一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳制造技术

本发明专利技术公开了一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，包括：主盖、副盖和芯片承载本体；主盖，底部设有第一插接槽；副盖，顶部与第一插接槽可拆卸连接，底部设有第二插接槽；第二插接槽，与芯片承载本体的顶部可拆卸连接；芯片承载本体内设置有SiC芯片。本发明专利技术通过主盖和副盖的可拆卸连接以及副盖和芯片承载本体的可拆卸连接，在主盖和芯片承载本体之间可以将副盖拆卸或连接。当主盖和芯片承载本体之间连接副盖时，增加了SiC器件的整体高度(厚度)，从而在使用时可以对SiC芯片形成较为可靠的保护。当将副盖从主盖和芯片承载本体之间拆下时，SiC器件的整体高度较低，满足测试需求，提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。

【技术实现步骤摘要】
一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳


[0001]本专利技术属于微电子设备
，具体涉及一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳。

技术介绍

[0002]近年来，随着微电子技术的不断，Si基电力电子器件在一些如高温、高压、高湿度等极端环境中的应用越来越受到限制。而碳化硅(SiC)材料做为第三代半导体材料的代表，其禁带宽度约是硅材料的3倍，击穿电场是硅材料的8倍，热导率是硅的3倍，极大地提高了SiC器件的耐压容量和电流密度。由于二者材料的特性不同导致SiC材料的击穿电场为Si材料的大约10倍，导致其在相同的击穿电压下，导通电阻只有Si器件的1/100～1/200，极大地降低了SiC器件的导通损耗和开关损耗，在提高系统效率的同时也使器件在高温、高功率、高湿度等恶劣环境中工作更为可靠。
[0003]因此，SiC器件可以使电力电子系统的功率、温度、频率和抗辐射能力倍增。同时由于碳化硅较高的热导率，可以大大减少系统中散热系统的体积及重量，是系统获得更高的效率。所以，SiC器件不仅在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域具有广泛应用，而且在太阳能、风能等新能源中也将具有广阔的应用前景。
[0004]相关技术中，SiC器件需要封装之后进行测试或者使用，在封装完成之后，SiC器件的封装外壳是固定的结构。但是，由于SiC器件在不同的测试仪器设备下，对封装器件高度的限制有所不同，有些设备需要在狭小的空间中保持良好的气密性，这就要求SiC器件的封装高度较低才能完成相应的测试。而在封装器件的使用过程中，高度较低(厚度较薄)的封装外壳的强度对芯片保护的可靠性较差。因此，由于封装外壳的尺寸和结构是固定的，满足测试时的封装高度则无法满足使用时所需的强度，满足使用时所需的强度和高度则无法在测试设备中进行测试，封装器件的测试和使用极为不便。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0006]一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，包括：主盖、副盖和芯片承载本体；
[0007]所述主盖，底部设有第一插接槽；
[0008]所述副盖，顶部与所述第一插接槽可拆卸连接，底部设有第二插接槽；
[0009]所述第二插接槽，与所述芯片承载本体的顶部可拆卸连接；
[0010]所述芯片承载本体内设置有SiC芯片。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述第一插接槽为T型槽结构且为通槽结构；
[0012]所述第一插接槽，包括第一插槽和第一开口；
[0013]所述第一插槽的中部与所述第一开口贯通；
[0014]所述副盖，顶部插入所述第一插槽和所述第一开口中。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，所述副盖，包括：第一插入部和连接部；
[0016]所述第一插入部为与所述第一插接槽相匹配的T型结构，包括：第一横插部和第一竖插部；
[0017]所述第一横插部，插入所述第一插槽中，中部与所述第一竖插部的上端连接，两侧与所述连接部之间形成两个第一容纳通槽；
[0018]所述第一竖插部，下端与所述连接部连接，插入所述第一开口中；
[0019]所述第一开口的两侧分别容纳在所述两个第一容纳通槽中。
[0020]在本专利技术的一个实施例中，所述第二插接槽开设在所述连接部的底部上；
[0021]所述第二插接槽为T型槽结构且为通槽结构；
[0022]所述第二插接槽，包括第二插槽和第二开口；
[0023]所述第二插槽的中部与所述第二开口贯通；
[0024]所述芯片承载本体，顶部插入所述第二插槽和所述第二开口中。
[0025]在本专利技术的一个实施例中，所述芯片承载本体，包括：第二插入部和承载部；
