直流交流隔断器以及微波有源电路制造技术

技术编号:30369354 阅读:17 留言:0更新日期:2021-10-16 17:45
本实用新型专利技术提供一种直流交流隔断器以及微波有源电路,该直流交流隔断器的第一地壳体与第二地壳体相对设置;第一同轴连接器设置在第一地壳体上,第二同轴连接器设置在第二地壳体上,第一同轴连接器与第二同轴连接器通过第一隔直电容连接;第一地壳体朝向第二地壳体的一端凹陷形成凹槽,第二地壳体与第一地壳体相对的一侧凸出形成凸起,凸起嵌入凹槽内,凸起与凹槽间隔设置形成扼流结构,扼流结构的长度为直流交流隔断器的四分之一工作波长的奇数倍。本实用新型专利技术能够增加第一地壳体与第二地壳体之间的相对面积,提高了隔断器的功率容量和耐压值,并抑制了电磁场在地壳体内的传输,有效提高了隔断器的电磁屏蔽性能,解决了电磁泄漏的问题。漏的问题。漏的问题。

【技术实现步骤摘要】
直流交流隔断器以及微波有源电路


[0001]本技术涉及隔断器
,尤其涉及一种直流交流隔断器以及微波有源电路。

技术介绍

[0002]目前,隔断器可以阻隔直流及交流低频信号,同时不影响射频信号的传输,是微波有源电路必不可少的组成部分。现有技术中的隔断器通常通过隔断内、外导体的方式,实现阻断直流通路的功能,然而这种方式存在以下不足:(1)功率容量小,无法适用于大功率、低损耗的微波传输应用;(2)耐压值低,无法有效避免高电压应用中击穿空气等介质形成拉弧放电的问题;(3)没有屏蔽结构,存在电磁泄漏的问题。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足,本技术提出一种直流交流隔断器以及微波有源电路,在第一地壳体和第二地壳体上分别设置凹槽和凸起,通过凸起嵌入凹槽使第一地壳体与第二地壳体相对,并在第一地壳体、第二地壳体之间形成扼流结构,使扼流结构的长度为四分之一工作波长的奇数倍,能够增加第一地壳体与第二地壳体之间的相对面积,提高了隔断器的功率容量和耐压值,并通过设置扼流结构的方式抑制了电磁场在地壳体内的传输,有效提高了隔断器的电磁屏蔽性能,解决了电磁泄漏的问题。
[0004]为解决上述问题,本技术采用的一个技术方案为:一种直流交流隔断器,所述直流交流隔断器包括:同轴连接器、第一地壳体、第二地壳体,所述第一地壳体与所述第二地壳体相对设置;所述同轴连接器包括第一同轴连接器、第二同轴连接器,所述第一同轴连接器设置在所述第一地壳体上,所述第二同轴连接器设置在所述第二地壳体上,所述第一同轴连接器与所述第二同轴连接器通过第一隔直电容连接;所述第一地壳体朝向所述第二地壳体的一端凹陷形成凹槽,所述第二地壳体与所述第一地壳体相对的一侧凸出形成凸起,所述凸起嵌入所述凹槽内,所述凸起与所述凹槽间隔设置形成扼流结构,所述扼流结构的长度为所述直流交流隔断器的四分之一工作波长的奇数倍。
[0005]进一步地,所述第一同轴连接器、第二同轴连接器通过螺钉分别固定在所述第一地壳体、第二地壳体上。
[0006]进一步地,所述扼流结构包括第二隔直电容,所述第二隔直电容沿所述凸起周向设置,且两端分别与所述第一地壳体、第二地壳体连接。
[0007]进一步地,所述第一隔直电容与所述第二隔直电容为集总电容元件。
[0008]进一步地,所述直流交流隔断器包括弹性导电部件,所述弹性导电部件设置在所述第一隔直电容、第二隔直电容两端。
[0009]进一步地,所述弹性导电部件包括导电橡胶、导电簧片中的任一种。
[0010]进一步地,所述第一同轴连接器与所述第二同轴连接器均包括内导体,所述第一同轴连接器的内导体与所述第二同轴连接器的内导体通过所述第一隔直电容连接。
[0011]进一步地,所述第一同轴连接器的内导体贯穿所述第一地壳体延伸至所述凹槽内;所述第二地壳体的凸起中空形成通孔,所述第二同轴连接器的内导体沿设置在所述通孔内,并与所述第一同轴连接器延伸至所述凹槽内的内导体相对。
[0012]进一步地,所述扼流结构还包括绝缘体,所述绝缘体环绕所述凸起设置,且两侧分别与所述第一地壳体、第二地壳体连接。
[0013]基于相同的专利技术构思,本技术还提出一种微波有源电路,所述微波有源电路包括如上所述的直流交流隔断器。
[0014]相比现有技术,本技术的有益效果在于:在第一地壳体和第二地壳体上分别设置凹槽和凸起,通过凸起嵌入凹槽使第一地壳体与第二地壳体相对,并在第一地壳体、第二地壳体之间形成扼流结构,使扼流结构的长度为四分之一工作波长的奇数倍,能够增加第一地壳体与第二地壳体之间的相对面积,提高了隔断器的功率容量和耐压值,并通过设置扼流结构的方式抑制了电磁场在地壳体内的传输,有效提高了隔断器的电磁屏蔽性能,解决了电磁泄漏的问题。
附图说明
[0015]图1为本技术直流交流隔断器一实施例的流程图;
[0016]图2为本技术直流交流隔断器一实施例的剖视图;
[0017]图3为本技术直流交流隔断器抑制电磁泄漏一实施例的示意图;
[0018]图4为本技术微波有源电路一实施例的结构图。
[0019]图中:1、第一同轴连接器;2、第二同轴连接器;3、第一地壳体;4、第二地壳体;5、绝缘体;6、第一隔直电容;7、第二隔直电容。
具体实施方式
[0020]下面,结合附图以及具体实施方式,对本技术做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0021]请参阅图1、2、3,其中,图1为本技术直流交流隔断器一实施例的流程图;图2为本技术直流交流隔断器一实施例的剖视图;图3为本技术直流交流隔断器抑制电磁泄漏一实施例的示意图,其中,图2为图1的直流交流隔断器沿第一同轴连接器、第二同轴连接器的轴向剖开后的剖视图。结合附图1

