发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置。该发光单元，包括依次设置的金属结构、第一平坦层、电介质结构、第二平坦层和有机发光器件层。本申请实施例中，电介质结构将设计波段的光透射至金属结构，金属结构吸收设计波段的光中的非中心波段的部分，达到滤波的作用，过滤后的设计波段的光具有更高的色纯度，从而可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本发明专利技术提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。进而提高显示面板和显示装置的显示效果。进而提高显示面板和显示装置的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置。

技术介绍

[0002]超表面是近些年来发展起来的一种新型二维光学材料，超表面可以将像素尺寸降低到100纳米左右，单位英寸的像素数能达到数千甚至上万，完全超过了当前阶段OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)的单位英寸的像素数。
[0003]但是，相对于当前阶段OLED显示技术，超表面会导致光的色纯度低。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种发光单元及其制备方法、显示面板、显示装置，用以解决现有技术存在的超表面导致光的色纯度低的技术问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种发光单元，包括：金属结构，位于基材层的一侧；第一平坦层，位于所述基材层和所述金属结构的一侧；电介质结构，位于所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧；第二平坦层，位于所述电介质结构远离所述第一平坦层的一侧；有机发光器件层，位于所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧；所述电介质结构用于将设计波段的光透射至所述金属结构，所述金属结构用于吸收所述设计波段的光中的非中心波段的部分，得到过滤后的所述设计波段的光并反射，所述电介质结构用于透射过滤后的所述设计波段的光。
[0006]可选地，所述电介质结构和所述金属结构均具有结构阵列，所述结构阵列为纳米圆柱阵列或纳米球阵列。
[0007]可选地，发光单元还包括设置在所述基材层和所述金属结构之间的薄膜晶体管层。
[0008]可选地，发光单元还包括设置在所述第二平坦层和所述有机发光器件层之间的薄膜晶体管层。
[0009]第二个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括至少三种本申请实施例第一方面提供的所述的发光单元，用于过滤至少三种设计波段的光中的非中心波段的部分，并出射过滤后的至少三种所述设计波段的光。
[0010]可选地，至少三种所述发光单元包括第一颜色的发光单元，所述第一颜色的发光单元用于过滤第一设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第一设计波段的光；所述第一颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为90纳米至200纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至200纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。
[0011]可选地，至少三种所述发光单元包括第二颜色的发光单元，所述第二颜色的发光
单元用于过滤第二设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第二设计波段的光；所述第二颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。
[0012]可选地，至少三种所述发光单元包括第三颜色的发光单元，所述第三颜色的发光单元用于过滤第三设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第三设计波段的光；所述第三颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至120纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。
[0013]第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括本申请实施例第二方面提供的任一项所述的显示面板。
[0014]第四个方面，本申请实施例第一方面提供的任一项所述发光单元的制备方法，包括：在基材层的一侧制备金属结构；在所述金属结构远离所述基材层、以及所述基材层未被所述金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层；在所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧制备电介质结构；在所述电介质结构远离所述第一平坦层，以及所述第一平坦层未被所述电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层；在所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧制备有机发光器件层。
[0015]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0016]电介质结构将设计波段的光透射至金属结构，金属结构将设计波段的光中非中心波长位置吸收掉，以达到滤波的作用，这样可以提高光的颜色的精度或纯度，从而有利于提升具有本专利技术提供的发光单元的显示面板和显示装置的色域的质量，进而提高显示面板和显示装置的显示效果。
[0017]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1为本申请实施例提供的一种发光单元的结构示意图；
[0020]图2为本申请实施例提供的薄膜晶体管层位于第二平坦层和有机发光器件层之间的发光单元的结构示意图；
[0021]图3为本申请实施例提供的有机发光器件层的结构示意图；
[0022]图4为本申请实施例提供的发光结构的结构示意图；
[0023]图5为本申请实施例提供的一种发光单元制备方法中的流程示意图；
[0024]图6为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法的流程示意图；
[0025]图7为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在基材层的一侧制备薄膜晶体管层后的膜层结构示意图；
[0026]图8为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在薄膜晶体管层60远离基材层的一侧制备金属结构后的膜层结构示意图；
[0027]图9为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在金属结构远离薄膜晶体管层、以及薄膜晶体管层未被金属结构覆盖的一侧，制备第一平坦层后的膜层结构示意图；
[0028]图10为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第一平坦层远离金属结构的一侧制备电介质结构后的膜层结构示意图；
[0029]图11为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在电介质结构远离第一平坦层，以及第一平坦层未被电介质结构覆盖的一侧，制备第二平坦层后的膜层结构示意图；
[0030]图12为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第一平坦层和第二平坦层中未涉及金属结构和电介质结构的区域，开设通孔后的膜层结构示意图；
[0031]图13为本申请实施例提供的一种发光单元的具体制备方法中，在第二平坦层远离电介质结构的一侧和所述通孔中暴露的薄膜晶体管层，制备阳极结构后的膜层结构示意图；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光单元，其特征在于，包括：金属结构，位于基材层的一侧；第一平坦层，位于所述基材层和所述金属结构的一侧；电介质结构，位于所述第一平坦层远离所述金属结构的一侧；第二平坦层，位于所述电介质结构远离所述第一平坦层的一侧；有机发光器件层，位于所述第二平坦层远离所述电介质结构的一侧；所述电介质结构用于将设计波段的光透射至所述金属结构，所述金属结构用于吸收所述设计波段的光中的非中心波段的部分，得到过滤后的所述设计波段的光并反射，所述电介质结构用于透射过滤后的所述设计波段的光。2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述电介质结构和所述金属结构均具有结构阵列，所述结构阵列为纳米圆柱阵列或纳米球阵列。3.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，还包括：设置在所述基材层和所述金属结构之间的薄膜晶体管层。4.根据权利要求1或2所述的发光单元，其特征在于，还包括：设置在所述第二平坦层和所述有机发光器件层之间的薄膜晶体管层。5.一种显示面板，其特征在于，包括至少三种如上述权利要求1
‑
4中任一项所述的发光单元，用于过滤至少三种设计波段的光中的非中心波段的部分，并出射过滤后的至少三种所述设计波段的光。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，至少三种所述发光单元包括第一颜色的发光单元，所述第一颜色的发光单元用于过滤第一设计波段的光中非中心波段的部分，并出射过滤后的所述第一设计波段的光；所述第一颜色的发光单元包括：电介质结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为90纳米至200纳米，任意相邻的两个所述电介质结构的纳米圆柱的间隔为90纳米至400纳米；金属结构的纳米圆柱高度为60纳米至100纳米，底面直径为80纳米至200纳米，任意相邻两个所述金属结构的纳米圆柱的间隔为120纳米至400纳米。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李然，田宏伟，王晶，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：