一种巨量转移芯片的制作方法技术

本发明专利技术属于芯片技术领域，提供一种巨量转移芯片的制作方法，通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出包括多块单硅片的整片硅片，多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，连接槽将多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块单硅片划分为分开的单硅片。再通过制作具备多个焊盘的整片基板，在多个焊盘中填充焊料以对应固化多块单硅片，让整片硅片与整片基板连接固定构成产品级芯片，从而可有效避免后续工艺中大量多次将单个硅片分开转移到单个基板进行连接，提升整个封装测试的效率，降低封装测试的难度，实现巨量转移的技术效果。实现巨量转移的技术效果。实现巨量转移的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移芯片的制作方法


[0001]本专利技术属于芯片
，尤其涉及一种巨量转移芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]芯片技术作为电子信息技术的底层技术，是电子信息产品不可或缺的一部分关键技术。在芯片技术中，包括封装测试技术，该技术从工艺上大体包括固晶、焊线、点胶/模压、烘烤、切割、分选测试以及焊接/安装等环节。
[0003]其中，固晶是指将硅片固定在基板上；焊线是指将硅片电极与基板连接，实现电信号导通，当然若是倒装产品则无需经过焊线环节。再经过点胶/模压、烘烤、切割以及分选测试等环节后，便可以将基板背面焊盘通过SMT与PCB板连通，完成封装测试。
[0004]虽然，现有的封装测试技术能够实现芯片的封装测试，但是其通常的做法是在固晶环节之前，将整片的硅片切割成单个的硅片，整片的基板对应单个硅片分割成多块单个基板，再将单个硅片与单个基板进行焊线连接，进行封装测试，这使得进行封装测试的产品级的芯片的结构为单个硅片与单个基板的结合体，从而造成整个测试工艺复杂，不能实现批量测试。更为严重的是，单个硅片与单个基板转移连接，使得整个封装测试技术的难度提升，效率降低，越来越不能满足半导体封装技术高密度化和高性能化的要求。
[0005]综上所述，现有的芯片封装测试技术存在单个基板与单个硅片焊线连接，焊线转移难度大，效率低，测试复杂的技术问题。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题，一方面，本专利技术提供一种巨量转移芯片的制作方法，该方法包括：
[0007]通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出整片硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；
[0008]制作具备多个焊盘的整片基板，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述整片基板连接固定。
[0009]进一步地，巨量转移芯片的制作方法，还包括：
[0010]对所述连接槽底部进行开口划片，直至与所述连接槽连通，在所述整片硅片上形成多个连通口；
[0011]通过所述连通口向所述连接槽内填充绝缘物质直至所述绝缘物质填充满出所述连通口的入口；
[0012]沿着所述连通口的入口，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板，以得到分开的多片单芯片。
[0013]改进地，所述的对所述连接槽底部进行开口划片包括：
[0014]通过激光切割对所述连接槽底部进行开口划片。
[0015]改进地，对所述连接槽底部进行开口划片时，划片入口点选取在所述连接槽的宽度范围内，所述连通口在所述连接槽的宽度范围内且所述连通口的宽度小于所述连接槽的宽度。
[0016]改进地，巨量转移芯片的制作方法还包括：在所述连通口入口所在的平面上，给所述整片硅片的底面固定一层绝缘物质以覆盖所述整片硅片的底面。
[0017]改进地，巨量转移芯片的制作方法中，所述绝缘物质为模塑料。
[0018]改进地，巨量转移芯片的制作方法中，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板时，切口宽度小于所述连通口的宽度。
[0019]具体地，巨量转移芯片的制作方法中，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片包括：在所述多个焊盘中填充一层锡膏以对应固化所述多块单硅片。
[0020]具体地，巨量转移芯片的制作方法中，所述整片基板包括：从上至下依次连接的油墨层、金属层以及绝缘层；
[0021]在所述油墨层设置所述多个焊盘，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述油墨层连接固化。
[0022]具体地，巨量转移芯片的制作方法中，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述底面连接。
