等离子体显示设备制造技术

在具有减小的放电电流引起的电压波动和扩大的驱动裕度，并且在防止显示特性退化方面成功的等离子体显示设备中，用于将驱动电压供给到代表显示单元的电容的Ｙ电极驱动电路和Ｘ电极驱动电路使用并联电路来构造，具有高速开关性能的第一开关元件和具有低饱和电压性能的第二开关元件并联于其中，使得具有低饱和电压性能的第二开关元件至少在放电电流在其间流动的周期中导通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示设备。
技术介绍
在常规等离子体显示设备中，功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已经成为它们的保持电路的最普通输出元件。与此相反，等离子体显示设备的近来保持电路的一些逐步转入IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的使用，其具有作为功率MOSFET优点的输入特性，以及作为具有缩短的关断时间的双极型晶体管优点的低饱和电压特性(例如，参看专利文献1(日本专利申请公开2000-330514号))。另一个提议关于用于驱动等离子体显示器的并入IGBT的驱动器集成电路而提出，其中功率MOSFET和IGBT以推拉输出电路连接的形式而连接(例如，参看专利文献2(日本专利申请公开Hei 8-46053号))。IGBT，其特征在于正如双极型晶体管一样的其传导性修改效应，可以将饱和电压降低到电源以下。因此，IGBT可以通过关断时间的减少来实现作为等离子体显示设备的保持电路的输出器件的基本操作。与常规的IGBT相比较，当前商品化的IGBT关断时间确实减少，但是仍然次于功率MOSFET，因为它们在导通时间和关断时间方面都较长，从而在开关损耗方面不利。考虑到上面的情况，一个提议已经关于空调器的反相器而提出，其包括当施加有第一驱动电压时达到导电状态的功率MOSFET，和当施加有与第一驱动电压具有不同电平的第二驱动电压时达到导电状态的IGBT，其中功率MOSFET和IGBT关于供给到负载的电流并联(例如，参看专利文献3(日本专利申请公开2002-16486号))。在上述空调器的反相器中，当待供给到负载的电流相对小时，仅驱动功率MOSFET的第一驱动电压施加到栅电极，而当待供给到负载的电流相对大时，主要驱动IGBT并且比第一驱动电压大的第二驱动电压施加到栅电极。在专利文献3中公开的技术中，在空调器等的反相器的大电流驱动(起动)过程中，功率MOSFET和IGBT都被驱动。而在空调器等的反相器的小电流驱动(平稳驱动)过程中，IGBT关断，而仅功率MOSFET被驱动，以便减少平稳驱动过程中的功率损耗。在专利文献3中公开的、应用于等离子体显示设备的电路在平稳驱动过程中操作，以便关断IGBT而仅激活功率MOSFET，所以它可以保证仅小的驱动裕度，因为受归因于放电电流的电压波动所影响。因此，这可能导致显示特性的退化，其由噪声或闪烁的产生来代表。特别是，具有典型地42英寸或更大屏幕尺寸的等离子体显示设备易于遭受可归因于放电电流的大的电压波动，从而高度地引起显示特性的退化。
技术实现思路
本专利技术在考虑上述问题之后而设想，并且其目的在于通过减小可归因于放电电流的电压波动来扩大驱动裕度，以及在于防止等离子体显示设备显示特性的退化。本专利技术的等离子体显示设备包括多个第一电极；与多个第一电极几乎平行排列的多个第二电极，以便与其一起构成显示单元，并且以便激活它们与构成显示单元的第一电极之间的放电；用于将放电电压施加到多个第一电极上的第一电极驱动电路；以及用于将放电电压施加到多个第二电极上的第二电极驱动电路。第一和第二电极驱动电路中至少任何一个包括并联电路，具有高速开关性能的第一开关元件和具有低饱和电压性能的第二开关元件并联于其中。根据本专利技术，当放电电流在第一电极和第二电极之间流动时，与具有高速开关性能的第一开关元件并联的、具有低饱和电压性能的第二开关元件达到导电状态，并且这使得放电电流能够流过第二开关元件，可以成功地减小电压波动。因此，这扩大了等离子体显示设备的驱动裕度并且防止显示特性的退化。另一方面，具有高速开关性能的第一开关元件和具有低饱和电压性能的第二开关元件都能够在保持脉冲的上升或下降时操作，以便将电流主要供给到具有快开关速度的第一开关元件，并且这成功地减少保持脉冲上升或下降时的开关损耗。