【技术实现步骤摘要】
滤波器
[0001]本专利技术涉及一种滤波器,特别是涉及一种采用微带线(microstrip)技术的滤波器。
技术介绍
[0002]随着如智能型手机等移动终端的功能越来越强大,其所需要应用的网络频段越来越多,射频前端模块(Radio Frequency Front End Module,RFFEM),作为通信系统的核心器件,其性能直接决定了移动终端可支援的通信模式、接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标。
[0003]通常,高端的智能型手机必须对多达数十个频段的发送/接收路径进行滤波,同时还得对Wi-Fi、蓝牙等接收路径进行滤波。除了需要对各接收路径的信号进行隔离,还得对出处繁多难以尽举的其他外部信号进行抑制。为此目的,多频段手机通常需要数个滤波器(filter),否则难以实现。并且,随着通小型化的趋势,如何将这么多组件的通信系统小型化也成为相关领域不断研究的重点项目之一。
[0004]滤波器,是对波进行过滤的器件,可由电容、电感和电阻组成的滤波电路,以对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效率除,即可用于过滤各种噪声信号,得到一个特定频率的电源信号,或消除一个特定频率后的电源信号。在长期演进技术(Long Term Evolution,LTE)的领域中,如声表面波滤波器(Surface Acoustic wave filter,SAWF)或体声波滤波器(Bulk Acoustic wave filter,BAWF)等滤波器因为具有窄频宽、高抑制、低损耗等特点而受到广泛地使用。r/>[0005]但在频率越高的应用中,声表面波滤波器与体声波滤波器反而会产生通带(pass band)损耗提升及止带(stop band)抑制效果下降等问题。资料指出,现行所使用的声表面波滤波器与体声波滤波器已不能再满足毫米波频段(Millimeter Wave,mmWave)的高频段通信技术的需求。因此,为了因应5G时代的来临,未来的手机的射频前端模块难以再继续采用现有的声表面波滤波器与体声波滤波器来进行滤波。
技术实现思路
[0006]有鉴于此,本专利技术提出一种创新的滤波器,其采用了在低温共烧陶瓷(Low-Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)技术的厚膜上设置微带线线路的薄膜金属层的厚薄膜整合型滤波器,可以在毫米波频段的应用时具有低损耗、优良的止带抑制等效果。
[0007]根据本专利技术的一实施例所揭露的一种滤波器,包含一介电基板、一接地层、一线路层、二信号通路以及多个接地通路。接地层形成于介电基板的表面,具有一接地平面及二信号端点。线路层位于介电基板的另一表面,包含至少三微带线共振元件、一共接电极、一输入端点及一输出端点。输入端点与输出端点分别连接微带线共振元件的其中二者。微带线共振元件自共接电极向外延伸。信号通路及接地通路延伸于接地层、介电基板及线路层。信号端点分别经由信号通路连接输入端点与输出端点。接地平面经由接地通路连接共接电
极。滤波器还包含电容耦合单元,电性耦合于微带线共振元件中相邻的其中二者。
[0008]本专利技术前述实施例所揭露的滤波器,由于电容耦合单元可电性耦合于相邻的微带线共振元件,因此在毫米波的频段的应用中,本实施例的滤波器可具有明显的高通带抑制效果,相较于传统的声表面波滤波器(SAWF)与体声波滤波器(BAWF)等滤波器,本实施例的滤波器更适合更高频的应用。
[0009]以上的关于本专利技术揭露内容的说明及以下的实施方式的说明,是用以示范与解释本专利技术的精神与原理,并且提供本专利技术的权利要求更进一步的解释。
附图说明
[0010]图1为本专利技术的一实施例的滤波器的立体示意图;
[0011]图2为图1的滤波器沿2-2的局部侧剖示意图;
[0012]图3为图1的滤波器的局部放大上视图;
[0013]图4为图1的滤波器与移除电容耦合单元的滤波器的频率响应(frequency response)比较图;
[0014]图5为图1的滤波器的频率响应图;
[0015]图6为采用厚薄膜整合制作工艺与纯厚膜制作工艺的线路传输损耗比较图;
[0016]图7为本专利技术的另一实施例的滤波器的立体示意图。
[0017]符号说明
[0018]1、1
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滤波器
[0019]10
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接地层
[0020]20
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介电基板
[0021]30、30
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平坦层
[0022]40
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线路层
[0023]50、50
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电容耦合单元
[0024]70
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介电层堆叠
[0025]80
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接地层
[0026]110
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接地平面
[0027]130
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号端点
[0028]210
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电通孔
[0029]230
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导电通孔
[0030]310
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电通孔
[0031]330
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电通孔
[0032]410
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
共接电极
[0033]430
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
微带线共振元件
[0034]450
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输入端点
[0035]470
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
输出端点
[0036]510
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一指状结构
[0037]520
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二指状结构
[0038]710
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电通孔
[0039]730
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
导电通孔
[0040]810
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接地平面
[0041]830
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号端点
[0042]G
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
间距
[0043]GV
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
接地通路
[0044]L1、L2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
长度
[0045]SV
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
信号通路
[0046]W
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宽度
具体实施方式
[0047]以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点,其内容足以使任何熟悉相关技术者,了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施,且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及附图,任何熟悉相关技术者可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。以下的实施例是进一步详细说明本专利技术的观点,但本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器,其特征在于,包含:介电基板;接地层,形成于该介电基板的一表面,具有一接地平面及二信号端点;线路层,位于该介电基板的另一表面,包含至少三微带线共振元件、一共接电极、一输入端点及一输出端点,其中该输入端点与该输出端点分别连接该至少三微带线共振元件的其中二者,该至少三微带线共振元件自该共接电极向外延伸;以及二信号通路以及多个接地通路,延伸于该接地层、该介电基板及该线路层,该些信号端点分别经由该些信号通路连接该输入端点与该输出端点,该接地平面经由该些接地通路连接该共接电极;其中该滤波器还包含至少一电容耦合单元,电性耦合于该至少三个微带线共振元件中相邻的其中二者。2.如权利要求1所述的滤波器,其中该至少一电容耦合单元介于该至少三个微带线共振元件中相邻的该其中二者之间。3.如权利要求1所述的滤波器,还包含平坦层,形成于该介电基板与该线路层之间,该些信号通路与该些接地通路贯穿该平坦层,该平坦层与该介电基板的材质相异。4.如权利要求3所述的滤波器,其中该平坦层的材质包含环氧树脂、聚酰亚胺或玻璃。5.如权利要求1所述的滤波器,其中该至少一电容耦合单元包含多个第一指状结构及多个第二指状结构,该些第一指状结构与该些第二指状结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:余俊璋,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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