本申请公开了一种防泄漏密封结构及长晶装置，属于半导体材料制备领域。该防泄漏密封结构，包括具有开口的壳体和盖合所述开口的盖体，所述壳体和所述盖体围成密封腔；所述壳体和盖体连接处设置容纳密封圈的密封槽，所述密封槽围绕所述开口设置，所述密封槽包括由开口向外依次设置的内密封槽和外密封槽，所述内密封槽和外密封槽之间设置缓冲腔；所述缓冲腔分别与所述内密封槽和外密封槽连通，并分别连通至抽气机构和充气机构。该防泄漏密封结构及长晶装置可用于半导体制备中，能提高半导体生长环境的密封性，提升半导体材料的质量。提升半导体材料的质量。提升半导体材料的质量。
【技术实现步骤摘要】
一种防泄漏密封结构及长晶装置
[0001]本申请涉及一种防泄漏密封结构及长晶装置，属于半导体材料制备领域。
技术介绍
[0002]目前半导体材料由于高电导率、低损耗、耐击穿强度高等优点，广泛应用于电子、航天等领域。由于半导体材料的特殊性，其制备过程往往需要稳定的生长环境，否则会影响其生产质量。
[0003]例如碳化硅半导体，在碳化硅晶体生长过程中通常将原料加入到炉体内，盖上端盖后形成密封腔，将密封腔内的气体抽净或充入保护气体后加热开始长晶。为了保证晶体的质量，因此需要保证密封腔的密封性，目前在炉体和端盖之间开设有密封槽，使用密封圈进行密封。
[0004]但是在实际生产中，会频繁的开关端盖，在其过程中会对密封圈产生摩擦和挤压变形，长期如此，密封圈的密封性会存在密封不严的问题，进而会影响碳化硅晶体的产品质量。另外，密封圈存在轻微泄露时，不易检测其泄露位置，若是频繁的更换密封圈则会导致资源浪费，生产成本提高。
技术实现思路
[0005]为了解决上述问题，本申请提出了一种防泄漏密封结构及长晶装置，该防泄漏密封结构及长晶装置可用于半导体制备，如碳化硅晶体制备中，能保证炉腔的密封性，稳定晶体生长环境，提高晶体质量，节约成本。
[0006]根据本申请的一个方面，提供了一种防泄漏密封结构，该防泄漏密封结构包括具有开口的壳体和盖合所述开口的盖体，所述壳体和所述盖体围成密封腔；
[0007]所述壳体和盖体连接处设置容纳密封圈的密封槽，所述密封槽围绕所述开口设置，所述密封槽包括由开口向外依次设置的内密封槽和外密封槽，所述内密封槽和外密封槽之间设置缓冲腔；
[0008]所述缓冲腔分别与所述内密封槽和外密封槽连通，并分别连通至抽气机构和充气机构。
[0009]可选地，其还包括安装在所述内密封槽的内密封圈，和安装在所述外密封槽的外密封圈；
[0010]所述内密封槽包括所述壳体顶部边沿顶面的内下凹环台，所述外密封槽包括所述壳体的侧壁顶面的外下凹环台。
[0011]可选地，所述缓冲腔为设置在所述壳体顶部边沿顶面的所述内下凹环台与所述外下凹环台之间的环形凹陷结构，自所述缓冲腔顶部至底部的方向，所述缓冲腔包括至少一次缩径。
[0012]可选地，所述抽气机构包括第一控制阀、第一压力表和抽气泵；
[0013]所述抽气泵与所述缓冲腔通过第一管道连接，所述第一控制阀和第一压力表分别
连接在所述第一管道上；
[0014]打开所述第一控制阀，所述抽气泵将所述缓冲腔内的气体抽走。
[0015]可选地，所述第一管道设置所述壳体顶部边沿内并沿水平方向延伸，所述第一管道的一端与所述缓冲腔连通，另一端与抽气泵连接。
[0016]可选地，其还包括驱动所述抽气机构抽除所述缓冲腔内气体的第一控制机构；
[0017]所述第一压力表指示所述缓冲腔内的压力，当所述第一压力表的数值达到预定值后，所述第一控制机构驱动所述第一控制阀和所述抽气泵关闭。
[0018]可选地，所述充气机构包括第二控制阀、第二压力表和气源；
[0019]所述气源与所述缓冲腔通过第二管道连接，所述第二控制阀和第二压力表分别连接在所述第二管道上；
[0020]打开所述第二控制阀，所述气源向所述缓冲腔充入气体。
[0021]可选地，所述抽气机构与所述充气机构相对设置，第二管道设置在所述壳体顶部边沿内并沿水平方向延伸，所述第二管道的一端与所述缓冲腔连通，另一端与气源连接。
[0022]可选地，其还包括驱动所述充气机构向所述缓冲腔内充气的第二控制机构；
[0023]所述第二压力表指示所述缓腔内的压力，当所述第二压力表的数值小于预定值时，所述第二控制机构驱动所述第二控制阀打开，所述气源向所述缓冲腔充入气体。
[0024]根据本申请的又一个方面，提供了一种长晶装置，其包括上述任一所述的防泄漏密封结构；
[0025]所述壳体包括炉体，所述炉体和所述盖体围成密封腔；
[0026]所述炉体和盖体连接处设置容纳密封圈的密封槽，所述密封槽围绕所述炉体的开口设置。
