有机金属卤化物化合物以及各自包括其的光学构件、发光装置和设备制造方法及图纸

提供了由式1表示且具有零维非钙钛矿结构的有机金属卤化物化合物，以及各自包括该有机金属卤化物化合物的发光装置、光学构件和设备。该发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层包括该有机金属卤化物化合物。物。物。

【技术实现步骤摘要】
有机金属卤化物化合物以及各自包括其的光学构件、发光装置和设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年3月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0038553号的优先权和权益，其全部内容通过引用以此并入。


[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及有机金属卤化物化合物，以及各自包括该有机金属卤化物化合物的光学构件、发光装置和设备。

技术介绍

[0004]发光材料可根据激发机制(比如由光诱导的光致发光(PL)，或由电流诱导的电致发光(EL))分类，或可根据组分的组成(比如有机发光材料(荧光染料和/或OLED磷光材料等)和无机发光材料(量子点和/或钙钛矿纳米晶体等))分类。
[0005]在有机发光材料的情况下，吸光度是卓越的，但是在稳定性和颜色调节方面存在问题。可以通过根据量子约束效应调节颗粒尺寸来以各种颜色实现量子点，但是波长越短，尺寸越小，导致入射光的吸光度减少。
[0006]此外，在钙钛矿纳米晶体是具有钙钛矿(ABX3)晶体结构且具有几至几十纳米的尺寸的细颗粒的情况下，吸光度是卓越的，并且颜色可通过改变原子A、B或X或有机单分子来控制，但是钙钛矿纳米晶体在水分和溶剂安全性方面是脆弱的。
[0007]此外，在钙钛矿纳米晶体的情况下，结构已经实现为在由下述方程1确定的戈德施密特(goldschmidt)容差因子(t)的特定范围内(0.81<t<1.11，0.44<μ<0.90，μ＝rB/rX)，并且存在各种限制。
[0008]方程1
[0009][0010](在方程1中，r
A
、r
B
和r
X
分别是离子在A、B和X的位置处的离子半径。)
[0011]因此，对能够替代相关技术的发光材料的新材料有很高的需求。

