一种太阳能电池的清洗方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池制造技术领域，提供一种太阳能电池的清洗方法，包括如下步骤：在进行制绒处理之后，对半导体衬底层的表面进行清洗处理；其中，所述清洗处理包括：提供清洗槽，清洗槽中具有挥发性清洗液，挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质；在清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对半导体衬底层的表面进行清洗。采用慢提拉清洗工艺和挥发性清洗液使得半导体衬底层表面残留的挥发性清洗液快速的挥发到环境中，半导体衬底层的表面较干燥，因此不需要再对半导体衬底层进行预脱水、烘干等工艺，半导体衬底层表面的洁净度较高，同时减少太阳能电池的制备工序，节省太阳能电池的制备时间，提高产能和制备效率。提高产能和制备效率。提高产能和制备效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的清洗方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池制造
，具体涉及一种太阳能电池的清洗方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池的制绒处理过程中，难免会引入有机物或者金属杂质，这些有机物或者金属杂质扩散到硅片后形成复合中心，会影响太阳能电池的开路电压Voc及短路电流Isc，最终对太阳能电池的光电转换效率产生影响。在太阳能电池的制备过程中，对硅片制绒处理后需进行清洗处理，以去除制绒后硅片上的污染物，为下一步化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)非晶硅准备好高洁净度的表面。
[0003]传统太阳能电池制绒后的清洗方法，通常需经过水洗、酸洗、水洗、预脱水和烘干步骤，不仅步骤繁琐，而且由于烘干使用的热气体无论采用是从空气中过滤而来还是无油洁净干燥的压缩空气(clean dry air，简称CDA)或者是高纯氮气，都对气体的材料和热能有较高的要求，烘干的时间也比较长，严重制约清洗制绒机的产能，太阳能电池制备效率较低。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中太阳能电池制备效率较低的问题，从而提供一种太阳能电池的清洗方法。
[0005]本专利技术提供一种太阳能电池的清洗方法，包括在半导体衬底层的表面进行制绒处理的步骤，还包括如下步骤：在进行所述制绒处理之后，对所述半导体衬底层的表面进行清洗处理；其中，所述清洗处理包括：提供清洗槽，所述清洗槽中具有挥发性清洗液，所述挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质；在所述清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对所述半导体衬底层的表面进行清洗。
[0006]可选的，所述挥发性清洗物质包括异丙醇或者乙醇。
[0007]可选的，所述慢提拉清洗工艺中的提拉速率为1mm/s～10mm/s。
[0008]可选的，所述挥发性清洗物质适于与水互溶。
[0009]可选的，所述挥发性清洗液中还包括酸性清洗物质；在进行所述慢提拉清洗工艺的过程中，所述酸性清洗物质还对所述半导体衬底层的表面进行清洗。
[0010]可选的，所述挥发性清洗液的组分包括异丙醇、氢氟酸和去离子水，所述异丙醇作为所述挥发性清洗物质，所述氢氟酸作为所述酸性清洗物质；所述挥发性清洗液中，异丙醇的体积占比为30％～50％，氢氟酸的体积占比为1％～3％，去离子水的体积占比为20％～50％。
[0011]可选的，在进行所述慢提拉清洗工艺之前，采用酸性清洗液对所述半导体衬底层的表面进行清洗。
[0012]可选的，所述酸性清洗液包括氢氟酸或者盐酸。
[0013]可选的，所述挥发性清洗液中挥发性清洗物质的浓度大于等于90％。
[0014]可选的，在进行所述慢提拉清洗工艺之前，还包括：对所述半导体衬底层的表面进行第一水洗工艺。
[0015]可选的，在采用酸性清洗液对所述半导体衬底层的表面进行清洗之前，所述清洗处理还包括：对所述半导体衬底层的表面进行第一水洗工艺；在采用酸性清洗液对所述半导体衬底层的表面进行清洗之后、进行所述慢提拉清洗工艺之前，所述清洗处理还包括：对所述半导体衬底层的表面进行第二水洗工艺。
[0016]可选的，在所述半导体衬底层的表面进行制绒处理之后、进行所述第一水洗工艺之前，还包括：对在所述半导体衬底层的表面进行制绒处理产生的陷光结构的表面进行圆滑处理。
