本显示装置具有像素阵列部,在该像素阵列部中,构成像素的显示元件在行方向和列方向上排列成二维矩阵。显示元件包括电流驱动型发光单元和用于驱动该发光单元的驱动电路。驱动电路至少包括:恒流晶体管;驱动晶体管,作为源极跟随器连接至恒流晶体管并且连接至发光单元和源极电极;以及电容单元,保持驱动晶体管的栅极电压。恒流晶体管与驱动晶体管形成为使得沟道宽度与沟道长度之比相同。沟道宽度与沟道长度之比相同。沟道宽度与沟道长度之比相同。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置与电子设备
[0001]本公开涉及一种显示装置和电子设备。
技术介绍
[0002]已知包括电流驱动的发光部的显示元件和包括显示元件的显示装置。例如,设置有包括有机电致发光元件的发光部的显示元件作为能够通过低压直流驱动来进行高强度光发射的显示元件正在引起关注。
[0003]使用有机电致发光的显示装置是自发光类型并且进一步对高清高速视频信号具有足够的响应性。例如,附接至诸如眼镜或护目镜的眼罩的显示装置还需要具有约几微米至10微米的像素大小。除由包括发光层的有机层等构成的发光部之外,通过有源矩阵方法驱动的显示元件包括用于驱动发光部的电路。
[0004]作为用于驱动电流驱动的发光部的驱动电路,熟知由晶体管和电容单元构成的电路(例如,参考专利文献1中的图3B)。驱动电路的类型的示例包括控制流经如专利文献1中的发光部的电流的电流控制类型和控制被施加给发光部的电压的电压控制类型。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本专利申请公开号2007
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310311
技术实现思路
[0008]本专利技术要解决的问题
[0009]电流驱动的发光部的亮度基本由流经发光部的电流的量确定。比较通过使用电流控制类型的驱动电路来驱动发光部的情况与通过使用电压控制类型的驱动电路来驱动发光部的情况,后者具有改变发光部中的电压
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至
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电流特性(V
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I特性)的潜在效果。因此,在通过使用电压控制类型的驱动电路来驱动发光部的情况下,优选为尽可能多地减少另一变化因素。具体地,优选为将电压以在显示元件当中的变化尽可能小的方式供应至构成像素的显示元件的发光部。
[0010]因此,本公开的目的是提供一种能够将电压以在显示元件当中的变化尽可能小的方式供应至构成像素的显示元件的发光部供应的显示装置及包括该显示装置的电子设备。
[0011]问题的解决方案
[0012]用于实现上述目的根据本公开的显示装置是具有以下特性的显示装置:
[0013]像素阵列单元,在该像素阵列单元中,构成像素的显示元件在行方向和列方向上排列成二维矩阵;
[0014]其中,显示元件包括由电流驱动的发光部和用于驱动发光部的驱动电路;
[0015]驱动电路至少包括:
[0016]恒流晶体管;
[0017]驱动晶体管,发光部和源极电极连接至该驱动晶体管,驱动晶体管的源极跟随器
与恒流晶体管连接;以及
[0018]电容单元,保持驱动晶体管的栅极电压;并且
[0019]恒流晶体管与驱动晶体管形成为使得沟道宽度与沟道长度之比相同。
[0020]用于实现上述目的根据本公开的电子设备是包括显示装置的电子设备,该显示装置具有:
[0021]像素阵列单元,在该像素阵列单元中,构成像素的显示元件在行方向和列方向上排列成二维矩阵;其中,
[0022]显示元件包括由电流驱动的发光部和用于驱动发光部的驱动电路;
[0023]驱动电路至少包括:
[0024]恒流晶体管;
[0025]驱动晶体管,发光部和源极电极连接至该驱动晶体管,驱动晶体管的源极跟随器与恒流晶体管连接;以及
[0026]电容单元,保持驱动晶体管的栅极电压;并且
[0027]恒流晶体管与驱动晶体管形成为使得沟道宽度与沟道长度之比相同。
附图说明
[0028]图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。
[0029]图2是用于描述包括电压驱动类型的驱动电路的像素(显示元件)的基本配置的示意性电路图。
[0030]图3是用于描述显示装置中使用的驱动电路的具体配置的示意性电路图。
