本发明专利技术的超声波检查装置(1)是以封装化了的半导体器件(D)为检查对象的超声波检查装置，其具备：超声波振子(2)，其与半导体器件(D)相对地配置；脉冲产生器(4)，其产生自超声波振子(2)输出的超声波(W)的产生所使用的驱动信号；及解析部(22)，其解析与由超声波振子(2)输出的超声波(W)的照射相应地自所述半导体器件输出的输出信号；且脉冲产生器(4)以超声波(W)在半导体器件(D)内的吸收成为最大的方式设定驱动信号的最佳频率。驱动信号的最佳频率。驱动信号的最佳频率。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】超声波检查装置及超声波检查方法
[0001]本专利技术涉及一种超声波检查装置及超声波检查方法。
技术介绍
[0002]作为现有的超声波检查装置，存在例如专利文献1所记载的使用超声波加热的半导体集成电路配线系统的检查装置。在该现有的超声波检查装置中，对作为被检查体的半导体集成电路，一边自恒压源供给电力一边照射超声波。而且，通过与超声波的照射相应地检测在接地配线中流动的电流的变化，而产生半导体集成电路的电流图像或缺陷图像。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平8
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320359号公报
[0006]专利文献2：日本特开2018
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72284号公报
[0007]专利文献3：日本特开2018
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72285号公报
[0008]非专利文献
[0009]非专利文献1：松元彻、穗积直裕，《由超声波刺激所致的封装内配线的电流变动观察》，第36届NANO测试技术研讨会(NANOTS2016)，2016年11月9
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11日，p.235
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238
技术实现思路
[0010]专利技术想要解决的问题
[0011]在上述的现有的超声波检查装置中，自封装取出的半导体芯片成为检查对象。然而，当考虑自封装取出半导体芯片的作业的必要性、或在取出半导体芯片时电路的特性变化的可能性等时，优选在封装化了的状态不变下检查半导体器件。在检测封装化了的半导体器件的情况下，存在无法自外部视觉辨认作为观察点的半导体芯片的问题。
[0012]作为检查半导体器件内的半导体芯片的技术，存在例如非专利文献1所记载的半导体器件的故障解析技术。另外，作为使超声波的焦点对准半导体器件内的半导体芯片的技术，存在例如专利文献2、3所记载的超声波检查装置。基于进一步提高检查精度的观点，需要用于充分提高与超声波的照射相应地自半导体器件输出的输出信号的强度的方案。
[0013]本专利技术是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种可充分提高与超声波的照射相应地自半导体器件输出的输出信号的强度的超声波检查装置及超声波检查方法。
[0014]用于解决问题的技术手段
[0015]本专利技术的一个方式的超声波检查装置是以封装化了的半导体器件为检查对象的超声波检查装置，其具备：超声波振子，其与半导体器件相对地配置；信号产生部，其产生自超声波振子输出的超声波的产生所使用的驱动信号；及解析部，其解析与由超声波振子输出的超声波的入射相应地自半导体器件输出的输出信号，信号产生部以超声波在半导体器件内的吸收成为最大的方式设定驱动信号的最佳频率。
[0016]在该超声波检查装置中，以超声波在半导体器件内的吸收成为最大的方式设定驱
动信号的最佳频率。通过将驱动信号设为最佳频率，而可在半导体器件内充分地产生超声波的共振。因此，超声波的聚束强度提高，且在超声波的照射位置处半导体器件的温度上升，而可充分地提高与超声波的照射相应地自半导体器件输出的输出信号的强度。通过提高输出信号的强度，从而谋求提高检查精度。
[0017]信号产生部可基于对在半导体器件的表面反射的超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的反射频谱，设定驱动信号的最佳频率。根据此方法，可以不在广范围内扫描取得自半导体器件输出的输出信号时的超声波的频率，而预先高精度地导出驱动信号的最佳频率。
[0018]信号产生部可基于对自超声波振子输出的超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的出射频谱与反射频谱的比，设定驱动信号的最佳频率。该情况下，可预先进一步高精度地导出驱动信号的最佳频率。
[0019]信号产生部可将在扫描范围内自半导体器件输出的输出信号的强度变得最高的频率设定为驱动信号的最佳频率。该情况下，可使用简单的处理导出驱动信号的最佳频率。
[0020]信号产生部可基于表示半导体器件的被检查区域的每个位置的最佳频率的映射信息产生驱动信号。该情况下，即便半导体器件的被检查区域的构造(树脂厚度或材质等)根据位置而产生不均匀，也可以始终使用最佳的频率的驱动信号进行输出信号的解析。
