集成电路元件制造技术

技术编号:30276728 阅读:10 留言:0更新日期:2021-10-09 21:38
一种集成电路元件包括在第一方向及与第一方向横向的第二方向上间隔布置的多个TAP单元。多个TAP单元包括至少一个第一TAP单元。第一TAP单元包括在第二方向上连续布置的两个第一端部区及第一中间区。第一中间区包括植入在第一类型的第一阱区中的第一类型的第一掺杂剂。将第一端部区布置在第二方向上的第一中间区的相对侧上。第一端部区中的每一者包括植入在第一阱区中的第二类型的第二掺杂剂,此第二类型不同于第一类型。类型不同于第一类型。类型不同于第一类型。

【技术实现步骤摘要】
集成电路元件


[0001]本揭示文件的实施例是关于一种集成电路,特别是关于一种具有分接单元(TAP cell)的集成电路、其形成方法及系统。

技术介绍

[0002]集成电路(integrated circuit,IC)通常包括在IC布局图中表示的多个半导体元件。IC布局图为阶层式的,并包括根据半导体元件的设计规范执行高阶功能的模块。此些模块经常由单元组合构造,其中每一者表示配置以执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预设计布局图的单元,有时称为标准单元,被储存在标准单元库(以下为简单起见称为“库”或“单元库”)中并可由多种工具存取,工具诸如电子设计自动化(electronic design automation,EDA)工具,以产生、最佳化及检验IC的设计。

技术实现思路

[0003]根据本揭示的一个实施例,提供了一种集成电路元件。集成电路元件包括多个TAP单元。TAP单元间隔布置在第一方向及与第一方向横向的第二方向上。TAP单元包括至少一个第一TAP单元,且第一TAP单元包括在第二方向上连续布置的两个第一端部区及第一中间区。第一中间区包括植入在第一类型的第一阱区中的第一类型的第一掺杂剂。第一端部区布置在第二方向上的第一中间区的相对侧上。第一端部区中的每一者包括植入在第一阱区中的第二类型的第二掺杂剂。第二类型不同于第一类型。
附图说明
[0004]当结合附图阅读时,根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的一些实施例的态样。应注意,根据工业标准实践,各种特征未按比例绘制。事实上,为论述清楚,各特征的尺寸可任意地增加或减小。
[0005]图1A为根据一些实施例的IC布局图的示意图;
[0006]图1B为根据一些实施例的IC布局图中阱区的示意图;
[0007]图1C为根据一些实施例的类似于图1A的示意图,且图示IC布局图的进一步特征;
[0008]图1D及图1E为根据一些实施例的不同类型的TAP单元的示意图;
[0009]图2为根据一些实施例的IC布局图的部分的示意性放大图;
[0010]图3为根据一些实施例的IC布局图的示意图;
[0011]图4为根据一些实施例的与IC元件的示意性电路图组合的示意剖面图;
[0012]图5A为根据一些实施例的产生IC布局图的方法的流程图;
[0013]图5B为根据一些实施例的制造IC元件的方法的流程图;
[0014]图6为根据一些实施例的具有鳍特征的示例晶体管的透视图;
[0015]图7为根据一些实施例的EDA系统的方块图;
[0016]图8为根据一些实施例的IC制造系统及与其关联的IC制造流程的方块图。
[0017]【符号说明】
[0018]30n:部分
[0019]100:IC布局图
[0020]111:第一TAP单元
[0021]112:第一TAP单元
[0022]113:第一TAP单元
[0023]114:第一TAP单元
[0024]115:中间区
[0025]116:中间区
[0026]121:第二TAP单元
[0027]122:第二TAP单元
[0028]123:第二TAP单元
[0029]124:第二TAP单元
[0030]125:第二TAP单元
[0031]126:第二TAP单元
[0032]131:第一阱区
[0033]132:第一阱区
[0034]133:第一阱区
[0035]134:第一阱区
[0036]136:第一连接阱区
[0037]137:第一连接阱区
[0038]138:第一连接阱区
[0039]139:第一连接阱区
[0040]131

:掺杂阱区
[0041]132

:掺杂阱区
[0042]133

:掺杂阱区
[0043]134

:掺杂阱区
[0044]141:第二阱区
[0045]142:第二阱区
[0046]143:第二阱区
[0047]144:第二阱区
[0048]145:第二阱区
[0049]141

:掺杂阱区
[0050]142

:掺杂阱区
[0051]143

:掺杂阱区
[0052]144

:掺杂阱区
[0053]145

:掺杂阱区
[0054]146:第二连接阱区
[0055]147:第二连接阱区
[0056]148:第二连接阱区
[0057]149:第二连接阱区
[0058]150:第二连接阱区
[0059]151:第二连接阱区
[0060]161:第一端部区
[0061]162:第一端部区
[0062]163:第一中间区
[0063]164:区
[0064]165:区
[0065]171:第二端部区
[0066]172:第二端部区
[0067]173:第二中间区
[0068]174:区
[0069]175:区
[0070]183:PTAP
[0071]191:PMOS区
[0072]192:PMOS区
[0073]193:NMOS区
[0074]194:NMOS区
[0075]230:主动区
[0076]240:栅极区
[0077]300:IC布局图
[0078]301:部分
[0079]302:部分
[0080]400:IC元件
[0081]451:基板
[0082]452:P型主动区
[0083]453:P型主动区
[0084]454:栅极区
[0085]455:N型主动区
[0086]456:N型主动区
[0087]457:栅极区
[0088]458:隔离区
[0089]500A:方法
[0090]500B:方法
[0091]505:操作
[0092]515:操作
[0093]525:操作
[0094]535:操作
[0095]545:操作
[0096]555:操作
[0097]600:电路元件
[0098]602:基板
[0099]604:鳍
[0100]606:栅极介电质
[0101]608:栅电极
[0102]610:源极区
[0103]612:漏极区
[0104]700:电子设计自动化(EDA)系统
[0105]702:硬件处理器
[0106]70本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路元件,其特征在于,包括:多个TAP单元,间隔布置在一第一方向及与该第一方向横向的一第二方向上,其中所述多个TAP单元包括至少一个第一TAP单元,且该第一TAP单元包括在该第二方向上连续布置的两个第一端部区及一第一中间区,其中该第一中...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄乾燿林文傑陈国基
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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