本发明专利技术涉及一种ＬＣＯＳ中具有双向驱动行选择线的显示芯片，包括：一个显示芯片（ＳＲＡＭ），一根行选择驱动线；所述的行选择驱动线的一端是通过单边的译码信号驱动的；还包括：所述的行选择驱动线的另一端通过另一个译码信号驱动；所述的二个译码信号是完全同步的；本发明专利技术的有益效果是：显著减小了驱动器的尺寸，并有效提高了速度；而其对速度的贡献却显著的影响着芯片能工作的时钟频率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LCOS(Liquid Crystal 0n Silicon，即基于大规模集成电路上的液晶技术)领域，尤其涉及一种显示芯片的行选择线。
技术介绍
液晶显示技术发展迅速，应用领域不断拓宽。液晶显示的对比度和响应速度与液晶材料和液晶光电效应关系密切，在实际应用中有许多种液晶显示方法，最常用的LCD(液晶显示器)是TN(twisted nematic，即扭曲向列)型的液晶显示。TN型液晶的基本原理是对偏振光的控制。当光进入TN型液晶，它的极性会随着液晶材料扭曲。当光进入带有电磁场的TN型液晶时，这种极性的扭曲会被破坏，通过调整电磁场的强度，从而产生灰度效应，其响应时间约为10ms。液晶显示与外加电压的关系也很密切。外加电压的大小对TN型液晶的响应至关重要，直接决定了液晶的显示精度、显示亮度、对比度以及液晶的整体工作。而LCOS显示技术是将成熟的硅工艺和液晶技术相结合，将控制电路埋入成像区下面，显示尺寸较小，成像与周边电路集成一体。以XGA格式(1024×768像素阵列)为例，它以32字节为一写周期，在32个写周期中共写入一行1024数据。每一周期中，数据被从左到右写入，直到所有32个写周期都被写入为止。纵向共有768列，数据一行一行地被扫描进入整个存储阵列之中。每一象素数据具有28个灰度等级，脉冲的累积效应产生出整个28个灰度等级。如果要保证上述中液晶的显示时间10ms，则可以得到传输时间。假设刷新频率为60Hz，即每幅图像的刷新时间为16.6ms，考虑到一些其它的损耗，传输时间约6ms。要实现8级的灰度，则像素数据量达到1024*768*8，传输速率必须达到30ns以上。如果要使图像的显示更平滑，更细腻，则所需灰度级数更高，数据量更多，传输速率必须更快。在更高精度的显示模式下，如SXGA格式(1280×1024)，数据传输成为瓶颈。目前，现有的技术中对LCOS的液晶点阵数据存储和数据控制显示使用了各种不同的实现电路。但由于这些实现电路不尽合理，对液晶的响应速度和芯片的工作速度提出了很高的要求，加大了硬件成本。LCOS数字电视专用芯片是目前国际上最新的大屏幕高清晰度数字显示技术一LCOS(Liquid Crystal On Silicon即基于大规模集成电路上的反射液晶投影技术)的核心技术，LCOS是国际上一致看好的，最有可能以其高质量的技术指标和低价位的制造成本能进入普通百姓家庭的HDTV的产品技术，具有十分广阔的市场前景。LCOS数字电视专用芯片采用国际先进的0.35μm和0.25μm的CMOS工艺技术，是一个高性能，低价位的芯片组，芯片组用于三色光学驱动引擎，可产生XGA到UXGA/HDTV解像度的高对比，高亮度，24位彩色影像。该项目达到世界同类产品的最新技术水平。LCOS显示芯片从电路方面来看，内部包含了一个巨大的SRAM。为了加快SRAM的存储读取速度，又不对芯片的工艺方面提出太高的要求，SRAM是行存储和读取的。这就对行选择线的驱动能力提出了较高的要求。由图1A、图1B可见一种早期驱动是由96个SRAM为一组，一行1024个SRAM由11组构成。这种控制方法比较复杂先由Y方向译码和X方向译码将SRAM阵列分成多个大的模块，然后每个模块再由列译码具体到每组SRAM。数据写入的时候，连续三个32位的数据写入到锁存器(LATCH)，再写入SRAM。这种译码方法导致垂直方向布线太多，列译码地址线有352根，对布局布线影响比较大，当SRAM的尺寸变小时，这些线增加了布线的难度。以后提出了整个SRAM行驱动的工作方案，即，对SRAM的操作是整行读写的，写入时将1024个数据写入到锁存器后，将锁存器中的数据写入到SRAM；读出时则将一行SRAM共1024个数据同时读到锁存器中，再逐个读出。这样，译码非常清晰X方向和Y方向。