图像显示装置制造方法及图纸

提供一种图像显示装置，实现了高精度的图像显示，且在玻璃基板上将以ＤＡ变换电路为主的外围电路集成化了。该图像显示装置具有：由多个像素（１）构成的显示区域（１００），从信号线（ｓ１、ｓ２）输入的串行数据及命令通过接口电路（１４）及ＤＡ变换电路（１１）被输入缓冲电路（１０）中。缓冲电路的输出被输入水平移位寄存器（１３）中，被依次扫描写入信号线（２）中。垂直移位寄存器（８）将通过栅线（３）应写入的像素的像素开关（４）切换成导通状态，显现对应于写入了该像素的图像信号的光学特性。这里，在ＦＰＣ上设有由单晶Ｓｉ形成的缓冲电路和缓冲电路用电源生成电路（３２），在玻璃基板（６）上设有由多晶Ｓｉ形成的其他电路。

Image display device

The invention provides an image display device, which realizes the high precision image display, and integrates the peripheral circuit with the DA conversion circuit based on the glass substrate. The image display device is composed of a plurality of pixels (1) of the display area (100), from the signal lines (S1, S2) input data and commands through the serial interface circuit and DA conversion circuit (14) (11) is the input buffer circuit (10). The output of the buffer circuit is inputted into the horizontal shift register (13) and is sequentially scanned into the signal line (2). The vertical shift register (8) switches the pixel switch (4) of the pixel to be written by the gate line (3) into a turn-on state to display the optical characteristics corresponding to the image signal written to the pixel. The FPC is provided with a buffer circuit and a buffer circuit for power generation circuit (32) formed on the Si, and the glass substrate (6) is provided with other circuits formed by the polycrystalline Si.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能将外围电路集成在玻璃基板上的图像显示装置，特别是涉及适合于高精度显示的图像显示装置。
技术介绍
以下，用图6～图9说明现有的技术。图6是表示第一现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状设置在显示区域200内，信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但为了简化附图，图6中只示出了一个像素。像素201由用非晶Si-TFT(薄膜晶体管)形成的像素开关204和液晶元件205构成。这些显示区域200被设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在靠近该玻璃基板206配置的栅驱动器LSI207内设置的移位寄存电路(S/R)208上。另外，信号线202的一端连接在靠近该玻璃基板206配置的液晶驱动器LSI209内设置的缓冲电路210上。缓冲电路210依次连接在数字/模拟变换电路(以下记载为“DA变换电路”)211、锁存电路212、移位寄存电路213上，移位寄存电路213通过接口电路(I/F)214、信号线s，连接在图中未示出的外部端子上。其次，说明图6所示的第一现有例的工作。从外部端子通过信号线和接口电路214被输入液晶驱动器LSI209的图像数据，经由移位寄存电路213被写入设置在每一列中的锁存电路212中。锁存电路212将写入的图像数据输入每一行的DA变换电路211。DA变换电路(D/A)211输出的图像信号电压经过缓冲电路210，被写入设置在玻璃基板206上的信号线202。这时设置在栅驱动器LSI207内的移位寄存电路208通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204切换到导通状态。对这样选择的像素的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域200显示规定的图像。这样的现有技术在一般的非晶Si-TFT显示器中是目前最一般的产品中使用的技术，例如，在非专利文献1中公开了这样的技术。对上述第一现有例来说，近年来研究开发了以下的技术。在第一现有例中，由于将非晶Si-TFT设置在玻璃基板206上，所以为了将像素开关204以外的电路元件集成在同一基板上，必须安装外围LSI锁存器，因此伴随着成本上升。与此不同，在下面所述的第二现有例中，由于将多晶Si-TFT设置在玻璃基板206上，所以除了像素开关204以外，迄今甚至被集成在栅驱动器LSI207或液晶驱动器LSI209上的外围驱动电路，也能集成在同一玻璃基板206上。图7是表示第二现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状地设置在显示区域200内，信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但在图7中为了使画面简单，只示出了一个像素。像素201由利用多晶Si-TFT形成的像素开关204P和液晶元件205构成。它们的显示区域200设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的移位寄存电路208P上。但是，这里移位寄存电路208P也是用Si-TFT形成的。另外，信号线202的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的缓冲电路210P上。