[0021]解析部可通过在半导体器件的被检查区域对输出信号的解析结果进行映射而产生解析图像。由此，可基于解析图像容易地掌握半导体器件的检查结果。
[0022]信号产生部在包含最佳频率的一定的范围内产生多个频率的驱动信号，解析部可选择基于多个频率的驱动信号而产生的多个解析图像中的SN比最高的解析图像并进行外部输出。该情况下，即便半导体器件的被检查区域的构造(树脂厚度或材质等)根据位置而产生不均匀，也可以基于灵敏度较高的解析图像高精度地实施半导体器件的检查。
[0023]本专利技术的一个方式的超声波检查方法是以封装化了的半导体器件为检查对象的超声波检查方法，其具备：照射步骤，其向半导体器件自超声波振子照射超声波；及解析步骤，其解析与来自超声波振子的超声波的照射相应地自半导体器件输出的输出信号，在照射步骤中，以超声波在半导体器件内的吸收成为最大的方式设定驱动超声波振子的驱动信号的最佳频率。
[0024]在该超声波检查方法中，以超声波在半导体器件内的吸收成为最大的方式设定驱动信号的最佳频率。通过将驱动信号设为最佳频率，而可在半导体器件内充分地产生超声波的共振。因此，超声波的聚束强度提高，且在超声波的照射位置处半导体器件的温度上升，而可充分地提高与超声波的照射相应地自半导体器件输出的输出信号的强度。通过提高输出信号的强度，从而谋求提高检查精度。
[0025]在照射步骤中，可基于对在半导体器件的表面反射的超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的反射频谱，设定驱动信号的最佳频率。根据此方法，可以不在广范围内扫描取得自半导体器件输出的输出信号时的超声波的频率，而预先高精度地导出驱动信号的最佳频率。
[0026]在照射步骤中，可基于对自超声波振子输出的超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的出射频谱与反射频谱的比设定驱动信号的最佳频率。该情况下，可预先进一步高精度地导出驱动信号的最佳频率。
[0027]在照射步骤中，可扫描驱动信号的频率，将在扫描范围内自半导体器件输出的输出信号的强度变得最高的频率设定为驱动信号的最佳频率。该情况下，可使用简单的处理导出驱动信号的最佳频率。
[0028]在照射步骤中，可基于表示半导体器件的被检查区域的每个位置的最佳频率的映射信息产生驱动信号。该情况下，即便半导体器件的被检查区域的构造(树脂厚度或材质等)根据位置而产生不均匀，也可以始终使用最佳的频率的驱动信号进行输出信号的解析。
[0029]在解析步骤中，可通过在半导体器件的被检查区域对输出信号的解析结果进行映射而产生解析图像。由此，可基于解析图像容易地掌握半导体器件的检查结果。
[0030]在照射步骤中，在包含最佳频率的一定的范围内产生多个频率的驱动信号，在解析步骤中，可选择基于多个频率的驱动信号而产生的多本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种超声波检查装置，其特征在于，是以封装化了的半导体器件为检查对象的超声波检查装置，具备：超声波振子，其与所述半导体器件相对地配置；信号产生部，其产生用于自所述超声波振子输出的超声波的产生的驱动信号；及解析部，其对与由所述超声波振子所致的所述超声波的照射相应地自所述半导体器件输出的输出信号进行解析，所述信号产生部以在所述半导体器件内的所述超声波的吸收成为最大的方式设定所述驱动信号的最佳频率。2.根据权利要求1所述的超声波检查装置，其特征在于，所述信号产生部基于对在所述半导体器件的表面反射的所述超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的反射频谱，设定所述驱动信号的最佳频率。3.根据权利要求2所述的超声波检查装置，其特征在于，所述信号产生部基于对自所述超声波振子输出的所述超声波的强度时间波形进行傅立叶变换而获得的出射频谱与所述反射频谱的比，设定所述驱动信号的最佳频率。4.根据权利要求1～3中任一项所述的超声波检查装置，其特征在于，所述信号产生部扫描所述驱动信号的频率，将在扫描范围内自所述半导体器件输出的所述输出信号的强度变得最高的频率设定为所述驱动信号的最佳频率。5.根据权利要求1～4中任一项所述的超声波检查装置，其特征在于，所述信号产生部基于表示所述半导体器件的被检查区域的每个位置的最佳频率的映射信息，产生所述驱动信号。6.根据权利要求1～5中任一项所述的超声波检查装置，其特征在于，所述解析部通过在所述半导体器件的被检查区域对所述输出信号的解析结果进行映射来产生解析图像。7.根据权利要求6所述的超声波检查装置，其特征在于，所述信号产生部在包含所述最佳频率的一定的范围内产生多个频率的驱动信号，所述解析部选择基于所述多个频率的驱动信号而产生的多个解析图像中的SN比最高的解析图像并进行外部输出。8.一种超声波检查方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：穗积直裕，松井拓人，松本彻，江浦茂，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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