[0023]一方面，本专利技术还提供一种巨量转移芯片，包括：
[0024]整片硅片，分割自成品硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；
[0025]整片基板，具备多个焊盘；所述多个焊盘和所述多块单硅片对应连接，以使所述整片硅片与所述整片基板连接构成产品级芯片。
[0026]具体地，所述整片基板包括：从上至下依次连接的油墨层、金属层以及绝缘层；
[0027]所述油墨层设置所述多个焊盘；所述多个焊盘和所述多块单硅片对应连接，以使所述整片硅片与所述油墨层连接。
[0028]改进地，所述连接槽包括第一侧面、第二侧面以及底面；所述第一侧面和所述第二侧面相对设置，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端与所述底面连接。
[0029]改进地，所述第一侧面和所述第二侧面平行，所述第一侧面的底端和所述第二侧面的底端均与所述底面垂直。
[0030]改进地，所述焊盘具备预设焊接深度；所述焊料的填充量超出所述焊接深度。
[0031]改进地，所述焊盘包括第一填充面、第二填充面以及填充底面；所述第一填充面与所述第二填充面相对设置，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端与所述填充底面连接。
[0032]改进地，所述第一填充面和所述第二填充面平行，所述第一填充面的底端和所述第二填充面的底端均与所述填充底面垂直。
[0033]改进地，所述整片硅片根据所述成品硅片的形状，在不损害完整的所述单硅片的条件下进行分割。
[0034]改进地，所述预设深度的取值范围在所述单硅片的厚度的40％至60％之间进行选取。
[0035]优选地，所述预设深度的取值为所述单硅片的厚度的50％。
[0036]具体地，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行半蚀刻生成。
[0037]优选地，所述连接槽通过在所述成品硅片上进行激光刻蚀生成。
[0038]优选地，所述连接槽通过在所述成品硅片进行掩膜湿法刻蚀生成。
[0039]具体地，所述焊料为锡膏。
[0040]改进地，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的30％至50％。
[0041]优选地，所述焊料的填充量超出所述焊接深度的40％。
[0042]具体地，所述金属层涂覆有铜箔。
[0043]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0044]本专利技术提供一种巨量转移芯片的制作方法，该方法通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出整片硅片，整片硅片包括多块单硅片，多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，连接槽将多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块单硅片划分为分开的单硅片。该方法再通过制作具备多个焊盘的整片基板，在多个焊盘中填充焊料以对应固化多块单硅片，让整片硅片与整片基板连接固定构成产品级芯片，从而可有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，包括：通过半蚀刻工艺将成品硅片蚀刻出整片硅片；所述整片硅片包括多块单硅片；所述多块单硅片中相邻的单硅片之间设置有具备预设深度的连接槽，所述连接槽将所述多块单硅片连接为一个整体且因其预设深度而易于将连接为一个整体的多块所述单硅片划分为分开的单硅片；制作具备多个焊盘的整片基板，在所述多个焊盘中填充焊料以对应固化所述多块单硅片，让所述整片硅片与所述整片基板连接固定。2.如权利要求1所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，还包括：对所述连接槽底部进行开口划片，直至与所述连接槽连通，在所述整片硅片上形成多个连通口；通过所述连通口向所述连接槽内填充绝缘物质直至所述绝缘物质填充满出所述连通口的入口；沿着所述连通口的入口，穿过所述绝缘物质切断所述整片硅片和所述整片基板，以得到分开的多片单芯片。3.如权利要求2所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，所述的对所述连接槽底部进行开口划片包括：通过激光切割对所述连接槽底部进行开口划片。4.如权利要求2所述的巨量转移芯片的制作方法，其特征在于，对所述连接槽底部进行开口划片时，划片入口点选取在所述连接槽的宽度范围内，所述连通口在所述连接槽的宽度范围内...

【专利技术属性】
技术研发人员：康孝恒，蔡克林，唐波，杨飞，李瑞，许凯，蒋乐元，
申请(专利权)人：惠州市志金电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：