而且，X方向的译码是到锁存器的，不须进入SRAM阵列；由图2可见如果将行选择线分成多段，可将其等效成电容电阻网络；如果是单边驱动的话，响应最慢的一点将是A点。如何加快SRAM的存储读取速度，又不对芯片的工艺方面提出太高的要求是摆在科技技术人员面前需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术需要解决的技术问题是提供了一种LCOS中具有双向驱动行选择线的显示芯片，旨在解决上述缺陷。为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的本专利技术包括一个显示芯片(SRAM)，一根行选择驱动线；所述的行选择驱动线的一端是通过单边的译码信号驱动的；还包括所述的行选择驱动线的另一端通过另一个译码信号驱动；所述的二个译码信号是完全同步的；与现有技术相比，本专利技术的有益效果是显著减小了驱动器的尺寸，并有效提高了速度；而其对速度的贡献却显著的影响着芯片能工作的时钟频率。附图说明图1A是96个SRAM为一组的SRAM阵列的示意总图；图1B是图1A中单个模块示意图； 图2是单边译码的SRAM阵列等效成电容电阻网络示意图；图3是本专利技术的示意图；图4是图3中等效成电容电阻网络示意图；图5是本专利技术和单边译码的SRAM阵列的响应曲线的比较图；具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述由图3可见本专利技术包括一个显示芯片(SRAM)，一根行选择驱动线；所述的行选择驱动线的一端是通过单边的译码信号驱动的；还包括所述的行选择驱动线的另一端通过另一个译码信号驱动；所述的二个译码信号是完全同步的；所述的译码信号是完全同步的是通过二个两套完全一模一样的译码器产生的；由图4可见LCOS在XGA显示格式下是1024*768像素点阵的，这意味着每根行选择线每次需要驱动1024个SRAM。用于背投的显示芯片的显示尺寸为0.72英寸，即行选择线的长度约为16mm。则线电容和线电阻将很大。如果是用于正投的显示芯片，则显示尺寸为0.97英寸，行选择线将更长，行选择线的驱动能力需要更大。而且，由于该芯片是用于显示的，其sram必须连续无断续的，则将驱动电路放在sram中间向两端驱动的方法也不可取。为了解决这个驱动能力的问题，我们在LCOS的行选择线的方案上选用了双向驱动的办法。双向驱动，即在sram阵列的两边，都有行选择信号的译码，产生一模一样的行选择信号，同时从两端驱动同一根行选择线。如果将行选择线分成多段，可将其等效成电容电阻网络，如果是单边驱动的话，响应最慢的一点将是A点，而如果是双边驱动的话，响应最慢的将是B点。假设单边驱动的管子尺寸是双边驱动的管子的2倍，则A点从0翻转到0.9VCC所需时间，将是B点翻转所需时间的2倍，甚至更多。由于该芯片主要工作在100MHz的频率下，则行选择线的响应时间越短越好。如果要提高A点的响应时间，使之与B点相接近，那么简单的增大芯片尺寸很难达到这种效果。而且过度增大驱动器的尺寸，又会对前一级的响应时间、驱动能力提出更高的要求。由图5可见曲线1是本专利技术的响应曲线，曲线2是单边译码SRAM阵列的响应曲线。L单边驱动器的尺寸已经是双边驱动器的16倍，但其仍然达不到双边驱动的响应速度。而且，驱动器的尺寸减小，电路的瞬间工作电流也将大大减小，对布线的要求又将降低。双边驱动的难点在于进入两边驱动器的信号需要完全的同步。因此，采用的办法是，将参与译码的信号进入两套完全一模一样的译码器，这样，保本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＬＣＯＳ中具有双向驱动行选择线的显示芯片，包括：一个显示芯片，一根行选择驱动线；所述的行选择驱动线的一端是通过单边的译码信号驱动的；其特征在于：所述的行选择驱动线的另一端通过另一个译码信号驱动；所述的二个译码信号是完全同步的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄萍，尚为兵，印义言，
申请(专利权)人：上海华园微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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