显示影像系统包含有一显示装置，包含有一数据线，一扫描重置线，一第一电容器，一第一反向单元，一第一重置开关，一驱动用薄膜晶体管，以及一发光单元。该数据线用以提供显示信号及扫掠信号。该扫描重置线用以提供扫描重置信号。该第一电容器用来从该数据线储存电荷。该第一反向单元具有一输入端、一第一供应端、一第二供应端，以及一输出端。该第一重置开关具有一第一端点、一第二端点，以及一控制端。该驱动用薄膜晶体管具有一控制端。该发光单元电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种显示影像系统，尤指一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统。
技术介绍
随着平面显示器不断的推陈出新，各家厂商为了增加自家产品的竞争力，无不投入大量的资金以研发出新的平面显示技术。为了满足其技术高要求的应用，显示器面板厂商开始着眼于主动矩阵式有机电激发光二极管(active-matrix organic light emitting displays，AMOLED)的应用。主动矩阵式有机电激发光二极管(AMOLED)具有一集成电子底板并且特别适合使用在高分辨率与高信息量的影像应用上。多晶硅具有高载子移动率、提供高电载容量的薄膜晶体管以及高切换速率等优点，因此使得上述的显示方式由于多晶硅技术的发展而成为可能。在一主动矩阵式有机电激发光二极管显示中，每一个独立像素皆可藉由相对应的安装于集成电子底板上的驱动用薄膜晶体管与电容器而达到个别寻址的效果。请参阅图1，图1为公知一主动矩阵式有机电激发光二极管10的电路图。主动矩阵式有机电激发光二极管10包含有复数个以矩阵方式排列的像素100，为求简化，图1仅显示一个像素。像素100耦接于VDD与VEE电压源之间并且藉由相对应的栅极线12与数据线14以电连接于外部驱动电路，而每一个像素皆使用一有机电激发光二极管102作为一像素发光装置。每一个像素100另包含一储存电容器104，一n型控制用薄膜晶体管106，以及一p型驱动用薄膜晶体管108。在每一个像素100中，控制用薄膜晶体管106的栅极与漏极分别电连接于栅极线12与数据线14，而驱动用薄膜晶体管108的栅极与源极分别电连接于控制用薄膜晶体管106的一源极与电压源VDD。储存电容器104耦接于驱动用薄膜晶体管108的栅极与源极。有机电激发光二极管102耦接于驱动用薄膜晶体管108的漏极与电压源VEE。以下将描述主动矩阵式有机电激发光二极管10的操作。首先，由一外部栅极驱动电路产生一栅极控制信号并将其传输至栅极线12用以开关控制用薄膜晶体管106。接着，由一外部数据驱动电路到数据线14提供一信号电压，再藉由已开启的控制用薄膜晶体管106，输出此信号电压至驱动用薄膜晶体管108的栅极与储存电容器104，驱动用薄膜晶体管108再依据此信号电压供应一驱动电流至有机电激发光二极管102，使之发光。一般而言，一薄膜晶体管具有三个工作模式关闭模式，线性模式，以及饱和模式。举例来说，一n型薄膜晶体管的漏极电流特性可以下列的公式表示(1)当Vgs＜Vth，Id_off＝0；(2)当0＜Vds＜Vgs-Vth，Id_linear＝μCOXWeffLeff；(3)当0＜Vgs-Vth＜Vds，Id_sat＝/2。其中，μ为载子有效表面移动率；COX为栅极氧化电容；Weff为有效通道宽度；Leff为有效通道长度；Vgs为薄膜晶体管栅极与源极之间的电压值；Vds为薄膜晶体管漏极与源极之间的电压值；Vth为薄膜晶体管临界电压值；Id_off为薄膜晶体管在关闭模式下的漏极电流；Id_linear为薄膜晶体管在线性区下的漏极电流；Id_sat为薄膜晶体管在饱和区下的漏极电流。无论是何种掺杂形式，一晶体管开始导通的时间点是由其临界电压值来决定的，而其影响临界电压值的因素主要有栅极材料导电性，栅极氧化材料厚度以及通道掺杂浓度。薄膜晶体管的临界电压值可以偏离原先依据制程变量与操作环境改变等变量而设定的电压值。图2为驱动用薄膜晶体管108与有机电激发光二极管102的电流电压关系曲线示意图。在图2中，曲线A代表有机电激发光二极管102的电流电压关系曲线，曲线B代表驱动用薄膜晶体管108在额定临界电压值Vth下的电流电压关系曲线，曲线B’与B”分别代表当驱动用薄膜晶体管108的临界电压值从额定值Vth偏离至Vth’与Vth”时的电流电压关系曲线。如图2所示，有机电激发光二极管102的预设工作点S(图2中以“·”表示)可在临界电压值偏差下变更为S’与S”(图2中以“X”表示)。如公式1所示，有机电激发光二极管102的发光性主要是与驱动用薄膜晶体管108的临界电压值Vth有关，其电流电压关系特性在一饱和区内为一临界电压Vth的平方式。假如相对应的驱动用薄膜晶体管108的临界电压值偏离了额定电压值，则像素100在显示相同灰阶值的影像值时会具有色度不均匀现象(mura)。因此，公知技术的主动矩阵式有机电激发光二极管10即使是在薄膜晶体管特性仅稍微变动的条件下，其显示一致性依然是相当低的。
