一种MicroLED的巨量转移方法技术

本发明专利技术公开一种Micro LED的巨量转移方法，其中，包括步骤：将生长基板上的LED芯片转移至暂态基板上，并在所述LED芯片背离所述暂态基板的表面涂布一层透明磁性胶层；采用焊接有磁铁块的转移头对所述LED芯片进行吸附，其后，将所述磁铁块吸附的所述LED芯片转移至设置有黏附层的背板上，并对所述转移头进行加热去磁性性处理，使所述LED芯片粘接到所述背板上；以及对所述背板上的所述LED芯片进行高温焊接处理。本发明专利技术中，通过在所述LED芯片上涂布一层透明磁性胶层，利用所述转移头上的磁铁块对所述磁性胶层的吸附作用，将所述LED芯片从所述暂态基板转移至所述背板上，一方面，工艺简单，易于操作，每批次所转移的芯片的数量大，减少了转移次数，节省工艺步骤，另一方面，转移头的制备成本低，可有效地降低生产成本。可有效地降低生产成本。可有效地降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种Micro LED的巨量转移方法


[0001]本专利技术涉及Micro LED制造
，尤其涉及一种Micro LED的巨量转移方法。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro LED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点，因而被视为下一代显示技术。Micro LED芯片在制作完成之后，需要将几万至几十万个Micro LED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。如图1所示，Micro LED显示面板上包括了若干像素区域SPR，每个像素区域SPR包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片，在显示器的制作过程中需要将红绿蓝三种LED芯片从各自的生长基板(WAFER)转移到显示面板上，由于Micro LED的尺寸较小，在巨量转移过程中需要保证转移的效率和良率，因此，巨量转移成为了Micro LED产业化过程中的一大难题。
[0003]目前，在Micro LED巨量转移技术上，主要通过转移头进行巨量转移，其中，采用范德华力通过转移头将Micro LED芯片转移到驱动电路板的应用比较多，但采用范德华力的技术是利用PDMS材质为介质，通过PDMS产生的不同粘性进行选择性转移，对PDMS的工艺要求极高，且PDMS的市面售价昂贵。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种Micro LED的巨量转移方法，旨在解决现有的巨量转移方法中所用的转移头造价昂贵、工艺复杂的技术问题。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种Micro LED的巨量转移方法，其中，包括步骤：
[0008]将生长基板上的LED芯片转移至暂态基板上，并在所述LED芯片背离所述暂态基板的表面涂布一层透明磁性胶层；
[0009]采用焊接有磁铁块的转移头对所述LED芯片进行吸附，其后，将所述磁铁块吸附的所述LED芯片转移至设置有黏附层的背板上，并对所述转移头进行加热去磁性处理，使所述LED芯片粘接到所述背板上；
[0010]对所述背板上的所述LED芯片进行高温焊接处理。
[0011]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述磁铁块在所述转移头上呈条状分布。
[0012]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述对转移头进行加热的加热温度为80-100℃。
[0013]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述LED芯片进行高温焊接的温度为100-300℃。
[0014]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述透明磁性胶为掺杂有金属磁粉或氧
化物磁粉的胶材。
[0015]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述氧化物磁粉为氧化铁磁粉、二氧化铬磁粉和钴-氧化铁磁粉中的一种。
[0016]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述透明磁性胶中还掺杂有光扩散剂和/或量子点材料。
[0017]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述光扩散剂为平均粒径为2-4um的微珠。
