基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法技术

本发明专利技术公开了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，沿着基材的输送方向，设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，进料腔、出料腔中均设有破气阀，真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态，设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；本设备可实现对数量较多的基材进行连续镀膜作业，工艺参数调整简单方便。本发明专利技术还提出了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备方法，使用该方法制备的屏蔽膜层，可用于笔记本外壳、电视机外壳、手机外壳等产品上做为屏蔽膜层，起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。的作用。的作用。

【技术实现步骤摘要】
基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法。

技术介绍

[0002]电磁兼容性(EMC，即Electromagnetic Compatibility)是指设备或系统在其电磁环境中正常运行且不对环境中其他设备产生电磁干扰的能力。具有良好电磁兼容性的设备一方面可有效保证设备自身的安全性，譬如屏蔽外界高频电磁波的干扰，防止外界异常电磁波攻击设备的控制系统；另一方面可防止对其他设备产生电磁干扰，譬如防止设备所产生的高频电磁波对周围的笔记本电脑、移动电话、ADSL等电子产品干扰产生杂讯。
[0003]现有技术通常在设备外壳镀覆电磁屏蔽膜层以提高其电磁兼容性，因此有关如何在产品上镀覆电磁屏蔽膜层成为重要的研究问题，常用的镀膜方法有电化学方法、真空蒸镀方法以及磁控溅射方法，其中，磁控溅射方法具有工艺简单、成膜均匀致密、与基材的结合力强等优点，成为重要的研究方向。
[0004]现有技术专用于制备屏蔽膜层的磁控溅射设备较少，所使用的设备多为单一真空腔室，每镀一层膜都要调整设备的整体参数，并且每完成一件基材镀膜都要人工将其从设备中取出以更换新的基材，操作复杂且更换基材费时费力，该单腔式的镀膜方式无法有效适应规模化的连续生产，设计一种有效提高镀膜作业效率的制备设备是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是为克服现有技术存在的缺陷，提出一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，沿着基材的输送方向，设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，进料腔、出料腔中均设有破气阀，真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态，设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；本设备可实现对数量较多的基材进行连续镀膜作业，适应于规模化的连续生产，自动化程度更高；并且，本设备通过真空腔室阀板开合装置对各个腔体隔断密封，配合真空腔室阀板开合装置实现对各个真空腔室的真空状态的控制，工艺参数调整简单方便，实用性更强，大大提高了镀膜作业效率。
[0006]本专利技术还提出了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备方法，使用该方法制备的屏蔽膜层，可对电磁波产生反射、吸收和抵消等作用，从而起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。可用于笔记本外壳、电视机外壳、手机外壳等产品上做为屏蔽膜层，起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提出了如下技术方案：
[0008]基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，沿着基材的输送方向，所述设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，所述进料腔、出料腔中均设有破气阀，所述真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空
镀膜室保持相同的真空状态，所述设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；
[0009]所述真空腔内传送机构依次连通上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置形成内传送通道；所述真空腔外传送机构依次连通下料升降装置、出料腔的支架、真空镀膜室Y2的支架、真空镀膜室Y1的支架、进料腔的支架以及上料升降装置形成外传送通道；
