组合样品及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种组合样品及其制备方法，其中，制备方法包括：将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。对所述待减薄样品进行减薄处理。对所述待减薄样品进行减薄处理。

【技术实现步骤摘要】
组合样品及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种组合样品及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体技术持续发展的今天，由于半导体器件尺寸不断变小，使得分析其失效原因的难度也随之不断变大，透射电子显微镜(TEM，Transmission Electron Microscope)拥有的次纳米级的高分辨分析能力，能够观察半导体器件的内部结构和晶体缺陷，并能对同一区域进行衍衬成像及电子衍射研究，把形貌信息与结构信息联系在一起，因此已经成为半导体器件失效分析中一种不可缺少的重要手段。
[0003]由于TEM利用穿透样品的电子束成像，而电子本身穿透能力很弱，所以TEM的样品，尤其是需要观测部位要求比较薄，一般为50
‑
500nm。为取得上述厚度薄为50
‑
500nm的样品，半导体
通常采用聚焦离子束(FIB，Focus Ion Beam)双面切削的方法来减薄制备TEM样品。
[0004]然而，相关技术中，制得减薄样品的步骤繁多且复杂，容易造成误操作，且耗时长。

技术实现思路

[0005]为解决相关技术问题，本申请实施例提出一种组合样品及其制备方法。
[0006]本申请实施例提供了一种组合样品的制备方法，包括：
[0007]将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；
[0008]在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；
[0009]将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；
[0010]利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。
[0011]上述方案中，在将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上之前，所述方法还包括：
[0012]以所述第一侧壁内任意平行于所述基底的直线为转轴，将所述样品承载部围绕所述转轴旋转第二预设角度；
[0013]所述将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，包括：
[0014]将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈第二预设角进行粘贴，以使所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈所述第一预设角度；所述第二预设角与所述第一预设角之和为90
°
。
[0015]上述方案中，在将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈所述第二预设角进行粘贴时，通过胶填充所述待减薄样品与所述第一侧壁之间的缝隙。
[0016]上述方案中，所述第一预设角度的范围为10
°
至20
°
。
[0017]上述方案中，所述凹槽的底面与所述待减薄样品之间存在第一距离；
[0018]在利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理时，在所述第一距离的作用下，使得所述的凹槽底面被所述聚焦离子束轰击出的粒子不返溅到所述待减薄样品上。
[0019]上述方案中，所述凹槽还具有两个相互平行的第二侧壁，所述第二侧壁与所述基底垂直；所述凹槽的第二侧壁与待减薄样品之间存在第二距离；
[0020]上述方案中，所述利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理，包括：
[0021]利用聚焦离子束，对所述待减薄样品的与所述第二侧壁相对的两侧面进行减薄处理。
[0022]本申请实施例提供了一种组合样品，包括：样品承载部和待减薄样品；其中，
[0023]所述样品承载部包括垂直的基底和至少一个格栅；所述格栅中设置有凹槽，所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；
[0024]所述待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角。
[0025]上述方案中，所述第一预设角度的范围为10
°
至20
°
。
[0026]上述方案中，所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈第二预设角；所述第二预设角与所述第一预设角之和为90
°
。
[0027]上述方案中，所述格栅包括立柱部分以及圆头部分；所述立柱部分与所述基底垂直；所述凹槽设置在所述圆头部分中。
[0028]本申请实施例提供了一种组合样品及其制备方法，所述方法包括：将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。本申请实施例中通过先将样品承载部的基底与载物台表面呈水平设置，在格栅中形成凹槽，再将待减薄样品粘贴于凹槽的第一侧壁上，操作步骤少且简单，同时避免了在待减薄样品粘贴后对样品承载部进行三维空间内的翻转。本领域技术人员可以理解的是，由于三维空间内的翻转涉及多个方向的转动，执行三维空间内的翻转时，需要操作人员根据实际情况的人为的给机台输入控制指令，而这个过程中可能由于操作人员方向判断错误或者是手误使得存在对机台输入错误控制指令的情况，从而使得机台报错。而一旦机台报错，需要技术人员对机台进行修复动作后才能继续进行正常工作，这样使得样品制备时间大大增长。基于此，本申请实施例提供的组合样品的制备方法可以使得样品制备时间短，能够用于更高效的制备减薄样品。
附图说明
[0029]图1为待减薄样品的放大结构示意图；
[0030]图2为本申请实施例提供的一种组合样品的制备方法的实现流程示意图；
[0031]图3a为本申请实施例中样品承载部的电镜俯视示意图；
[0032]图3b为本申请实施例中样品承载部的电镜主视示意图；
[0033]图3c为本申请实施例提供的样品承载部的主视结构示意图；
[0034]图4a
‑
图4d为本申请实施例的组合样品的的制备方法的实现过程示意图；
[0035]图5a为本申请实施例提供的格栅旋转前后第一侧壁的主视示意图；
[0036]图5b为本申请实施例提供的待减薄样品的粘贴面与格栅旋转后的第一侧壁的主视示意图。
具体实施方式
[0037]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0038]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合样品的制备方法，其特征在于，包括：将样品承载部放置于承载台上；所述样品承载部包括基底和至少一个格栅，所述栅格位于所述基底背离所述承载台的一侧；在所述格栅中形成凹槽；所述凹槽具有第一侧壁，所述第一侧壁与所述基底垂直；将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，得到组合样品；所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈第一预设角度，所述第一预设角度为锐角；利用聚焦离子束，对所述待减薄样品进行减薄处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上之前，所述方法还包括：以所述第一侧壁内任意平行于所述基底的直线为转轴，将所述样品承载部围绕所述转轴旋转第二预设角度；所述将待减薄样品粘贴于所述凹槽的第一侧壁上，包括：将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈第二预设角进行粘贴，以使所述待减薄样品的粘贴面与所述基底呈所述第一预设角度；所述第二预设角与所述第一预设角之和为90
°
。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在将所述待减薄样品的粘贴面与所述第一侧壁呈所述第二预设角进行粘贴时，通过胶填充所述待减薄样品与所述第一侧壁之间的缝隙。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设角度的范围为10
°
至20
°
。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的底面与所述待减薄样品之...

【专利技术属性】
技术研发人员：董旭林，郭伟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：