[0031]图4是像素阵列单元的一部分的示意性局部截面图,该部分包括显示元件。
[0032]图5是用于描述根据第一实施方式的驱动电路上的晶体管等的设置的示意性平面图。
[0033]图6是用于描述参考例的驱动电路中的晶体管等的设置的示意性平面图。
[0034]图7是用于描述第一变形的驱动电路中的晶体管等的设置的示意性平面图。
[0035]图8是用于描述第二变形的驱动电路中的晶体管等的设置的示意性平面图。
[0036]图9是用于描述第三变形的驱动电路中的晶体管等的设置的示意性平面图。
[0037]图10是图10A中示出其正视图并且图10B中示出其后视图的镜头可更换的单镜头反射型数码静态相机的外观图。
[0038]图11是头戴式显示器的外观图。
[0039]图12是穿透式头戴式显示器的外观图。
具体实施方式
[0040]在下文中,将基于参考附图的实施方式对本公开进行描述。本公开并不局限于实施方式,并且实施方式中的各个数字值及材料是示例性的。在下列描述中,对于具有同一功能的一个或多个相同元件,将使用同一附图标记,并且将省去重复性描述。应注意,将按照下列顺序展开描述。
[0041]1.根据本公开的整体显示装置与电子设备的描述
[0042]2.第一实施方式
[0043]3.电子设备、其他的描述
[0044][根据本公开的整体显示装置与电子设备的描述][0045]如上所述,根据本公开的显示装置及用于根据本公开的电子设备的显示装置(以下可以被简称为“根据本公开的显示装置”)具有:像素阵列单元,在该像素阵列单元中,构成像素的显示元件在行方向和列方向上排列成二维矩阵;其中,显示元件包括由电流驱动的发光部和用于驱动发光部的驱动电路;驱动电路至少包括:恒流晶体管;驱动晶体管,发光部和源极电极连接至该驱动晶体管,驱动晶体管的源极跟随器与恒流晶体管连接;以及电容单元,保持驱动晶体管的栅极电压;并且恒流晶体管与驱动晶体管形成为使得沟道宽度与沟道长度之比相同。
[0046]在根据本公开的显示装置中,恒流晶体管与驱动晶体管可以被配置为形成具有相同的晶体管尺寸。
[0047]在包括上述优选配置的根据本公开的显示装置中,恒流晶体管与驱动晶体管可以被配置为在放置有驱动电路的平面区域上彼此邻近地形成。定性地,彼此邻近地形成的晶体管之间的特性差异比彼此间隔地形成的晶体管之间的特性差异更小。利用该布置,能够进一步减小被供应至发光部的电压的变化。
[0048]在根据包括上述各种优选配置的本公开的显示装置中,恒流晶体管与驱动晶体管可以被配置为包括同一导电类型的场效应晶体管。例如,恒流晶体管和驱动晶体管可以被配置为包括n沟道场效应晶体管或p沟道场效应晶体管。
[0049]作为包括上述各种优选配置的根据本公开的显示装置所使用的电流驱动发光部,可以使用有机电致发光元件、LED元件、半导体激光元件等。通过使用已知的材料或方法能够配置这些元件。从配置平面显示装置的观点而言,在所有其他中方面中,优选地,发光部被配置为包括有机电致发光发光部。
[0050]在根据包括上述各种优选配本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置,包括:像素阵列单元,在所述像素阵列单元中,构成像素的显示元件在行方向和列方向上排列成二维矩阵;其中,所述显示元件包括由电流驱动的发光部和用于驱动所述发光部的驱动电路;所述驱动电路至少包括:恒流晶体管;驱动晶体管,所述发光部和源极电极连接至所述驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极跟随器与所述恒流晶体管连接;以及电容单元,保持所述驱动晶体管的栅极电压;并且所述恒流晶体管与所述驱动晶体管形成为使得沟道宽度与沟道长度之比相同。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述恒流晶体管和所述驱动晶体管以同一晶体管尺寸形成。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述恒流晶体管与所述驱动晶体管在所述驱动电路所布置的平面区域上彼此相邻地形成。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述恒流晶体管和所述驱动晶体管包括同一导电类型的场效应晶体管。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:豊田尚司,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:
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