一种拉晶方法技术

本发明专利技术提供了一种拉晶方法，涉及太阳能光伏技术领域。应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；拉晶至第一预设长度；在从所述第一预设长度拉晶至第二预设长度的过程中，调整所述相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；在所述相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。通过调整热屏与加热器之间的距离，降低氧的溶解度，降低了单晶的氧含量，操作便捷，具有很强的通用性。通用性。通用性。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种拉晶方法。

技术介绍

[0002]目前单晶硅常用的生产工艺为直拉法。直拉法得到的单晶硅棒经常存在氧含量偏高的现象，会影响硅太阳能电池的光电转换效率。
[0003]目前，在直拉法中降低单晶硅棒的氧含量常用的方法是改变晶转和埚转、调整保护气体的压力及加大导流筒尺寸等方式。上述方法通常操作较为复杂。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种拉晶方法，旨在解决直拉法中降低单晶硅棒的氧含量操作复杂的问题。应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，所述方法包括：
[0005]熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；
[0006]拉晶至第一预设长度；
[0007]在所述第一预设长度的基础上继续拉晶至第二预设长度，在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；所述第二预设距离大于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离；
[0008]在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。
[0009]可选的，所述在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，包括：
[0010]在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，匀速调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离。
[0011]可选的，在所述第一预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离，且所述第二预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离的情况下，第一差值除以第二差值的商为预设值；所述第一差值等于所述第一预设距离减去所述第二预设距离，所述第二差值等于所述第二预设长度减去所述第一预设长度。
[0012]可选的，所述最大距离为125mm，所述最小距离为65mm。
[0013]可选的，所述在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶，包括：
[0014]在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离保持所述第二预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。
[0015]可选的，所述加热器在所述热场中的位置不变，通过调整所述热屏的位置，改变所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离。
[0016]可选的，所述熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离，包括：
[0017]熔料结束后，下降所述热屏，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；
[0018]所述在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，包括：
[0019]在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，升高所述热屏，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离。
[0020]可选的，所述在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，包括：
[0021]在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，变速调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离。
[0022]可选的，所述第一预设长度为所述单晶总长度的25％；所述第二预设长度为所述单晶总长度的75％。
[0023]在本专利技术实施例中，热场中设置有热屏和加热器，熔料结束后，调整热屏的底部与加热器的上表面的相对距离至第一预设距离，该第一预设距离小于或等于热屏的底部与加热器的上表面的相对距离的最大距离，也就是使得热屏的底部与加热器的上表面的相对距离较大，进而，使得熔硅温度适当降低，降低了熔硅与坩埚的反应强度，而熔硅与坩埚的反应会产生氧，降低了熔硅与坩埚的反应强度就减少了氧的来源。同时熔硅温度降低可以减少氧在熔硅中的溶解度，进一步减少了熔硅中氧的含量，因此，在拉晶至第一预设长度的过程中，大大降低了氧含量；而且，使得从第一预设长度至后续的拉晶过程中，熔硅中的氧含量也较低。在从第一预设长度拉晶至第二预设长度的过程中，调整热屏的底部与加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，第一预设距离大于或等于第二预设距离；第二预设距离大于或等于热屏的底部与加热器的上表面的相对距离的最小距离，可以减少晶棒中第一预设长度至第二预设长度的氧含量，且提升晶棒拉制过程中，热量的利用率。热屏的底部与加热器的上表面的相对距离小于或等于上述第一预设距离，从第二预设长度继续拉晶，得到单晶，即，在兼顾了降低氧含量和提升热量的利用率的情况下，继续拉晶得到单晶。整个拉晶过程从很大程度上降低了单晶的氧含量，且只需通过调整热屏的底部与加热器的上表面的相对距离即可，操作便捷，同时适用于已有的拉晶工艺，不需要改变现有的热场的结构等，成本较低，具有很强的通用性。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1示出了本专利技术实施例中的一种热场的局部示意图；
[0026]图2示出了本专利技术实施例中的第一种拉晶方法的流程图；
[0027]图3示出了本专利技术实施例中的第二预设距离的示意图；
[0028]图4示出了本专利技术实施例中的另一种热场的局部示意图；
[0029]图5示出了本专利技术实施例的第二种拉晶方法的流程图；
[0030]图6示出了本专利技术实施例的第三种拉晶方法的流程图；
[0031]图7示出了本专利技术实施例的第一差值与第二差值的对应关系示意图；
[0032]图8示出了本专利技术实施例的晶棒氧含量与现有技术中晶棒氧含量的对比示意图。
[0033]附图编号说明：
[0034]102-换热器，103-热屏，104-加热器，105-水冷结构。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]本专利技术实施例应用于热场中，该热场中设置有热屏和加热器。参照图1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶方法，其特征在于，应用于热场中，所述热场中设置有热屏和加热器，所述方法包括：熔料结束后，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第一预设距离；所述第一预设距离小于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离；拉晶至第一预设长度；在所述第一预设长度的基础上继续拉晶至第二预设长度，在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离；所述第一预设距离大于或等于所述第二预设距离；所述第二预设距离大于或等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离；在所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离小于或等于所述第一预设距离的情况下，在所述第二预设长度的基础上继续拉晶，得到单晶。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离，包括：在从所述第一预设长度拉晶至所述第二预设长度的过程中，匀速调整所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离至第二预设距离。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最大距离，且所述第二预设距离等于所述热屏的底部与所述加热器的上表面的相对距离的最小距离的情况下，第一差值除以第二差值的商为预设值；所述第一差值等于所述第一预设距离减去所述第二预设距离，所述第二差值等于所述第二预设长度减去所述第一预设长度。4.根据权利要求1至3中任一所述的方法，其特征在于，所述最大距离为125mm，所述最小距...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜婷婷，张骏凯，付楠楠，邓浩，张伟建，董升，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：