[0010]还包括真空腔室阀板开合装置，所述真空腔室阀板开合装置包括真空腔室阀板开合装置X1、真空腔室阀板开合装置X2、真空腔室阀板开合装置X3、真空腔室阀板开合装置X4，所述真空腔室阀板开合装置X1设在进料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置X2设在进料腔与真空镀膜室Y1之间，所述真空腔室阀板开合装置X3设在真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述真空腔室阀板开合装置X4设在出料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置用于在进料腔与外部环境之间、出料腔与外部环境之间、进料腔与真空镀膜室之间以及出料腔与真空镀膜室之间隔断密封；
[0011]所述工艺气体系统包括制程气体、气体流量计以及管道，所述制程气体通过管道连通至真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2，所述气体流量计设在管道上；
[0012]所述抽气系统包括初抽真空泵组M1、初抽真空泵组M2、初抽真空泵组M3以及高真空分子泵，在所述进料腔上独立配置初抽真空泵组M1，在所述出料腔上独立配置初抽真空泵组M2，所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2共同配置一组初抽真空泵组M3，在所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2上均配置有高真空分子泵，所述初抽真空泵组M3连通至高真空分子泵的管路；
[0013]真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2中均设有包括靶座、磁铁以及靶材的阴极系统，其中，真空镀膜室Y1中的靶材为金属靶，所述金属靶为铜靶、铝靶、金靶、银靶、镍靶或者铬靶中的一种，真空镀膜室Y2中的靶材为不锈钢靶。
[0014]所述设备还包括冷却系统，所述冷却系统包括冷冻泵、冷冻盘管，所述冷冻盘管分别设在进料腔与真空镀膜室Y1之间、真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述冷冻盘管与冷冻泵相连接。
[0015]所述靶材在每个真空镀膜室中均设有六只，六只靶材依次均布排列设置在靶座上，六只靶材的布设顺序方向与基材的输送方向相一致，单只靶材的布置方向与基材的输送方向相垂直，每只靶材的上部均设有七排依次均布排列设置的磁铁，每排磁铁的两端均嵌置在靶座中，七排磁铁的布设顺序方向与基材的输送方向相一致；
[0016]每只靶材上每相邻两个磁铁的位于同一侧的极性相反；
[0017]每相邻两只靶材的相邻近的两个磁铁，该两个磁铁的位于同一侧的极性相反；
[0018]每只靶材均与溅射电源连通；
[0019]所述靶座中开设有冷却水管道，所述冷却水管道与外部冷却水泵相连通。
[0020]所述制程气体为高纯度氩气，气体纯度大于或等于99.995％。
[0021]所述真空腔室阀板开合装置包括门板、翻转机构、阀板组件，所述门板设在真空镀膜室的腔体阀口、进料腔的阀口以及出料腔的阀口上，所述门板上设有开口；
[0022]所述翻转机构包括第一驱动源、转轴、转轴座、连接轴，所述转轴座设在门板上且位于开口的一侧，所述转轴与转轴座配合，所述第一驱动源的动力输出端与转轴的一端配
合，所述连接轴一端与第一驱动源的动力输出端铰接，另一端与转轴的一端连接；
[0023]所述阀板组件包括阀板固定板、与所述开口的轮廓相配合的阀板，所述阀板设在阀板固定板上，所述阀板固定板设在转轴上与开口相对应的位置；
[0024]其中，所述第一驱动源驱动转轴转动，进而带动阀板打开或关闭开口。
[0025]所述阀板固定板有多个，多个阀板固定板在阀板上顺序布置，所述阀板设在多个阀板固定板的下部，每个阀板固定板的后部均设有凸起部，每个凸起部均与转轴相连接；
[0026]在所述的每个阀板固定板上还设有带有斜坡面的凸起块；
[0027]还包括护锁组件，所述护锁组件包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，沿着基材的输送方向，所述设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，所述进料腔、出料腔中均设有破气阀，所述真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态，所述设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；所述真空腔内传送机构依次连通上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置形成内传送通道；所述真空腔外传送机构依次连通下料升降装