附图说明图1是根据第一实施方案的等离子体显示设备的典型构造的框图；图2是显示根据第一实施方案的等离子体显示设备的操作波形的波形图；图3是应用有图1中所示构造的等离子体显示设备的典型整体构造的框图；图4A～4C是显示图3中所示的等离子体显示设备的显示单元的图；图5是显示图3中所示的等离子体显示设备的操作波形的波形图；图6是根据第二实施方案的等离子体显示设备的典型构造的电路图；图7是显示根据第二实施方案的等离子体显示设备的操作波形的波形图；图8是根据第三实施方案的等离子体显示设备的典型构造的电路图；图9是根据第四实施方案的等离子体显示设备的典型构造的电路图；以及图10是根据第五实施方案的等离子体显示设备的典型构造的电路图；具体实施方式接下来的段落将参考附加附图具体地描述本专利技术的优选实施方案。(第一实施方案)图1是根据本专利技术第一实施方案的等离子体显示设备的典型构造的框图。图1显示等离子体显示设备的Y电极驱动电路和X电极驱动电路。在图1中，Cp代表电容负载，其用符号表示包括等离子体显示板的X电极和Y电极的显示单元。将驱动电压供给到电容负载Cp一端的Y电极驱动电路101具有复位电路102，Y保持电路104和扫描电路105。将驱动电压供给到电容负载Cp另一端的X电极驱动电路具有X保持电路111。复位电路102依赖于从复位信号端子Iw接收的控制信号输出从复位电压端子Vw供给的复位电压。Y保持电路104包括前置驱动电路P1～P4和开关元件Q1～Q4。Y保持电路104供给有从源电压端子Vs通过二极管103供给的源电压。二极管103被提供，以便防止当复位电压从复位电路102供给时电流的回流。第一到第四前置驱动电路P1～P4是用于放大从第一到第四控制信号端子I1～I4接收的控制信号的放大电路。第一到第四开关元件Q1～Q4响应从第一到第四前置驱动电路P1～P4输出的控制信号(栅电压)VG1～VG4导通或关断(开或关)。第一到第四开关元件Q1～Q4将随后详述。扫描电路105供给有从Y保持电路104输出的驱动电压Yo，并且依赖于从扫描信号端子Isc接收的控制信号将电压供给到电容负载Cp的一端。第一和第二开关元件Q1，Q2是具有高速开关性能(由短的导通时间和短的关断时间所代表的短的开关时间)的开关元件。另一方面，第三和第四开关元件Q3，Q4是具有低饱和电压性能，也就是具有低于电源的开关元件输入和输出之间的小的电势差的开关元件。图1显示典型情况，其中第一和第二开关元件Q1，Q2配置成N通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，而第三和第四开关元件Q3，Q4配置成IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。第i个(i是1～4的整数)开关元件Qi的栅极或基极连接到第i个前置驱动电路Pi的输出侧。第一开关元件Q1的漏极和第三开关元件Q3的集电极共同地连接到二极管103的阴极，并且复位电路102的输出端子连接到互连点。第二开关元件Q2的源极和第四开关元件Q4的发射极连接到接地端子。第一开关元件Q1的源极，第二开关元件Q2的漏极，第三开关元件Q3的发射极和第四开关元件Q4的集电极共同地连接到扫描电路105的输入端子(信号线Yo)。第一和第三开关元件Q1，Q3在这里构成用于供给随后所述的保持脉冲的高电平电压的高压侧(较高电势侧)开关电路106，而第二和第四开关元件Q2，Q4构成用于供给保持脉冲的低电平电压的低压侧(较低电势侧)开关电路107。换句话说，本实施方案中的高压侧开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示设备，包括：多个第一电极；与所述多个第一电极近乎平行排列的多个第二电极，以便与它们一起构成显示单元，并且以便在构成所述显示单元的它们自身与所述第一电极之间激活放电；用于将放电电压施加到所述多个第一电极 的第一电极驱动电路；以及　用于将放电电压施加到所述多个第二电极的第二电极驱动电路；其中所述第一和第二电极驱动电路中至少任何一个包括并联电路，具有高速开关性能的第一开关元件和具有低饱和电压性能的第二开关元件并联于其中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小野泽诚，黄木英明，镰田雅树，椎崎贵史，
申请(专利权)人：富士通日立等离子显示器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]