一种超高比容电极箔及其制备方法技术

本发明专利技术为一种超高比容电极箔及其制备方法。一种超高比容电极箔的制备方法，包括：(1)制备烧结箔；(2)发孔：将所述的烧结箔依次进行钝化处理、水洗、一次发孔、水洗、钝化处理、水洗、二次发孔、水洗、钝化处理、水洗、三次发孔、水洗、后处理、水洗、烘干处理，得发孔后的烧结箔；(3)化成处理。本发明专利技术所述的一种超高比容电极箔及其制备方法，在烧结箔基础上进行铝球表面发孔形成的结构特征，可使铝球表面积大幅度增加，从而可获得超高静电容量。从而可获得超高静电容量。从而可获得超高静电容量。

【技术实现步骤摘要】
一种超高比容电极箔及其制备方法


[0001]本专利技术属于电极箔
，具体涉及一种超高比容电极箔及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于终端产品例如白色家电、汽车电子、供电电源等，对铝电解电容器的体积要求小型化、轻量化，所以电极箔只有持续提升静电容量，才能满足终端产品的需求，从而改善用户体验。
[0003]传统酸腐蚀的方法制备电极箔，在容量提升技术上已经达到天花板，提升空间小。近期发展的为烧结方式制备电极箔。日本东洋铝业株式会社研发出了一种通过烧结法制备电极箔的工艺，该工艺生产的箔片，静电比容得到了提升。但是，该方法近几年的发展主要在提升箔片柔韧性，以及降低箔片漏电流方面。在静电比容的进一步提升上，并没有实质性进展；并且为了延长烧结箔片的使用寿命，还牺牲了部分静电容量。因此目前生产的烧结箔静电容量仅相比于传统箔仅高出10％左右。
[0004]现有技术中有铝电解电容器用电极材料的制造方法及铝电解电容器用电极材料，将烧结得到的箔片，进一步使用腐蚀液进行腐蚀扩大空隙。使之前烧结造成的空隙损失，通过溶解铝方法增大，提升静电容量。但是，该技术使用腐蚀液对烧结箔直接进行腐蚀，容易造成球体连接的烧结颈腐蚀严重，出现掉粉现象，导致容量损失。且该方法对工艺控制要求高。
[0005]现有技术中有铝电解电容器用电极材料的制造方法，将烧结前使用的铝粉或者铝合金的至少一种粉末实施蚀刻处理；后经涂覆烧结得到的箔片；扩大空隙，提升静电容量。该技术通过蚀刻预处理铝粉或者铝合金粉提高铝粉表面积，但是此法存在铝粉烘干困难，影响烧结效果的现象。
[0006]有鉴于此，本专利技术提出一种新的超高比容电极箔及其制备方法。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种超高比容电极箔的制备方法，可在烧结箔基础上，大幅度提升静电比容。
[0008]为了实现上述目的，所采用的技术方案为：
[0009]一种超高比容电极箔的制备方法，包括以下步骤：
[0010](1)制备烧结箔；
[0011](2)发孔：将所述的烧结箔依次进行钝化处理、水洗、一次发孔、水洗、钝化处理、水洗、二次发孔、水洗、钝化处理、水洗、三次发孔、水洗、后处理、水洗、烘干处理，得发孔后的烧结箔；
[0012](3)化成处理。
[0013]进一步地，所述的步骤(1)制备烧结箔的具体操作为：
[0014]将分散剂、粘结剂和铝粉混合均匀后，得浆料；
[0015]涂覆：将所述的浆料涂覆到10
‑
60μm厚度的基材箔正面，在空气气氛下，依次在50、100、150、200、250、300℃得温度下进行烘干，每次处理2min；再将所述的浆料涂覆到基材箔背面，在空气气氛下，依次在50、100、150、200、250、300℃进行烘干，每次处理2min，得烘干箔；
[0016]烧结：将所述的烘干箔进行脱脂处理、烧结处理，得烧结箔。
[0017]再进一步地，所述的铝粉、分散剂、粘结剂的质量比为40
‑
60:34
‑
60:0
‑
6；
[0018]所述的烘干箔的单面膜层为10
‑
60μm；
[0019]所述的烧结为：将所述的烘干箔，在真空、300
‑
400℃条件下，脱脂处理1
‑
2h；再在真空、560
‑
650℃下，烧结1
‑
12h。
[0020]再进一步地，所述的将分散剂、粘结剂和铝粉混合后，在1000
‑
2000r/min的转速下，均质不超过1h，得均匀的浆料。
[0021]再进一步地，所述的分散剂为乙醇、松油醇、丙酮、甲苯、邻苯二甲酸二丁酯、柠檬酸三丁酯、二乙二醇丁醚、扩散泵油中的至少一种；
[0022]所述的粘结剂为乙基纤维素、甲基纤维素、丙烯酸树脂、环氧树脂中的至少一种；
[0023]所述的铝粉平均粒径D
50
为1
‑
6μm，纯度大于99.9％。
[0024]进一步地，所述的步骤(2)中，钝化处理为：在60℃
±
1℃、1
±
0.3mol/L的磷酸溶液中，浸泡处理0.5
