亮度侦测系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种用于液晶显示面板的亮度侦测系统，其具有一亮度侦测器，其中该亮度侦测器设置在液晶显示面板具有驱动电路一侧边缘的空白区域。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

Brightness detection system

The utility model provides a liquid crystal display panel brightness detection system, which has a brightness detector, wherein the brightness detector is arranged on the liquid crystal display panel having a blank area on the edge of one side driving circuit.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于液晶显示面板的亮度侦测系统。
技术介绍
液晶显示装置具有轻薄、省电、无辐射等优点，已广泛应用于各种信息、通讯和消费性产品中。液晶显示装置作为一种显示装置，其显示亮度是一重要性能参数。为满足不同情形的显示亮度需求，需要对液晶显示装置的亮度进行调整。现有液晶显示装置的亮度一般通过使用者本身感觉，并使用手动按键进行调整，然而该操作过程繁琐且调整精度低，因此需发展技术对该调整方式进行改进。请参阅图1，是一种现有技术液晶显示装置示意图。该液晶显示装置100包括一液晶显示面板110和一背光模组120，该液晶显示面板110与背光模组120层叠设置。请同时参阅图2，是该背光模组120亮度侦测与控制的功能方块图。该背光模组120包括一光源121及一亮度侦测系统124，该亮度侦测系统124包括一亮度侦测器122和控制电路123。该亮度侦测器122感测环境亮度并产生一光电流，该光电流经控制电路123产生一电压信号，该电压信号能根据对应的环境亮度调整光源121，使光源121发出与环境亮度相匹配的光束。其中该亮度侦测器122为一光敏晶体管。该液晶显示装置100能对背光亮度进行自动调整，然而背光模组120是由胶框、金属背板和各种光学膜组成，电路布局较少。因此在该背光模组120上设置亮度侦测系统124之控制电路123的制程复杂，而且需在背光模组120上另外附加一亮度侦测器122，成本高。
技术实现思路
为克服现有技术液晶显示装置的亮度侦测系统制程复杂、成本高的问题，有必要提供一种制程简单、成本低的亮度侦测系统。一种用于液晶显示面板的亮度侦测系统，其具有一亮度侦测器，其中该亮度侦测器设置在液晶显示面板具有驱动电路一侧边缘的空白区域。有别于现有技术，本技术亮度侦测系统在液晶显示面板具有驱动电路一侧边缘的空白区域，于线路布局过程中同时形成一肖特基二极管，用以侦测面板背光亮度，其制程简单。此技术方案不需另外设置侦测器，成本低，并可配合信号放大器、数字模拟转换电路和控制电路而对背光亮度进行数字控制与调整。附图说明图1是一种现有技术液晶显示装置示意图。图2是图1液晶显示装置的背光模组亮度侦测与控制的功能方块图。图3是本技术液晶显示装置一较佳实施方式的结构示意图。图4是图3中亮度侦测器的结构示意图。图5是本技术液晶显示装置的亮度侦测系统的功能方块图具体实施方式请参阅图3，是本技术液晶显示装置一较佳实施方式的结构示意图。该液晶显示装置200包括一液晶显示面板210、一背光光源(图未标)和一亮度侦测系统。该液晶显示面板210包括一第一基板211、一第二基板212和夹于二者之间的液晶层(图未标)。该背光光源设置在该液晶显示面板210的背侧。该亮度侦测系统包括四个软性电路板220、一印刷式电路板230、一亮度侦测器214和一信号放大器215。该亮度侦测器214和信号放大器215并排设置在该第二基板212的边缘空白区域。该印刷型电路板230通过软性电路板220与液晶显示面板210相连接。该印刷型电路板230上设置有数字模拟转换电路231和控制电路232。请参阅图4，是图3中亮度侦测器214的结构示意图。该亮度侦测器214是一肖特基二极管(Schottky Diode)，该肖特基二极管包括一半导体层和一导电金属层。该半导体层是非晶硅层310，该非晶硅层310包括一N-型非晶硅层311和一N+型非晶硅层312，该N+型非晶硅层312形成在该N-型非晶硅层311的部分区域上。