[0027]本申请能产生的有益效果包括但不限于：
[0028]1.本申请所提供的防泄漏密封结构，其用于制备半导体材料的时，能提高半导体生长环境的密封性，提升半导体材料的质量。
[0029]2.本申请所提供的防泄漏密封结构，内密封槽和外密封槽可双重保证密封腔的密封性，缓冲腔、充气机构和抽气机构可在内密封圈或外密封圈出现轻微泄露时，也能保证密封腔的密封性，稳定密封腔内晶体的生长环境，提升晶体的生产质量，节约成本。
[0030]3.本申请所提供的防泄漏密封结构，缓冲腔设置为环形凹陷，可以提供更多的空间，用于储存更多的保护气体；缓冲腔包括至少一次缩径，可在对缓冲腔抽除气体或充入气体，能够保证气体的气流平稳，进一步稳定半导体的生长环境。
[0031]4.本申请所提供的防泄漏密封结构，抽气机构包括第一控制阀、第一压力表和抽气泵，充气机构包括第二控制阀、第二压力表和气源，可在缓冲腔压力达到预定值时抽除或充入气体，操作更加方便。
[0032]5.本申请所提供的防泄漏密封结构，使用第一控制机构和第二控制机构分别对抽气机构和充气机构进行控制，减少人工工作量，提高半导体质量和自动化程度。
[0033]6.申请所提供的长晶装置，能提高晶体生长密封腔的密封性，通过抽气机构和充气机构的设置向缓冲腔内通入保护气体，稳定晶体的生长环境，提高晶体质量。
附图说明
[0034]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0035]图1为本申请实施例涉及的防泄漏密封结构示意图；
[0036]图2为图1中A部分的局部放大图；
[0037]图3为图1中B部分的局部放大图。
[0038]部件和附图标记列表：
[0039]1壳体；2盖体；3密封腔；4内密封槽；5外密封槽；6内密封圈；7外密封圈；8缓冲腔；9第一管道；10第二管道；11第一控制阀；12第一压力表； 13抽气泵；14第一控制机构；15第二控制阀；16第二压力表；17气源；18 第二控制机构。
具体实施方式
[0040]为了更清楚的阐释本申请的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。
[0041]为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0042]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0043]另外，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防泄漏密封结构，其特征在于，其包括具有开口的壳体和盖合所述开口的盖体，所述壳体和所述盖体围成密封腔；所述壳体和盖体连接处设置容纳密封圈的密封槽，所述密封槽围绕所述开口设置，所述密封槽包括由开口向外依次设置的内密封槽和外密封槽，所述内密封槽和外密封槽之间设置缓冲腔；所述缓冲腔分别与所述内密封槽和外密封槽连通，并分别连通至抽气机构和充气机构。2.根据权利要求1所述的防泄漏密封结构，其特征在于，其还包括安装在所述内密封槽的内密封圈，和安装在所述外密封槽的外密封圈；所述内密封槽包括所述壳体顶部边沿顶面的内下凹环台，所述外密封槽包括所述壳体的侧壁顶面的外下凹环台。3.根据权利要求2所述的防泄漏密封结构，其特征在于，所述缓冲腔为设置在所述壳体顶部边沿顶面的所述内下凹环台与所述外下凹环台之间的环形凹陷结构，自所述缓冲腔顶部至底部的方向，所述缓冲腔包括至少一次缩径。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的防泄漏密封结构，其特征在于，所述抽气机构包括第一控制阀、第一压力表和抽气泵；所述抽气泵与所述缓冲腔通过第一管道连接，所述第一控制阀和第一压力表分别连接在所述第一管道上；打开所述第一控制阀，所述抽气泵将所述缓冲腔内的气体抽走。5.根据权利要求4所述的防泄漏密封结构，其特征在于，所述第一管道设置所述壳体顶部边沿内并沿水平方向延伸，所述第一管道的一端与所述缓冲腔连通，另一端与抽气泵连接。6...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋建，张维刚，张长银，史建伟，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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