失性存储器的存储器控制器，所述存储器控制器包括：主存储器，存储映射数据和有效页面表，所述映射数据包括由主机提供的逻辑地址与存储器装置的物理地址之间的对应关系，并且所述有效页面表包括在所述物理地址处存储的数据是否为有效数据的指示；高速缓存存储器，包括分别与所述映射数据和所述有效页面表相对应的第一专用区域和第二专用区域；以及处理器，从所述主存储器中请求与根据所述主机的请求而输入的所述逻辑地址相对应的所述映射数据和与根据所述主机的请求而输入的所述逻辑地址相对应的所述物理地址的所述有效页面表；其中与根据所述主机的请求而输入的所述逻辑地址相对应的所述映射数据被高速缓存在所述第一专用区域中，并且与根据所述主机的请求而输入的所述逻辑地址相对应的所述物理地址的所述有效页面表被高速缓存在所述第二专用区域中。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域和所述第二专用区域具有相同的存储容量大小。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域和所述第二专用区域具有分别与所述映射数据和所述有效页面表的数据大小成比例的存储容量大小。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域和所述第二专用区域具有分别与所述映射数据和所述有效页面表的数据大小成反比的存储容量大小。5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域和所述第二专用区域具有分别与所述处理器访问所述映射数据和所述有效页面表的次数成比例的存储容量大小。6.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域和所述第二专用区域具有分别与所述处理器访问所述映射数据和所述有效页面表的次数成反比的存储容量大小。7.一种存储器控制器，包括：主存储器，存储第一元数据和第二元数据；高速缓存存储器，包括分别对应于所述第一元数据和所述第二元数据的第一专用区域和第二专用区域；以及处理器，控制所述高速缓存存储器将所述第一元数据和所述第二元数据之中的、响应于来自主机的请求而访问的数据分别存储在所述第一专用区域和所述第二专用区域中。8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中所述第一专用区域专用于将数据高速缓存在存储所述第一元数据的所述主存储器的地址处，并且所述第二专用区域专用于将数据高速缓存在存储所述第二元数据的所述主存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：金到训，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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