[0026]所述第二插入部为与所述第二插接槽相匹配的T型结构，包括：第二横插部和第二竖插部；
[0027]所述第二横插部，插入所述第二插槽中，中部与所述第二竖插部的上端连接，两侧与所述承载部之间形成两个第二容纳通槽；
[0028]所述第二竖插部，下端与所述承载部连接，插入所述第二开口中；
[0029]所述第二开口的两侧分别容纳在所述两个第二容纳通槽中；
[0030]所述承载部内设置有SiC芯片。
[0031]在本专利技术的一个实施例中，所述第一插接槽和所述第二插接槽的尺寸相同。
[0032]在本专利技术的一个实施例中，所述第一插入部和第二插入部的尺寸相同。
[0033]本专利技术的有益效果：
[0034]本专利技术通过主盖和副盖的可拆卸连接以及副盖和芯片承载本体的可拆卸连接，在主盖和芯片承载本体之间可以将副盖拆卸或连接。当主盖和芯片承载本体之间连接副盖时，增加了SiC器件的整体高度(厚度)，以增加主盖和芯片承载本体的强度，从而在使用时可以对SiC芯片形成较为可靠的保护，提升了SiC器件的可靠性。当将副盖从主盖和芯片承载本体之间拆下时，SiC器件的整体高度较低，则可以在一些较小的狭窄空间中进行测试，满足测试需求，提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。此外，主盖和副盖可拆卸，便于器件在开盖实验时打开主盖和副盖。
[0035]以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。
附图说明
[0036]图1是本专利技术实施提供的主盖的结构示意图；
[0037]图2是本专利技术实施提供的副盖的结构示意图；
[0038]图3是本专利技术实施提供的芯片承载本体的结构示意图；
[0039]图4是本专利技术实施提供的一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳的装配示意图；
[0040]图5是本专利技术实施提供的一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳的副盖和芯
片承载本体的装配示意图；
[0041]图6是本专利技术实施提供的一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳的主盖和芯片承载本体的装配示意图。
[0042]附图标记说明：
[0043]10
‑
主盖；11
‑
第一插接槽；111
‑
第一插槽；112
‑
第一开口；20
‑
副盖；21
‑
第二插接槽；211
‑
第二插槽；212
‑
第二开口；22
‑
第一插入部；221
‑
第一横插部；222
‑
第一竖插部；23
‑
连接部；24
‑
第一容纳通槽；30
‑
芯片承载本体；31
‑
第二插入部；311
‑
第二横插部；312
‑
第二竖插部；32
‑
承载部；33
‑
第二容纳通槽；40
‑
SiC芯片。
具体实施方式
[0044]下面结合具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，其特征在于，包括：主盖(10)、副盖(20)和芯片承载本体(30)；所述主盖(10)，底部设有第一插接槽(11)；所述副盖(20)，顶部与所述第一插接槽(11)可拆卸连接，底部设有第二插接槽(21)；所述第二插接槽(21)，与所述芯片承载本体(30)的顶部可拆卸连接；所述芯片承载本体(30)内设置有SiC芯片(40)。2.根据权利要求1所述的一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，其特征在于，所述第一插接槽(11)为T型槽结构且为通槽结构；所述第一插接槽(11)，包括第一插槽(111)和第一开口(112)；所述第一插槽(111)的中部与所述第一开口(112)贯通；所述副盖(20)，顶部插入所述第一插槽(111)和所述第一开口(112)中。3.根据权利要求2所述的一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，其特征在于，所述副盖(20)，包括：第一插入部(22)和连接部(23)；所述第一插入部(22)为与所述第一插接槽(11)相匹配的T型结构，包括：第一横插部(221)和第一竖插部(222)；所述第一横插部(221)，插入所述第一插槽(111)中，中部与所述第一竖插部(222)的上端连接，两侧与所述连接部(23)之间形成两个第一容纳通槽(24)；所述第一竖插部(222)，下端与所述连接部(23)连接，插入所述第一开口(112)中；所述第一开口(112)的两侧分别容纳在所述两个第一容纳通槽(24)中。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋庆文，王浩东，袁昊，汤晓燕，刘科宇，韩超，吴勇，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：