该肖特基二极管的导电金属层为氧化铟锡层320，该氧化铟锡层320包括第一氧化铟锡层321和第二氧化铟锡层322，该第一氧化铟锡层321直接设置在该N-型非晶硅层311上，该第二氧化铟锡层322设置在N+型非晶硅312上。该第二氧化铟锡层322和N-型非晶硅层311之间的N+型非晶硅层312形成一肖特基屏障(Schottky Barrier)，该N-型非晶硅层311通过液晶显示面板210的边缘空白区域吸收背光，并发生光电效应，该N-型非晶硅层311的电子由于吸收光子能量而发生能阶跃迁并溢出流入电势较低的金属氧化铟锡层320。该电子的移动形成电流，该电流由分别与第二氧化铟锡层322和N-型非晶硅层311相连接的外接电路导出。请参阅图5，是本技术液晶显示装置200的亮度侦测系统的功能方块图。其亮度侦测器214导出的电压信号由信号放大器215进行放大，再通过软性电路板220传输至印刷电路板230，该印刷电路板230上的数字模拟转换电路231将该信号转换成数字信号，并与控制电路232上的背光亮度默认值进行比较，如超出默认值，再通过该控制电路232对液晶显示装置200的光源240进行调整，控制其发光功率，以实现对背光亮度的控制与调整。本技术的背光亮度默认值为生产线上用侦测器进行亮度测试校正的值，其校正结果写入该控制电路232中。本技术的亮度侦测器214和该第二基板212的线路同时沉积蚀刻设置，由于基板易于沉积蚀刻，故制程简单，而且不需另外附加亮度侦测器，成本低，并可配合信号放大器215、数字模拟转换电路231和控制电路232对背光亮度进行数字控制与调整。本实施方式的液晶显示装置200中，该印刷式电路板230还可为其它型式的集成电路板，如嵌入式电路板、插入式电路板等非印刷式电路板。另外，该软性电路板220的数目不做限制，根据实际需要，可为一个、两个或更多。该液晶显示装置200的制造方法，其步骤包括提供一第一基板211和一第二基板212；在第二基板212的线路布局设置时，同时在第二基板212具有驱动电路一侧边缘的空白区域沉积蚀刻一N-型非晶硅层311；在该N-型非晶硅层311的部分区域上沉积蚀刻一N+型非晶硅层312；在该N-型非晶硅层311其它区域沉积蚀刻一第一氧化铟锡层321；再于该N+型非晶硅层312上沉积蚀刻一第二氧化铟锡层322，以形成一肖特基二极管亮度侦测器214，该亮度侦测器214的第二氧化铟锡层322和N-型非晶硅层311均和外界电路相连接，该第一基板211和第二基板212之间加注液晶并粘合形成一液晶显示面板210。在该第二基板212具有驱动电路一侧设置一信号放大器215；另提供一印刷式电路板230，在该印刷式电路板230上设置一数字模拟转换电路231和控制电路232；用至少一个软性电路板220连接该液晶显示面板210和印刷式电路板230，从而形成该液晶显示装置200。本技术中，该液晶显示装置200在第二基板线路布局时，通过沉积蚀刻的方式在第二基板212具有驱动电路一侧边缘的空白区域形成一亮度侦测器214，其制程简单，而且不需另外加一亮度侦测器，成本低，并可配合信号放大器215、数字模拟转换电路231和控制电路232组成一亮度侦测系统对背光亮度进行数字侦测与控制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示面板的亮度侦测系统，其具有一亮度侦测器，其特征在于：该亮度侦测器设置在液晶显示面板具有驱动电路一侧边缘的空白区域。

【技术特征摘要】
1.一种用于液晶显示面板的亮度侦测系统，其具有一亮度侦测器，其特征在于该亮度侦测器设置在液晶显示面板具有驱动电路一侧边缘的空白区域。2.如权利要求1所述的亮度侦测系统，其特征在于该亮度侦测器包括层叠设置的一半导体层和至少一导电金属层。3.如权利要求2所述的亮度侦测系统，其特征在于该亮度侦测器的半导体层具有层叠设置的一N-型非晶硅层和一N+型非晶硅层，该N+型非晶硅层与该N-型非晶硅层叠设置。4.如权利要求3所述的亮度侦测系统，其特征在于该亮度侦测器的导电金属层一部分与N-型非晶硅层层叠设置，另一部分与N+型非晶硅层层叠设置。5.如权利要求1所述的亮度侦测系统，其特征在于该亮度侦测系统进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾曜星，石安，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]