缓冲电路210P依次连接在DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P上，移位寄存电路213P连接在作为单晶Si-LSI设置在玻璃基板206的外部的接口电路214上、以及通过信号线s连接在图中未示出的外部端子上。另外，这里缓冲电路210P、DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P都由多晶Si-TFT形成。其次，说明图7所示的第二现有例的工作。从外部端子经由信号线s输入的图像数据，通过作为单晶Si-LSI设置的接口电路214被输入玻璃基板206中，经由移位寄存电路213P，被写入设置在每一列的锁存电路212P中。锁存电路212P将被写入的图像数据输入每一行的DA变换电路211P中。DA变换电路211P输出的图像信号电压经过缓冲电路210P被写入信号线202中。这时移位寄存电路208P通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204P切换成导通状态。对由此选择的像素的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，由此显示区域200显示规定的图像。该第二现有例与第一现有例相比，具有能减少栅驱动器LSI207和液晶驱动器LSI209这样的外围LSI、同时还能减少玻璃基板206上的输出端子的个数的优点，因此近年来集中精力进行研究开发。作为这样的现有例，例如在专利文献1中有详细的记载。上述第二现有例由于与液晶显示器在同一个玻璃基板206上用多晶Si-TFT形成液晶显示器的外围LSI的功能，所以可以说是将外围LSI的减少作为目标的例子。另外，作为该思考方法的延续，最近正在研究以下的第三现有例所示的技术。在上述第二现有例中，将外围驱动LSI集成在多晶Si-TFT上。与此不同，在下述的第三现有例中，甚至将在同一玻璃基板206上用多晶Si-TFT集成外围系统作为目标。图8是表示第三现有例的图像显示装置的结构图。像素201呈矩阵状地设置在显示区域200内信号线202及栅线203分别连接在像素201上。实际上在显示区域200内设置多个像素201，但为了简化附图，图8中只示出了一个像素。像素201由用多晶Si-TFT形成的像素开关204P和液晶元件205构成。这些显示区域200被设置在玻璃基板206上。栅线203的一端连接在共同设置在该玻璃基板206上的移位寄存电路208P上。但是，这里移位寄存电路208P也用多晶Si-TFT形成。信号线202的一端连接在被设置在玻璃基板206上的驱动电路(DRV)220上。这里驱动电路220中包括第二现有例中的缓冲电路210P、DA变换电路211P、锁存电路212P、移位寄存电路213P，是对应于第一现有例中的液晶驱动器LSI209的电路。驱动电路220再通过时序控制器(T-CTL)221，连接在帧存储器(FMEM)222、CPU223上，除此以外，与驱动电路220、时序控制器221、帧存储器222、CPU223相同，用多晶Si-TFT在玻璃基板206上形成电源电压生成电路224。其次，说明图8所示的第三现有例的工作。通过CPU223的控制而从帧存储器222读出的图像数据通过时序控制器221被写入驱动电路220中。驱动电路220将该图像数据变换成图像信号电压，按照规定的时序写入信号线202中。这时时序控制器221同时控制移位寄存电路208P。移位寄存电路208P通过规定的栅线203，将应写入图像信号电压的像素行的像素开关204P切换成导通状态。因此，对被选择的像素201的液晶元件205进行规定的图像信号电压的写入。此后，液晶元件205呈现对应于被写入的图像信号电压的光学特性，因此显示区域200显示规定的图像。该第三现有例这样的技术与第二现有例相比，具有更能减少时序控制器221、帧存储器222、CPU223、电源电压生成电路224、这样的外围安装系统的优点，一般称为系统显示技术。例如，在非专利文献2中公开了这样的现有例。上述的各现有例是将在玻璃基板上形成多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像显示装置，具有：设置在绝缘基板上的由多个像素构成的显示部；包含将显示信号电压写入上述像素中用的信号线的显示信号电压写入单元；以及根据数字显示信号数据生成上述显示信号电压用的信号电压生成单元，该图像显示 装置的特征在于：上述信号电压生成单元包括ＤＡ变换单元、以及针对上述ＤＡ变换单元的输出电压的阻抗变换单元，在上述绝缘基板上形成上述ＤＡ变换单元，在半导体基板上形成上述阻抗变换单元。

【技术特征摘要】
JP 2003-10-3 345316/20031.一种图像显示装置，具有设置在绝缘基板上的由多个像素构成的显示部；包含将显示信号电压写入上述像素中用的信号线的显示信号电压写入单元；以及根据数字显示信号数据生成上述显示信号电压用的信号电压生成单元，该图像显示装置的特征在于上述信号电压生成单元包括DA变换单元、以及针对上述DA变换单元的输出电压的阻抗变换单元，在上述绝缘基板上形成上述DA变换单元，在半导体基板上形成上述阻抗变换单元。2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述DA变换单元由以使用多晶Si的TFT作为构成元件的电路构成。3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述阻抗变换单元由以使用单晶Si的MOS晶体管作为构成元件的电路构成。4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其特征在于上述阻抗变换单元包括有负反馈的差动放大电路。5.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述像素通过对应于显示信号电压调制液晶元件的光学特性，来显示图像。6.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述像素通过对应于显示信号电压调制发光元件的发光特性，来显示图像。7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其特征在于上述发光元件是设置在上述像素内的有机发光二极管。8.根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于上述显示信号电压写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，笠井成彦，宫本光秀，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]