数模转换器、发射机和移动设备制造技术

提供一种数模转换器。数模转换器包括耦合到数模转换器的输出节点的多个数模转换器单元。多个数模转换器单元中的至少一个包括容性元件，容性元件被配置为向输出节点提供数模转换器单元的模拟输出信号。此外，多个数模转换器单元中的至少一个包括耦合到容性元件的反相器电路。反相器电路被配置为：基于振荡信号，生成容性元件的反相器信号。多个数模转换器单元中的至少一个附加地包括耦合到反相器电路和容性元件的阻性元件。阻性元件的电阻是至少50Ω。50Ω。50Ω。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】数模转换器、发射机和移动设备


[0001]本公开涉及数模转换。具体地，示例涉及数模转换器(DAC)、发射机和移动设备。

技术介绍

[0002]DAC用于将数字信号转换为模拟信号。例如，容性射频(RF)DAC用于基于数字基带发送信号直接生成模拟RF发送信号。
[0003]DAC(例如，RFDAC)的性能可以通过例如其效率、其最大输出功率、其频率范围或其线性度来描述。对于RFDAC，线性度定义由RFDAC生成的模拟RF信号的远离噪声(far off noise)和相邻信道泄漏比(ACLR)。影响模拟RF信号的ACLR的一个方面是RFDAC的各个单元中的最后反相器的非线性输出。例如，如果以金属氧化物半导体(MOS)技术实现RFDAC，则反相器的部件的有限非线性MOS电阻，以及反相器的NMOS(n型MOS)部件的导通电阻并不精确等于反相器的PMOS(p型MOS)部件的导通电阻这方面，在模拟RF信号中引起谐波失真。谐波失真作为ACLR是可见的，并引起降级的误差矢量幅度(EVM)。
[0004]因此，可能期望改进的DAC架构。
附图说明
[0005]以下将仅通过示例的方式并参照附图描述装置和/或方法的一些示例，在附图中：
[0006]图1示出了DAC的示例；
[0007]图2示出了DAC的另一示例；
[0008]图3示出了DAC单元的示例；
[0009]图4示出了DAC的输出功率谱的示例；
[0010]图6示出了DAC的输出功率谱的另一示例；
[0011]图6示出了DAC单元的另一示例；以及
[0012]图7示出了包括DAC的移动设备的示例。
具体实施方式
[0013]现在将参照示出了一些示例的附图更全面地描述各种示例。在附图中，为了清楚，可能夸大了线、层和/或区域的厚度。
[0014]因此，虽然进一步的示例有各种修改和替代形式，但是在附图中示出并且随后将详细描述其一些特定示例。然而，该详细描述并非将进一步的示例限制到所描述的特定形式。进一步的示例可以覆盖落入本公开的范围内的所有修改、等同物和替代物。贯穿附图的描述，相同或相似的数字指代相同或相似的要素，这些要素可以在相互比较时以相同方式或以修改的形式来实现，同时提供相同或相似的功能。
[0015]应理解，当要素称为“连接”或“耦合”到另一要素时，这些要素可以直接连接或耦合，或者经由一个或多个中间要素连接或耦合。如果使用“或”来组合两个要素A和B，则若并未明确或隐含地另外定义，那么这应被理解为公开所有可能的组合(即，仅A、仅B、以及A和
B)。对于相同组合的替代措辞是“A和B中的至少一个”或“A和/或B”。经必要修正后，这同样适用于多于两个的要素的组合。
[0016]本文用于描述特定示例的术语并非旨在对于进一步的示例是限制性的。每当使用单数形式(例如，“一”、“一个”和“所述”)并且仅使用单个要素既未明确地也未隐含地定义为强制时，进一步的示例也可以使用复数要素来实现相同的功能。同样，当随后将功能描述为使用多个要素来实现时，进一步的示例可以使用单个要素或处理实体来实现相同的功能。还将理解，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”在使用时指明所声明的特征、整数、步骤、操作、过程、动作、要素和/或部件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、过程、动作、要素、部件和/或其任何群组。
[0017]除非另外定义，否则所有术语(包括技术和科学术语)在本文中以其示例所属领域的普通含义被使用。
[0018]图1示出了示例性DAC 100。DAC 100包括多个DAC单元110
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1、...、110
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N。多个DAC单元110
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1、...、110
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N可以是(例如，与DAC的期望分辨率有关的)任何数量N≥2的DAC单元。多个DAC单元110
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1、...、110
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N耦合到DAC 100的输出节点120。
[0019]多个DAC单元110
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1、...、110
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N中的至少一个DAC单元110
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i(1≤i≤N)包括容性元件111，容性元件被配置为将DAC单元110
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i的模拟输出信号供给到输出节点120。例如，容性元件111可以是(例如，在金属层内实现的或者由半导体衬底内的沟槽实现的)片上电容器。然而，容性元件111也可以是用于提供电容的任何其他合适的部件。容性元件111可以例如展现几飞法(例如，1至5fF之间)的电容。