技术实现思路
本专利技术提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一显示装置，包含有一数据线，用以提供显示信号及扫掠信号，一扫描重置线，用以提供扫描重置信号，一第一电容器，包含有一第一端点，电连接于该数据线，该第一电容器用来从该数据线储存电荷，一第一反向单元，包含有一输入端，电连接于该第一电容器的一第二端点，一第一供应端，电连接于一第一电压源，一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源，以及一输出端，一第一重置开关，包含有一第一端点，电连接于该第一电容器的该第二端点与该第一反向单元的该输入端，一第二端点，电连接于该第一反向单元的该输出端，以及一控制端，电连接于该扫描重置线，一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该第一反向单元的该输出端，以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。本专利技术另提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一第一数据线，用以提供显示信号，一第二数据线，用以提供扫掠信号，一扫描线，用以提供扫描信号，一控制开关，包含有一控制端，电连接于该扫描线，以及一第一端点，电连接于该第一数据线，一电容器，电连接于该第二数据线与该控制开关的一第二端点，用以从该第一或该第二数据线提供电荷，一反向单元，包含有一输入端，电连接于该电容器，一第一供应端，电连接于一第一电压源，一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源，以及一输出端，一驱动用薄膜晶体管，包含有一控制端，电连接于该反向单元的该输出端，以及一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与一第三电压源，该第三电压源的电位大于或等于该第一电压源的电位。本专利技术另提供一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有一像素，包含有一驱动用薄膜晶体管，用来控制该像素的照度，一数据线，用以向该像素提供显示信号与扫掠信号，以及一扫描重置线，用以向该像素提供扫描重置信号，其中该驱动用薄膜晶体管具有一线性区与一饱和区，且于线性区内，具有一工作点。附图说明图1为公知一主动矩阵式有机电激发光二极管的电路图。图2为驱动用薄膜晶体管与有机电激发光二极管的电流电压关系曲线示意图。图3本专利技术第一实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。图4为反向单元的一输入与输出电压(Vin-Vout)特性示意图。图5为本专利技术第一实施例主动矩阵式有机电激发光二极管的矩阵排列示意图。图6为本专利技术第一实施例在一帧周期内整体运作的时序示意图。图7驱动用薄膜晶体管与有机电激发光二极管的电流电压(I-V)关系曲线示意图。图8本专利技术第二实施例的包含一主动矩阵式有机电激发光二极管的显示影像系统示意图。图9为于主动矩阵式有机电激发光二极管中的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种可降低色度不均匀现象的显示影像系统，包含有： 一显示装置，包含有： 一数据线，用以提供显示信号及扫掠信号； 一扫描重置线，用以提供扫描重置信号； 一第一电容器，包含有： 一第一端点，电连接于该数据线，该第一电容器用来从该数据线储存电荷； 一第一反向单元，包含有： 一输入端，电连接于该第一电容器的一第二端点； 一第一供应端，电连接于一第一电压源； 一第二供应端，电连接于电位大于该第一电压源的一第二电压源；以及 一输出端； 一第一重置开关，包含有： 一第一端点，电连接于该第一电容器的该第二端点与该第一反向单元的该输入端； 一第二端点，电连接于该第一反向单元的该输出端；以及 一控制端，电连接于该扫描重置线； 一驱动用薄膜晶体管，包含有： 一控制端，电连接于该第一反向单元的该输出端；以及 一发光单元，电连接于该驱动用薄膜晶体管的一第一端点与电位大于或等于该第一电压源的一第三电压源。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林敬伟，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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