[0018]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，所述量子点材料为CdSe、ZnS、ZnSe、ZnCdS以及ZnCdSe中的一种或多种。
[0019]所述的Micro LED的巨量转移方法，其中，采用激光剥离技术将所述将芯片转移至暂态基板上。
[0020]有益效果：本专利技术提供一种Micro LED的巨量转移方法，通过在所述LED芯片上涂布一层透明磁性胶层，利用所述转移头上的磁铁块对所述磁性胶层的吸附作用，将所述LED芯片从所述暂态基板转移至所述背板上，一方面，工艺简单，易于操作，每批次所转移的芯片的数量大，减少了转移次数，节省工艺步骤，另一方面，转移头的制备成本低，可有效地降低生产成本。
附图说明
[0021]图1为现有技术中Micro LED的巨量转移方法的流程示意图。
[0022]图2为本专利技术一种Micro LED的巨量转移方法的较佳实施例的流程示意图。
[0023]图3为本专利技术一种Micro LED的巨量转移方法中将所述LED芯片转移至所述暂态基板上的较佳实施例的流程示意图。
[0024]图4为本专利技术一种Micro LED的巨量转移方法中将所述LED芯片从所述暂态基板上转移至所述背板上的较佳实施例的流程示意图。
[0025]图5为本专利技术一种Micro LED的巨量转移方法中所述背板在转移过程中的较佳实施例的俯视示意图。
具体实施方式
[0026]本专利技术提供一种Micro LED的巨量转移方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0027]本实施例中，如图2所示，提供一种Micro LED的巨量转移方法，其中，包括步骤：
[0028]S10、将生长基本上的LED芯片转移至暂态基板上，并在所述LED芯片背离所述暂态基板的表面涂布一层透明磁性胶层；
[0029]S20、采用焊接有磁铁块的转移头对所述LED芯片进行吸附，其后，将所述磁铁块吸附的所述LED芯片转移至设置有黏附层的背板上，并对所述转移头进行加热去磁性处理，使所述LED芯片粘接到所述背板上；
[0030]S30、对所述背板上的所述LED芯片进行高温焊接处理。
[0031]本实施例中，首先，将在蓝宝石上制作完成的芯片被转移至暂态基板上，其中，所
述LED芯片可分为红、绿、蓝三种LED芯片，在转移至暂态基板的过程中，依据所述LED芯片的类别不同，分不同批次对所述LED芯片进行转移，例如，先将所述红色LED芯片进行转移，将所述红色LED芯片转移至第一暂态基板上，其后，将所述绿色LED芯片转移至第二暂态基板上以及将所述蓝色LED芯片转移至第三暂态基板上，从而在将所述LED芯片从蓝宝石上转移至所述暂态基板的过程中，依据所述LED芯片的类型进行初步的分类，将不同颜色的LED芯片转移至不同的暂态基板上，本实施例中，优选地采用激光剥离技术将所述LED芯片从蓝宝石上转移至所述暂态基板上，待所述LED芯片全部转移至所述暂态基板上后，在所述LED芯片表面涂布一层透明磁性胶层，本实施例中，采用涂布工艺对所述暂态基板转移有所述LED芯片的一面进行涂布，使转移至所述暂态基板上所述LED芯片都涂布有一层透明磁性胶层。
[0032]进一步地，采用焊接有磁铁块的转移头对所述LED芯片进行吸附，本实施例中，由于所述LED芯片表面涂布有一层透明磁性胶层，所述转移头上的磁铁块与所述LED芯片表面的透明磁性胶层之间产生吸引力，从而使得所述LED芯片从所述暂态基板上吸附至所述转移头的磁铁块上，所述转移头将所述磁铁块吸附的所述LED芯片转移至背板上，通过对所述转移头进行加热处理，在加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，包括步骤：将生长基板上的LED芯片转移至暂态基板上，并在所述LED芯片背离所述暂态基板的表面涂布一层透明磁性胶层；采用焊接有磁铁块的转移头对所述LED芯片进行吸附，其后，将所述磁铁块吸附的所述LED芯片转移至设置有黏附层的背板上，并对所述转移头进行加热去磁性处理，使所述LED芯片粘接到所述背板上；对所述背板上的所述LED芯片进行高温焊接处理。2.根据权利要求1所述的Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，所述磁铁块在所述转移头上呈条状分布。3.根据权利要求1所述的Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，所述对转移头进行加热的加热温度为80-100℃。4.根据权利要求1所述的Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，所述LED芯片进行高温焊接的温度为100-300℃。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣曈，洪温振，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：