[0017]可选的，对所述半导体衬底层的表面进行清洗处理之后，还包括：在所述半导体衬底层的一侧表面形成第一本征半导体层；在所述半导体衬底层的另一侧的表面形成第二本征半导体层；在所述第一本征半导体层背向所述半导体衬底层一侧表面形成第一导电类型半导体层；在所述第二本征半导体层背向所述半导体衬底层一侧的表面形成第二导电类型半导体层；在所述第一导电类型半导体层背向所述第一本征半导体层一侧的表面形成第一透明导电膜；在所述第二导电类型半导体层背向所述第二本征半导体层一侧的表面形成第二透明导电膜。
[0018]本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0019]1.本专利技术提供的太阳能电池的清洗方法，挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质，在清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对半导体衬底层的表面进行清洗。由于挥发性清洗物质具有容易挥发的性能，且采用慢提拉清洗工艺对半导体衬底层的表面进行清洗，在慢提拉清洗工艺过后，半导体衬底层表面残留的挥发性清洗液快速的挥发到环境中，半导体衬底层的表面较干燥，因此不需要再对半导体衬底层进行预脱水、烘干等工艺，避免在烘干过程中对半导体衬底层造成二次污染和损伤，半导体衬底层表面的洁净度较高，同时减少太阳能电池的制备工序，节省太阳能电池的制备时间，提高产能，太阳能电池的制备效率提高。
[0020]2.进一步，挥发性清洗液中还包括酸性清洗物质；在进行所述慢提拉清洗工艺的过程中，所述酸性清洗物质还对所述半导体衬底层的表面进行清洗，因此不需要单独对半导体衬底层进行酸洗，减少清洗设备中清洗槽的数量，减少太阳能电池的制备工序，提高的产能，太阳能电池的制备效率提高。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术实施例提供的太阳能电池的清洗方法的主流程图；
[0023]图2为本专利技术实施例1提供的太阳能电池的清洗方法的分步流程图；
[0024]图3为本专利技术实施例2提供的太阳能电池的清洗方法的分步流程图。
具体实施方式
[0025]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电学连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的清洗方法，包括在半导体衬底层的表面进行制绒处理的步骤，其特征在于，还包括如下步骤：在进行所述制绒处理之后，对所述半导体衬底层的表面进行清洗处理；其中，所述清洗处理包括：提供清洗槽，所述清洗槽中具有挥发性清洗液，所述挥发性清洗液中包括挥发性清洗物质；在所述清洗槽中采用慢提拉清洗工艺对所述半导体衬底层的表面进行清洗。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，所述挥发性清洗物质包括异丙醇或者乙醇；优选的，所述慢提拉清洗工艺中的提拉速率为1mm/s～10mm/s。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，所述挥发性清洗物质适于与水互溶。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，所述挥发性清洗液中还包括酸性清洗物质；在进行所述慢提拉清洗工艺的过程中，所述酸性清洗物质还对所述半导体衬底层的表面进行清洗。5.根据权利要求4所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，所述挥发性清洗液的组分包括异丙醇、氢氟酸和去离子水，所述异丙醇作为所述挥发性清洗物质，所述氢氟酸作为所述酸性清洗物质；所述挥发性清洗液中，异丙醇的体积占比为30％～50％，氢氟酸的体积占比为1％～3％，去离子水的体积占比为20％～50％。6.根据权利要求4所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，在进行所述慢提拉清洗工艺之前，所述清洗处理还包括：对所述半导体衬底层的表面进行第一水洗工艺。7.根据权利要求1所述的太阳能电池的清洗方法，其特征在于，还包括：在进行所述慢提拉...

【专利技术属性】
技术研发人员：周肃，符欣，陈光羽，徐晓华，王文静，龚道仁，杨龙，程尚之，
申请(专利权)人：安徽华晟新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：