蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法技术

提供能够提高蒙版膜的品质的蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法。蒙版中间体具备：Si基板；形成于Si基板的表面的Si氧化膜；形成于Si氧化膜的表面的Si层。Si层包含低COP部，该低COP部是随着接近Si层的表面而COP(Crystal Originated Particle)数减少的部分，且在构成Si层的表面的部分形成。且在构成Si层的表面的部分形成。且在构成Si层的表面的部分形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法


[0001]本专利技术涉及蒙版(pellicle)中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法，更特定地说，涉及能够提高蒙版膜的品质的蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺所使用的光刻技术中，对半导体晶圆涂布抗蚀剂，对于所涂布的抗蚀剂的必要的部位，使用光掩模来照射曝光光，由此在半导体晶圆上制作必要的形状的抗蚀剂图案。
[0003]在半导体器件的制造工艺中，伴随半导体器件的微细化，对光刻技术的微细化的要求提高。近年来，作为曝光光，研究使用与以往的以KrF(氟化氪)准分子激光为光源的光(波长：248nm)、以ArF(氟化氩)准分子激光为光源的光(波长：193nm)等相比波长较短的EUV(Extreme Ultra Violet)光(波长：13.5nm)等。
[0004]在光刻技术中，在对抗蚀剂照射曝光光时，利用称作蒙版的防尘用的罩来覆盖光掩模，由此防止异物向光掩模附着。作为蒙版的蒙版膜，适合采用曝光光的透过性高且对曝光光的耐性高(高温时的变质、变形少)的材料。作为蒙版膜，到ArF这代为止使用有机系薄膜。然而，在EUV这代时，作为具有更高的透过率及耐性的材料，研究使用由Si(硅)、SiN(氮化硅)、C(石墨、石墨烯、DLC(类金刚石碳)、或无定形碳等)、或SiC(碳化硅)等构成的蒙版膜。
[0005]作为包含由Si构成的蒙版膜在内的蒙版的制造方法所相关的技术，下述专利文献1中公开了如下蒙版的制造方法：对SOI(Silicon On Insulator)基板粘接由Si结晶膜构成的环状的蒙版框架，将SOI基板的Si膜及Si氧化膜去除，由此制造由Si构成的蒙版膜。
[0006]光的能量与波长的长度成反比例地变大，因此当曝光光的波长短时，蒙版膜从曝光光受到的能量变大。因此，伴随曝光光的短波长化而要求蒙版膜对曝光光具有更高的耐性，作为这样的蒙版膜的材料，适宜采用与Si相比热稳定及化学稳定的SiC。
[0007]作为包含由SiC构成的蒙版膜在内的蒙版的制造方法所相关的技术，在下述专利文献2中公开了如下制造方法：在硅晶圆上通过LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法而成膜得到多晶SiC膜，通过CMP(Chemical Mechanical Polishing)法将多晶SiC膜研磨到150nm的厚度，并使用KOH(氢氧化钾)水溶液来对硅晶圆进行湿蚀刻。
[0008]在下述专利文献2的技术中，存在在对硅晶圆进行湿蚀刻时蒙版膜容易破损这样的问题。在下述专利文献3中公开了能够解决该问题的技术。在下述专利文献3中公开了如下制造方法：将SOI基板作为基底而形成由SiC构成的蒙版膜，将SOI基板的中央部去除，由此使蒙版膜的背面在凹部的底部露出。根据下述专利文献3的技术，通过在Si基板与蒙版膜之间存在Si氧化膜，能够缓解蒙版膜内部的拉伸应力，能够抑制制造时的蒙版膜的破损。
[0009]在先技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1：日本特开2009
‑
116284号公报
[0012]专利文献2：国际公开第2014/188710号小册子
[0013]专利文献3：日本特开2018
‑
115094号公报