3对本技术直流交流隔断器作详细说明。
[0022]在本实施例中,直流交流隔断器包括:同轴连接器、第一地壳体3、第二地壳体4,第一地壳体3与第二地壳体4相对设置;同轴连接器包括第一同轴连接器1、第二同轴连接器2,第一同轴连接器1设置在第一地壳体3上,第二同轴连接器2设置在第二地壳体4上,第一同轴连接器1与第二同轴连接器2通过第一隔直电容6连接;第一地壳体3朝向第二地壳体4的一端凹陷形成凹槽,第二地壳体4与第一地壳体3相对的一侧凸出形成凸起,凸起嵌入凹槽内,凸起与凹槽间隔设置形成扼流结构,扼流结构的长度为直流交流隔断器的四分之一工作波长的奇数倍。
[0023]在本实施例中,通过凸起嵌入凹槽的方式,增加第一地壳体3、第二地壳体4之间的相对面积,提高了直流交流隔断器的耐压值,并利用扼流结构的抑制电磁泄漏特性降低了
功率损耗。
[0024]在一个具体的实施例中,本技术的直流交流隔断器能够承受交流AC4000V,DC 4500V的电压,满足了医疗以及其他高压领域的用途。
[0025]在本实施例中,第一地壳体3、第二地壳体4为圆柱形,在其他实施例中,第一地壳体3、第二地壳体4还可以为棱柱、方形以及其他形状,在此不做限定。
[0026]在本实施例中,凸起的顶端与凹槽的底部平行设置,外侧与凹槽的内壁平行,且第二地壳体4上环绕凸起的平台与凹槽面向第二地壳体4的一端平行。
[0027]在其他实施例中,为了增大第一地壳体3、第二地壳体4之间的相对面积,第一地壳体3与第二地壳体4之间彼此相对的一侧即扼流结构的表面也可以为波纹面结构或多个平缓凸起。
[0028]在本实施例中,第一同轴连接器1、第二同轴连接器2通过螺钉分别固定在第一地壳体3、第二地壳体4上,在其他实施例中,第一同轴连接器1、第二同轴连接器2还可以通过卡接、螺接、焊接以及其他方式固定在第一地壳体3、第二地壳体4上。
[0029]在本实施例中,第一隔直电容6为信号线隔直电容,第一同轴连接器1、第二同轴连本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流交流隔断器,其特征在于,所述直流交流隔断器包括:同轴连接器、第一地壳体、第二地壳体,所述第一地壳体与所述第二地壳体相对设置;所述同轴连接器包括第一同轴连接器、第二同轴连接器,所述第一同轴连接器设置在所述第一地壳体上,所述第二同轴连接器设置在所述第二地壳体上,所述第一同轴连接器与所述第二同轴连接器通过第一隔直电容连接;所述第一地壳体朝向所述第二地壳体的一端凹陷形成凹槽,所述第二地壳体与所述第一地壳体相对的一侧凸出形成凸起,所述凸起嵌入所述凹槽内,所述凸起与所述凹槽间隔设置形成扼流结构,所述扼流结构的长度为所述直流交流隔断器的四分之一工作波长的奇数倍。2.如权利要求1所述的直流交流隔断器,其特征在于,所述第一同轴连接器、第二同轴连接器通过螺钉分别固定在所述第一地壳体、第二地壳体上。3.如权利要求1所述的直流交流隔断器,其特征在于,所述扼流结构包括第二隔直电容,所述第二隔直电容沿所述凸起周向设置,且两端分别与所述第一地壳体、第二地壳体连接。4.如权利要求3所述的直流交流隔断器,其特征在于,所述第一隔直电容与所述第二隔直电容为集总电容元件。...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯玉玲
申请(专利权)人:深圳市安芯物联科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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