技术实现思路

[0012]提供了具有新结构(具有高发光效率但不具有钙钛矿结构)的有机金属化合物，以及包括其的设备。
[0013]实施方式的另外方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开呈现的实施方式来获知。
[0014]根据实施方式的方面，提供了由式1表示且具有零维非钙钛矿结构的有机金属卤化物化合物：
[0015]式1
[0016]A2B1X4。
[0017]在式1中，
[0018]A选自取代的或未取代的含氮5元环的单价阳离子、取代的或未取代的含氮6元环的单价阳离子、(R1R2R3R4N)
+
阳离子、(R1R2B)
+
阳离子、(R1R2R3Si)
+
阳离子、(R1R2R3S)
+
阳离子和(R1R2R3R4P)
+
阳离子，
[0019]R1至R4各自独立地选自氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基和
‑
N(Q1)(Q2)(Q3)，
[0020]取代的含氮5元环的单价阳离子的至少一个取代基和取代的含氮6元环的单价阳离子的至少一个取代基各自独立地选自氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基和
‑
N(Q1)(Q2)(Q3)，
[0021]Q1至Q3各自独立地选自氢、氘、羟基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基和C6‑
C
60
芳基，
[0022]B1为二价无机阳离子，并且
[0023]X为卤化物阴离子。
[0024]根据实施方式的另一方面，提供了包括有机金属卤化物化合物的光学构件。
[0025]根据实施方式的另一方面，提供了包括有机金属卤化物化合物的设备。
[0026]根据实施方式的另一方面，提供了发光装置，其包括：第一电极，
[0027]面向第一电极的第二电极，以及
[0028]在第一电极和第二电极之间的发射层，
[0029]其中发射层包括有机金属卤化物化合物。
附图说明
[0030]从以下结合所附附图的描述中，本公开的某些实施方式的上述和其他方面和特征将变得更显而易见，在附图中：
[0031]图1A和图1B为示出根据实施方式的有机金属卤化物化合物的结构的示意图；
[0032]图2为示出相关技术的钙钛矿纳米晶体结构的示意图；
[0033]图3为根据实施方式的发光装置的结构的示意性截面图；并且
[0034]图4为根据实施方式的发光装置的结构的示意性截面图。
具体实施方式
[0035]现将更详细地参考实施方式，其实例在所附附图中示出，其中相同的附图标记遍及全文指相同的元件。就此而言，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考图仅描述实施方式，以解释本描述的实施方式的方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有的a、b和c，或其变形。
[0036]由于本公开的主题可以经历各种变换，并且可以具有各种实例，因此某些实例将在附图中示出，并且在详细描述中更详细地描述。通过参考下面参考附图更详细描述的实例，将阐明本公开的效果和特征以及实现其的方法。然而，本公开不限于下面公开的实例，并且可以以各种合适的形式实现。
[0037]在下文，将参考所附附图更详细地描述本公开的实施方式。相同或相应的组件将由相同的附图标记表示，并且因此，在此将不再重复其冗余描述。
[0038]将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机金属卤化物化合物，其由式1表示且具有零维非钙钛矿结构：式1A2B1X4其中，在式1中，A选自取代的或未取代的含氮5元环的单价阳离子、取代的或未取代的含氮6元环的单价阳离子、(R1R2R3R4N)
+
阳离子、(R1R2B)
+
阳离子、(R1R2R3Si)
+
阳离子、(R1R2R3S)
+
阳离子和(R1R2R3R4P)
+
阳离子，R1至R4各自独立地选自氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基和
‑
N(Q1)(Q2)(Q3)，所述取代的含氮5元环的所述单价阳离子的至少一个取代基和所述取代的含氮6元环的所述单价阳离子的至少一个取代基各自独立地选自氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基和
‑
N(Q1)(Q2)(Q3)，Q1至Q3各自独立地选自氢、氘、羟基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基和C6‑
C
60
芳基，B1为二价无机阳离子，并且X为卤化物阴离子。2.如权利要求1所述的有机金属卤化物化合物，其中式1中的A和与其相邻的至少一个其他A形成有机基质，并且所述有机金属卤化物化合物具有包括排列在所述有机基质中的B1X4分子的晶体结构。3.如权利要求1所述的有机金属卤化物化合物，其中所述有机金属卤化物化合物具有双楔四面体晶体结构。4.如权利要求1所述的有机金属卤化物化合物，其中所述有机金属卤化物化合物为单晶颗粒的形式。5.如权利要求1所述的有机金属卤化物化合物，其中所述有机金属卤化物化合物的平均颗粒直径为1nm至100nm。6.如权利要求1所述的有机金属卤化物化合物，其中A为(R1R2R3R4N)
+
、取代的或未取代的咪唑鎓、取代的或未取代的吡啶鎓、取代的或未取代的哒嗪鎓、取代的或未取代的嘧啶鎓、取代的或未取代的吡嗪鎓、取代的或未取代的吡唑鎓、取代的或未取代的噻唑鎓、取代的或未取代的噁唑鎓、取代的或未取代的哌啶鎓、取代的或未取代的吡咯烷鎓、取代的或未取代的吡咯啉鎓、取代的或未取代的吡咯鎓、取代的或未取代的三唑鎓或其任何组合，R1至R4各自独立地选自：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；各自被选自以下的至少一个取代的C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I和羟基；苯基、萘基、联苯基和三联苯基；各自被选自以下的至少一个取代的苯基、萘基、联苯基和三联苯基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、C1‑
C
20
烷基和C1‑
C
20
烷氧基；以及
‑
N(Q1)(Q2)(Q3)，所述取代的咪唑鎓、所述取代的吡啶鎓、所述取代的哒嗪鎓、所述取代的嘧啶鎓、所述取代的吡嗪鎓、所述取代的吡唑鎓、所述取代的噻唑鎓、所述取代的噁唑鎓、所述取代的哌啶鎓、所述取代的吡咯烷鎓、所述取代的吡咯啉鎓、所述取代的吡咯鎓和所述取代的三唑鎓的至少一个取代基各自独立地选自：氘、
‑
F、
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宰福，马克瑟莫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：