光源组件、光传感器组件及制造其单元的方法技术

一种光源组件包括多个单元及驱动电路。所述单元当中的每一者包括：晶体管，包括汲区；及光源，其中所述晶体管的所述汲区用作所述光源的阴极。所述驱动电路配置来驱动所述单元。所述驱动电路配置来驱动所述单元。所述驱动电路配置来驱动所述单元。

【技术实现步骤摘要】
光源组件、光传感器组件及制造其单元的方法


[0001]本申请要求于2020年03月27日提交的美国专利申请号16/831,840及2020年08月28日提交的美国专利申请号17/005,343的优先权，其通过引用并入本文，并且成为说明书的一部分。
[0002]本公开涉及光源组件，尤其涉及具备晶体管的光源组件。

技术介绍

[0003]一种发光二极管(light
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emitting diode,LED)组件，包括多个发光二极管单元和驱动电路。每个发光二极管单元包括发光二极管和晶体管。该发光二极管包括p型半导体层，连接到该p型半导体层的p型发光二极管电极(或阳极端子)，n型半导体层和连接到n型半导体层的n型发光二极管电极(或阴极端子)。驱动电路被配置为驱动发光二极管单元，例如以控制发光二极管的开
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关状态和亮度。传统的LED尺寸大且制造工艺复杂。

技术实现思路

[0004]本公开的一个方面提供了一种光源组件，包括多个单元，每个所述单元包括晶体管、光源、和驱动电路。所述晶体管包括用作所述光源的阴极的汲区。所述驱动电路被配置为驱动所述单元。
[0005]本公开的一个方面提供了一种光传感器单元，包括晶体管，在基板上且包括汲区；光源，在所述基板上且耦合于所述晶体管，并配置来发光，其中所述晶体管的所述汲区用作所述光源的阴极；及光传感器，在所述基板上且配置来检测所述光线。
[0006]本公开的一个方面提供了一种制造光传感器组件的光传感器单元的方法，包括：在基板上方形成光源；以及在形成所述光源之后，在基板上方形成光传感器。
[0007]综上所述，本公开的光源组件具有相对紧凑的尺寸并且制造相对简单。
附图说明
[0008]为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。
[0009]图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性发光二极管组件的示意图；
[0010]图2是示出根据本公开的一些实施例的制造发光二极管组件的发光二极管单元的示例性方法的流程图；
[0011]图3
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28是示出根据本公开的一些实施例的发光二极管单元的制造中的各个阶段的示意性截面图；
[0012]图29是示出根据本公开的一些实施例的示例性光传感器组件的示意图；
[0013]图30是示出根据本公开的一些实施例的制造光传感器组件的光传感器单元的示例性方法的流程图；
[0014]图31
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58是示出根据本公开的一些实施例的光传感器单元的制造中的各个阶段的示意性截面图；和
[0015]图59
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61是示出根据本公开的一些实施例的示例性光传感器单元的示意性截面图。
[0016]然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。
[0017]应该注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法，结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不能精确地反映任何给定实施例的精确的结构或性能特征，并且不应被解释为定义或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或放大层，区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。主要元件符号说明
具体实施方式
[0018]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
[0019]现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。贯穿全文，相似的参考标号指代相似的元件。
[0020]本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本公开。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个”和“所述”旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，操作，组件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，组件，组件和/或其群组。
[0021]除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。
[0022]本文描述的系统和方法包括发光二极管(light
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emitting diode,LED)组件，例如图1中的LED组件100，其包括发光二极管单元(LED单元)，例如LED单元110。LED单元110包括发光二极管(LED)，例如，LED 140和晶体管，例如晶体管150。在一个实施例中，晶体管150包括汲极端子(例如，汲极端子180)，其用作(serve as)LED 140的阴极端子或n型LED电极。因此，在这样的实施例中，LED 140不具有(free of)阴极端子或n型LED电极。图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性LED组件100的示意图。
[0023]更详细地，图1的示例包括多个LED单元，例如LED单元110，行解码器120a，列解码器120b和驱动电路130。如图1所示，LED单元以行和列的阵列布置。由于所述多个LED单元在结构和操作上相似，故以下仅描述LED单元110。LED单元110包括LED 140和晶体管150。LED140包括阳极端子160或p型LED电极，其被配置为接收电源电压(Vcc)。晶体管150包括源极端子170，其被配置为接收小于电源电压(Vcc)的参考电压(例如，0V)。在一个实施例中，晶体管150还包括汲极端子180，其用作LED 140的阴极端子或n型LED电极。因此，在这样的实施例中，LED 140不具有(freeof)阴极端子或n型LED电极。
[0024]所述行、列解码器120a，120b连接到所述多个LED单元，并且被配置来选取所述多个LED单元的其中一者，例如LED单元110。驱动电路130连接到行、列解码器120a，120b，并且被配置来驱动，即控制由行、列解码器120a，120b所选取的LED单元110的LED 140的开/关状态和亮度。
[0025]在LED组件100的示例性操作中，在初始状态下，例如0V的栅极电压(Vg)被施加到晶体管150的栅极端子190。这使晶体管150在关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光源組件，其特征在于，包括：多个单元，所述单元当中的每一者包括：晶体管，包括汲区；及光源，其中所述晶体管的所述汲区用作所述光源的阴极；及驱动电路，配置来驱动所述单元。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中所述光源包括光源层且所述晶体管的所述汲区在所述光源层的侧壁上。3.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中所述晶体管进一步包括源区及在所述源区上的电极且其中所述晶体管的所述汲区没有电极。4.一种光传感器单元，其特征在于，包括：晶体管，在基板上且包括汲区；光源，在所述基板上且耦合于所述晶体管，并配置来发光，其中所述晶体管的所述汲区用作所述光源的阴极；及光传感器，在所述基板上且配置来检测所述光线。5.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，其中所述基板包括第一井区和第二井区且所述晶体管及所述光源位于所述基板的所述第一井区上。6.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，其中所述基板包括第一井区和第二井区且所述晶体管位于所述基板的所述第一井区上，且所述光传感器位于所述基板的所述第二井区上。7.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，其中所述基板包括第一井区和第二井区，所述光源位于所述基板的所述第一井区上，且所述光传感器位于所述基板的所述第二井区上。8.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，所述光源在所述晶体管及所述光传感器之间。9.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，其中所述光传感器包括第一光传感器区，及在所述光源和所述第一光传感器区之间的第二光传感器区。10.如权利要求9所述的光传感器单元，其特征在于，其中所述光传感器进一步包括在基板上的本质光传感器区且所述第二光传感器区位于所述本质光传感器区。11.如权利要求4所述的光传感器单元，其特征在于，还包括所述晶体管的源区；钝化层，在所述源区的顶表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明宗，潘锡明，汪秉龙，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：