体声波谐振器制造技术

技术编号:30342747 阅读:19 留言:0更新日期:2021-10-12 23:18
本公开提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分;金属焊盘,连接到所述第一电极和所述第二电极;以及保护层,设置为至少覆盖所述金属焊盘。属焊盘。属焊盘。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器
[0001]本申请要求于2020年4月3日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0040838号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。


[0002]以下描述涉及一种体声波谐振器。

技术介绍

[0003]通常,在制造体声波谐振器的工艺中可能需要用于调整频率特性的修整工艺。在可能由于每一层的沉积或蚀刻工艺分布而具有分散性的晶片中,执行修整工艺以调整晶片中的频率特性。在滤波器包括串联/并联(Se/Sh)谐振器的情况下,可能需要修整工艺来调谐滤波器波形以调整不同类型的串联/并联谐振器中的每个的频率特性。
[0004]然而,可能存在钝化层的在修整工艺中去除的副产物可能堆叠在金属焊盘的内侧表面上的问题。
[0005]此外,通过修整工艺钝化层的厚度可能在有效区域中形成得不均匀。

技术实现思路

[0006]提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍所选择的构思,并在下面的具体实施方式中进一步描述这些构思。本
技术实现思路
无意明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0007]在一个总体方面,一种体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分;金属焊盘,连接到所述第一电极和所述第二电极;以及保护层,设置为至少覆盖所述金属焊盘。
[0008]所述保护层可利用氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)和二氧化硅(SiO2)中的任意一种形成。
[0009]所述保护层可设置在其中所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此重叠的有效区域的外部。
[0010]所述体声波谐振器还可包括:粘合层,设置在所述保护层和所述金属焊盘之间。
[0011]所述粘合层可利用氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种形成。所述保护层可利用氮化硅(SiN)和二氧化硅(SiO2)中的任意一种形成。
[0012]所述体声波谐振器还可包括:插入层,设置在所述第一电极和所述压电层之间。
[0013]所述体声波谐振器还可包括:膜层,所述膜层与所述基板形成腔。
[0014]所述体声波谐振器还可包括:蚀刻停止部,设置为围绕所述腔;以及牺牲层,设置为围绕所述蚀刻停止部。
[0015]所述膜层可包括相对于所述基板的其上设置有所述膜层的表面倾斜设置的倾斜
部和在其中所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此重叠的有效区域中平行于所述基板的所述表面设置的平面部。
[0016]所述第二电极可包括框架,所述框架设置在所述有效区域的边缘上并且具有大于所述第二电极的其它部分的厚度的厚度。
[0017]所述基板可包括至少设置在所述腔的下方的绝缘层。
[0018]所述金属焊盘可包括连接到所述第一电极的第一金属焊盘和连接到所述第二电极的第二金属焊盘。
[0019]在另一总体方面,一种体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分;金属焊盘,连接到所述第一电极和所述第二电极;以及钝化层,设置为覆盖所述第一电极、压电层的设置在所述第一电极的外侧上的部分和所述金属焊盘。
[0020]所述体声波谐振器还可包括:粘合层,设置在所述金属焊盘和所述钝化层之间。
[0021]所述粘合层可利用绝缘材料或金属材料形成。
[0022]所述钝化层可利用包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锰(MnO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层形成。
[0023]所述体声波谐振器还可包括:粘合层,设置在所述金属焊盘和所述钝化层之间,并且利用氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种形成。
[0024]所述钝化层还可设置为覆盖所述第二电极。
[0025]通过下面的具体实施方式、附图和权利要求,其它特征和方面将是显而易见的。
附图说明
[0026]图1是示出根据实施例的体声波谐振器的截面图。
[0027]图2是示出图1的A部分的放大图。
[0028]图3是示出图1的B部分的放大图。
[0029]图4是示出根据实施例的体声波谐振器的截面图。
[0030]图5是示出图4的C部分的放大图。
[0031]图6是示出图4的D部分的放大图。
[0032]图7是示出根据实施例的体声波谐振器的截面图。
[0033]图8是示出图7的E部分的放大图。
[0034]图9是示出图7的F部分的放大图。
[0035]图10是示出根据实施例的体声波谐振器的截面图。
[0036]图11是示出根据实施例的体声波谐振器的截面图。
[0037]在整个附图和具体实施方式中,相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制,为了清楚、说明及便利起见,可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0038]提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而,在理解本申请的公开内容之后在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、
变型和等同物将是显而易见的。例如,在此描述的操作的顺序仅仅是示例,并且不限于在此阐述的顺序,而是除了必须以特定顺序发生的操作之外,可做出在理解本申请的公开内容之后将显而易见的改变。此外,为了提高清楚性和简洁性,可省略本领域公知的特征的描述。
[0039]在此描述的特征可以以不同的形式实施,并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说,已经提供在此描述的示例,仅用于说明在理解本申请的公开内容之后将显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些。
[0040]在此,应注意的是,关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如,关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例,而所有示例和实施例不限于此。
[0041]在整个说明书中,当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,该元件可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件,或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,可不存在介于它们之间的其它元件。
[0042]如在此使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个以及任意两个或更多个的任意组合。
[0043]尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器,包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分;第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分;金属焊盘,连接到所述第一电极和所述第二电极;以及保护层,设置为至少覆盖所述金属焊盘。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述保护层利用氧化铝、氮化铝、氮化硅和二氧化硅中的任意一种形成。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述保护层设置在其中所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此重叠的有效区域的外部。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:粘合层,设置在所述保护层和所述金属焊盘之间。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述粘合层利用氧化铝和氮化铝中的任意一种形成,并且其中,所述保护层利用氮化硅和二氧化硅中的任意一种形成。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:插入层,设置在所述第一电极和所述压电层之间。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:膜层,所述膜层与所述基板形成腔。8.根据权利要求7所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括:蚀刻停止部,设置为围绕所述腔;以及牺牲层,设置为围绕所述蚀刻停止部。9.根据权利要求7所述的体声波谐振器,其中,所述膜层包括相对于所述基板的其上设置有所述膜层的表面倾斜设置的倾斜部和在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极彼此重叠的有效区域中平行于所述基板的所述表面设置的平面部。10.根据权利要求9所述的体声波...

【专利技术属性】
技术研发人员:林昶贤李尙泫金龙石李成俊吉宰亨朴东铉
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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