‑
1.5min；
[0025]所述的一次发孔、二次发孔和三次发孔为：在67
‑
72℃的腐蚀液中进行加电处理，时间不超过3s；
[0026]所述的后处理为：在70℃
±
1℃、1
±
0.3mol/L的硝酸溶液中，浸泡处理0.5
‑
1.5min。
[0027]再进一步地，所述的腐蚀液中含有0.5
‑
1.5mol/L的盐酸和2
‑
4mol/L硫酸。
[0028]再进一步地，所述的加电处理中起始电流密度为1
‑
4A/cm2,终止电流密度为0.5
‑
3A/cm2。
[0029]再进一步地，所述的加电处理中加载电流为两点构成的直线。
[0030]本专利技术的另一个目的在于提供一种超高比容电极箔，采用上述的制备方法制备而成，具有超高比容的优点。
[0031]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0032]本专利技术所述的一种超高比容电极箔及其制备方法，思路是在烧结箔基础上，继续增大表面积，拓宽了电极箔行业的发展方向。具体的：(1)通过在烧结箔的铝球上做发孔处理(如图2所示)，可使铝球表面积大幅度增加，从而可获得超高静电容量。(2)通过控制铝粉的粒径，以及铝球发孔工艺，可制备不同电压规格的高容量电极箔产品。
附图说明
[0033]图1为加载电流的示意图；
[0034]图2为烧结箔发孔处理后结构示意图。
具体实施方式
[0035]为了进一步阐述本专利技术一种超高比容电极箔及其制备方法，达到预期专利技术目的，
以下结合较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种超高比容电极箔及其制备方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构或特点可由任何合适形式组合。
[0036]下面将结合具体的实施例，对本专利技术一种超高比容电极箔及其制备方法做进一步的详细介绍：
[0037]传统酸腐蚀的方法制备电极箔，在容量提升技术上已经达到天花板，提升空间小。近期发展的烧结方式制备电极箔，可以在一定程度上增大电极箔静电比容，但是获得超高比容，例如达到传统电极箔的1.5
‑
2倍的水平仍有难度。本专利技术的技术方案是一种在烧结箔基础上，大幅度提升静电比容的方法。本专利技术的技术方案为：
[0038]一种超高比容电极箔的制备方法，包括以下步骤：
[0039](1)制备烧结箔；
[0040](2)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高比容电极箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备烧结箔；(2)发孔：将所述的烧结箔依次进行钝化处理、水洗、一次发孔、水洗、钝化处理、水洗、二次发孔、水洗、钝化处理、水洗、三次发孔、水洗、后处理、水洗、烘干处理，得发孔后的烧结箔；(3)化成处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤(1)制备烧结箔的具体操作为：将分散剂、粘结剂和铝粉混合均匀后，得浆料；涂覆：将所述的浆料涂覆到10
‑
60μm厚度的基材箔正面，在空气气氛下，依次在50、100、150、200、250、300℃得温度下进行烘干，每次处理2min；再将所述的浆料涂覆到基材箔背面，在空气气氛下，依次在50、100、150、200、250、300℃进行烘干，每次处理2min，得烘干箔；烧结：将所述的烘干箔进行脱脂处理、烧结处理，得烧结箔。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的铝粉、分散剂、粘结剂的质量比为40
‑
60:34
‑
60:0
‑
6；所述的烘干箔的单面膜层为10
‑
60μm；所述的烧结为：将所述的烘干箔，在真空、300
‑
400℃条件下，脱脂处理1
‑
2h；再在真空、560
‑
650℃下，烧结1
‑
12h。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的将分散剂、粘结剂和铝粉混合后，在1000
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2000r/min的转速下，均质不超过1h，得均匀的浆料。5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：游彭飞，陆伟，陈锁斌，冉杰，罗湘平，
申请(专利权)人：新疆众和股份有限公司，
类型：发明
国别省市：