置、出料腔的支架、真空镀膜室Y2的支架、真空镀膜室Y1的支架、进料腔的支架以及上料升降装置形成外传送通道；还包括真空腔室阀板开合装置，所述真空腔室阀板开合装置包括真空腔室阀板开合装置X1、真空腔室阀板开合装置X2、真空腔室阀板开合装置X3、真空腔室阀板开合装置X4，所述真空腔室阀板开合装置X1设在进料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置X2设在进料腔与真空镀膜室Y1之间，所述真空腔室阀板开合装置X3设在真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述真空腔室阀板开合装置X4设在出料腔阀口处，所述真空腔室阀板开合装置用于在进料腔与外部环境之间、出料腔与外部环境之间、进料腔与真空镀膜室之间以及出料腔与真空镀膜室之间隔断密封；所述工艺气体系统包括制程气体、气体流量计以及管道，所述制程气体通过管道连通至真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2，所述气体流量计设在管道上；所述抽气系统包括初抽真空泵组M1、初抽真空泵组M2、初抽真空泵组M3以及高真空分子泵，在所述进料腔上独立配置初抽真空泵组M1，在所述出料腔上独立配置初抽真空泵组M2，所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2共同配置一组初抽真空泵组M3，在所述真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2上均配置有高真空分子泵，所述初抽真空泵组M3连通至高真空分子泵的管路；真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2中均设有包括靶座、磁铁以及靶材的阴极系统，其中，真空镀膜室Y1中的靶材为金属靶，所述金属靶为铜靶、铝靶、金靶、银靶、镍靶或者铬靶中的一种，真空镀膜室Y2中的靶材为不锈钢靶。2.如权利要求1所述的基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，所述设备还包括冷却系统，所述冷却系统包括冷冻泵、冷冻盘管，所述冷冻盘管分别设在进料腔与真空镀膜室Y1之间、真空镀膜室Y2与出料腔之间，所述冷冻盘管与冷冻泵相连接。3.如权利要求1所述的基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，所述靶材在每个真空镀膜室中均设有六只，六只靶材依次均布排列设置在靶座上，六只靶材的布设顺序方向与基材的输送方向相一致，单只靶材的布置方向与基材的输送方向相垂直，每只靶材的上部均设有七排依次均布排列设置的磁铁，每排磁铁的两端均嵌置在靶座中，七排磁铁的布设顺序方向与基材的输送方向相一致；每只靶材上每相邻两个磁铁的位于同一侧的极性相反；每相邻两只靶材的相邻近的两个磁铁，该两个磁铁的位于同一侧的极性相反；每只靶材均与溅射电源连通；所述靶座中开设有冷却水管道，所述冷却水管道与外部冷却水泵相连通。4.如权利要求1所述的基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，所述制程
气体为高纯度氩气，气体纯度大于或等于99.995％。5.如权利要求1所述的基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，所述真空腔室阀板开合装置包括门板、翻转机构、阀板组件，所述门板设在真空镀膜室的腔体阀口、进料腔的阀口以及出料腔的阀口上，所述门板上设有开口；所述翻转机构包括第一驱动源、转轴、转轴座、连接轴，所述转轴座设在门板上且位于开口的一侧，所述转轴与转轴座配合，所述第一驱动源的动力输出端与转轴的一端配合，所述连接轴一端与第一驱动源的动力输出端铰接，另一端与转轴的一端连接；所述阀板组件包括阀板固定板、与所述开口的轮廓相配合的阀板，所述阀板设在阀板固定板上，所述阀板固定板设在转轴上与开口相对应的位置；其中，所述第一驱动源驱动转轴转动，进而带动阀板打开或关闭开口。6.如权利要求5所述的基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，其特征在于，所述阀板固定板有多个，多个阀板固定板在阀板上顺序布置，所述阀板设在多个阀板固定板的下部，每个阀板固定板的后部均设有凸起部，每个凸起部均与转轴相连接；在所述的每个阀板固定板上还设有带有斜坡面的凸起块；还包括护锁组件，所述护锁组件包括第二驱动源、连动导杆以及多个导轮，所述第二驱动源的动力输出端与连动导杆的一端连接，所述连动导杆设在开口的另一侧，所述导轮分别设在连动导杆上与凸起块相对应的位置；斜坡面设在凸起块朝向导轮的一侧，其中，所述第二驱动源驱动连动导杆伸出或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李方军，于春锋，张谦，彭岫麟，
申请(专利权)人：山东三齐能源有限公司，
类型：发明
国别省市：