[0020]DAC单元110
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i可以是DAC 100的多个DAC单元110
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1、...、110
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N中的任何单元。
[0021]此外，至少一个DAC单元110
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i包括反相器电路112，反相器电路112耦合到容性元件111。反相器电路被配置为：基于振荡信号101，输出容性元件111的反相器信号102。反相器电路112是DAC单元110
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i的最后反相器电路。换言之，在反相器电路112与容性元件111之间没有耦合另外的反相器电路。
[0022]在本专利技术的各种实施例中，至少一个DAC单元110
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i可以被配置为包括阻性元件113，阻性元件113耦合到反相器电路112和容性元件111，或在它们之间。阻性元件的电阻是至少50Ω(欧姆)。换言之，(与例如耦合反相器电路112和容性元件111的导电迹线/路径相比)具有高电阻的元件耦合在反相器电路112与容性元件111之间。
[0023]阻性元件113可以允许减少反相器电路112的输出处的寄生电容，使得在反相器电路112的输出处等效地仅存在(非常)低的寄生电容。反相器电路112的瞬态响应可以因此基本上不受容性元件111的充电状态影响。如图1所示，由反相器电路112输出的反相器信号102可以展现基本上完美的矩形波形。仅阻性元件113之后的反相器信号102
’
受容性元件111的寄生电容影响。然而，阻性元件113和容性元件111的RC时间常数展现线性行为，因此不生成非线性。因此，在反相器电路112与容性元件111之间提供线性阻性元件113可以允许使DAC单元110
‑
i的输出级线性化。
[0024]可以通过许多不同的方式实现阻性元件113。例如，阻性元件113可以是薄膜电阻器或多晶硅电阻器。在其他示例中，阻性元件113可以是晶体管，该晶体管可以操作为具有可调整的电阻的电阻器。例如，晶体管的控制端子(例如，栅极端子)可以被配置为：接收控制信号，以用于将晶体管的输入端子(例如，源极端子)与输出端子(例如，漏极端子)之间的
电阻调整到期望的值。
[0025]在一些示例中，阻性元件113的电阻可以高于50Ω。例如，阻性元件11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种数模转换器，包括多个数模转换器单元，所述多个数模转换器单元耦合到所述数模转换器的输出节点，其中，所述多个数模转换器单元中的至少一个数模转换器单元包括：容性元件，被配置为：向所述输出节点提供所述数模转换器单元的模拟输出信号；反相器电路，耦合到所述容性元件，其中，所述反相器电路被配置为：基于振荡信号，生成所述容性元件的反相器信号；和阻性元件，耦合到所述反相器电路和所述容性元件，其中，所述阻性元件的电阻是至少50Ω。2.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述阻性元件的电阻是至少500Ω。3.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述阻性元件是薄膜电阻器。4.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述阻性元件是多晶硅电阻器。5.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述阻性元件是晶体管，并且其中，所述晶体管的控制端子被配置为：接收控制信号，以用于调整所述晶体管的输入端子与输出端子之间的电阻。6.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述反相器电路包括串联耦合在第一电位与第二电位之间的至少两个晶体管，其中，所述至少两个晶体管中的每一个的阈值电压最大为所述第一电位与所述第二电位之间的电位差的25％。7.如权利要求6所述的数模转换器，其中，所述阈值电压最大为所述第一电位与所述第二电位之间的电位差的15％。8.如权利要求1所述的数模转换器，其中，在所述反相器电路与所述容性元件之间没有耦合另外的反相器电路。9.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述多个数模转换器单元中的所述至少一个数模转换器单元还包括：逻辑电路，耦合到所述反相器电路，其中，所述逻辑电路被配置为：接收所述振荡信号和控制信号；以及基于所述控制信号，选择性地输出反相振荡信号，其中，所述反相器电路被配置为：基于所述反相振荡信号，生成所述反相器信号。10.如权利要求9所述的数模转换器，其中，所述逻辑电路是NAND门。11.如权利要求1所述的数模转换器，其中，所述多个数模转换器单元中的所述至少一个数模转换器单元还包括：第二容性元件，被配置为：将所述数模转换器单元的第二模拟输出信号供给到所述数模转换器的第二输出节点；第二反相器电路，耦合到所述第二容性元件，其中，所述第二反相器电路被配置为：输出所述第二容性元件的第二反相器信号；和第二阻性元件，耦合在所述第二反相器电路与所述第二容性元件之间，其中，所述第二阻性元件的电阻等于所述阻性元件的电阻。12.如权利要求11所述的数模转换器，其中，所述多个数模转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：