技术实现思路

[0014]专利技术要解决的课题
[0015]在专利文献2及3的技术中，存在蒙版膜的品质低这样的问题。
[0016]本专利技术是用于解决上述课题的专利技术，其目的在于，提供能够提高蒙版膜的品质的蒙版中间体、蒙版、蒙版中间体的制造方法及蒙版的制造方法。
[0017]用于解决课题的方案
[0018]按照本专利技术的一方面的蒙版中间体具备：Si基板；Si氧化膜，其形成于Si基板的表面；Si层，其形成于Si氧化膜的表面，Si层包含低COP部，该低COP部是随着接近Si层的表面而COP(Crystal Originated Particle)数减少的部分，且在构成Si层的表面的部分的形成。
[0019]按照本专利技术的另一方面的蒙版具备：Si基板，其具有环状的平面形状；Si氧化膜，其具有环状的平面形状，且形成于Si基板的表面；Si层，其具有环状的平面形状，且形成于Si氧化膜的表面；以及SiC膜，其形成于Si层的表面，Si层包含低COP部，该低COP部是随着接近Si层的表面而COP数减少的部分，且在构成Si层的表面的部分的形成。
[0020]按照本专利技术的又一方面的蒙版中间体的制造方法具备：准备Si层的工序，其中，该Si层包含低COP部，该低COP部是随着接近表面而COP数减少的部分，且在构成表面的部分形成；准备第一氧化膜基板的工序，其中，该第一氧化膜基板包含第一Si基板和在第一Si基板的表面形成的第一Si氧化膜；准备第二氧化膜基板的工序，其中，该第二氧化膜基板包含第二Si基板和在第二Si基板的表面形成的第二Si氧化膜；向Si层的表面接合第一Si氧化膜的工序；在接合第一Si氧化膜的工序之后，去除构成Si层的背面的部分的工序；在去除构成Si层的背面的部分的工序之后，向Si层的背面接合第二Si氧化膜的工序；在接合第二Si氧化膜的工序之后，在Si的蚀刻速度比Si氧化物的蚀刻速度快的条件下，对第一Si基板进行湿蚀刻，由此使第一Si氧化膜露出的工序；以及在使第一Si氧化膜露出的工序之后，去除第一Si氧化膜，由此使Si层的表面露出的工序。
[0021]在上述制造方法中，优选的是，在准备第一氧化膜基板的工序中，准备包含第一Si基板和在第一Si基板的表面及背面形成的第一Si氧化膜在内的第一氧化膜基板，在接合第一Si氧化膜的工序之后，还具备通过去除第一Si氧化膜中的在第一Si基板的背面形成的部分来使第一Si基板的背面露出的工序。
[0022]在上述制造方法中，优选的是，在准备第二氧化膜基板的工序中，准备包含第二Si基板和在第二Si基板的表面及背面形成的第二Si氧化膜在内的第二氧化膜基板，在接合第二Si氧化膜的工序之后，还具备通过去除第二Si氧化膜中的在第二Si基板的背面形成的部分来使第二Si基板的背面露出的工序。
[0023]按照本专利技术的又一方面的蒙版的制造方法具备：使用上述制造方法来制造蒙版中间体的工序；在Si层的表面形成SiC膜的工序；在Si的蚀刻速度比Si氧化物的蚀刻速度快的条件下，对第二Si基板进行湿蚀刻，由此在第二Si基板形成凹部，使第二Si氧化膜在凹部的
底部露出的工序；以及对存在于凹部的底部的第二Si氧化膜及Si层进行湿蚀刻，由此使SiC膜在凹部的底部露出的工序。
[0024]在上述制造方法中，优选的是，在制造蒙版膜中间体的工序之后且使第二Si氧化膜露出的工序之前，还具备通过对第二Si基板进行机械磨削来在第二Si基板形成凹部的工序，在使第二Si氧化膜露出的工序中，对存在于凹部的底部的第二Si基板进行湿蚀刻，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蒙版中间体，其中，所述蒙版中间体具备：Si基板；Si氧化膜，其形成于所述Si基板的表面；以及Si层，其形成于所述Si氧化膜的表面，所述Si层包含低COP部即低晶体原生颗粒部，该低COP部是随着接近所述Si层的表面而COP数减少的部分，且在构成所述Si层的表面的部分形成。2.一种蒙版，其中，所述蒙版具备：Si基板，其具有环状的平面形状；Si氧化膜，其具有环状的平面形状，且形成于所述Si基板的表面；Si层，其具有环状的平面形状，且形成于所述Si氧化膜的表面；以及SiC膜，其形成于所述Si层的表面，所述Si层包含低COP部即低晶体原生颗粒部，该低COP部是随着接近所述Si层的表面而COP数减少的部分，且在构成所述Si层的表面的部分形成。3.一种蒙版中间体的制造方法，其中，所述蒙版中间体的制造方法具备：准备Si层的工序，其中，该Si层包含低COP部即低晶体原生颗粒部，该低COP部是随着接近表面而COP数减少的部分，且在构成表面的部分的形成；准备第一氧化膜基板的工序，其中，该第一氧化膜基板包含第一Si基板和在所述第一Si基板的表面形成的第一Si氧化膜；准备第二氧化膜基板的工序，其中，该第二氧化膜基板包含第二Si基板和在所述第二Si基板的表面形成的第二Si氧化膜；向所述Si层的表面接合所述第一Si氧化膜的工序；在接合所述第一Si氧化膜的工序之后，去除构成所述Si层的背面的部分的工序；在去除构成所述Si层的背面的部分的工序之后，向所述Si层的背面接合所述第二Si氧化膜的工序；在接合所述第二Si氧化膜的工序之后，在Si的蚀刻速度比Si氧化物的蚀刻速度快的条件下，对所述第一Si基板进行湿蚀刻，由此使所述第一Si氧化膜露出的工序；以及在使所述第一Si氧化膜露出的工序之后，去除所述第一Si氧化膜，由此使所述Si层的表面露出的工序。4.根据权利要求3所述的蒙版中间体的制造方法，其中，在准备所述第一氧化膜基板的工序中，准备包含所述第一Si基板和在所述第一Si基板的表面及背面...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥秀彦，三原慧，秀一郎，
申请(专利权)人：爱沃特株式会社，
类型：发明
国别省市：