发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法技术

一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III

【技术实现步骤摘要】
发光二极管组件及制造其发光二极管单元的方法


[0001]本申请要求于2020年03月27日提交的美国专利申请号16/831840的优先权，其通过引用并入本文，并且成为说明书的一部分。
[0002]本公开涉及发光二极管，尤其涉及具备晶体管及发光二极管的发光二极管组件。

技术介绍

[0003]一种发光二极管(light
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emitting diode，LED)组件，包括多个发光二极管单元和驱动电路。每个发光二极管单元包括发光二极管和晶体管。该发光二极管包括p型半导体层，连接到该p型半导体层的p型发光二极管电极(或阳极端子)，n型半导体层和连接到n型半导体层的n型发光二极管电极(或阴极端子)。驱动电路被配置为驱动发光二极管单元，例如以控制发光二极管的开
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关状态和亮度。但是，随着集成化和小型化的发展，传统的LED组件的结构不利于其小型化的发展需求，因此需要一种新的LED组件结构。

技术实现思路

[0004]本公开的一个方面提供了一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括具有III
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V族化合物半导体的第一发光二极管层、在所述第一发光二极管层上方的第二发光二极管层、及在所述第二发光二极管层上方的发光二极管电极。所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层。所述驱动电路配置来驱动所述多个发光二极管单元。
[0005]本公开的一个方面提供了一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元及驱动电路。每个所述发光二极管单元包括发光二极管及晶体管。所述发光二极管包括发光二极管层，所述发光二极管层包括III
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V族化合物半导体并具有第一侧壁及相对于所述第一侧壁的第二侧壁。所述晶体管包括汲区，所述汲区连接所述发光二极管层的所述第一侧壁，其中所述发光二极管层的所述第二侧壁不具有所述汲区。所述驱动电路配置来驱动所述多个发光二极管单元。
[0006]本公开的一个方面提供了一种制造发光二极管单元的方法，包括：在基材上方形成所述发光二极管单元的发光二极管；和在形成所述发光二极管之后，在所述基材上方形成所述发光二极管单元的晶体管。其中形成所述发光二极管包括在所述基材上生长III
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V族化合物半导体。所述晶体管包括连接到所述发光二极管的汲区。
[0007]通过以上方案可以使得产品结构更紧凑，更有利于小型化的发展需求。另外，此结构也有利于简化制造工艺。
附图说明
[0008]为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附图式仅说明本案的典
型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。
[0009]图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性发光二极管组件的示意图；
[0010]图2是示出根据本公开的一些实施例的制造发光二极管组件的发光二极管单元的示例性方法的流程图；和
[0011]图3
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28是示出根据本公开的一些实施例的发光二极管单元的制造中的各个阶段的示意性截面图。
[0012]然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。
[0013]应该注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法，结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不能精确地反映任何给定实施例的精确的结构或性能特征，并且不应被解释为定义或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或放大层，区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。主要元件符号说明
具体实施方式
[0014]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
[0015]现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。贯穿全文，相似的参考标号指代相似的元件。
[0016]本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本公开。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式
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一
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一个
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和
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所述
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旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，
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包括
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具有
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，整数，步骤，操作，组件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，组件，组件和/或其群组。
[0017]除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。
[0018]本文描述的系统和方法包括发光二极管(light
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emitting diode，LED)组件，例如图1中的LED组件100，其包括发光二极管单元(LED单元)，例如LED单元110。LED单元110包括发光二极管(LED)，例如，LED 140和晶体管，例如晶体管150。在一个实施例中，晶体管150包括汲区(例如，图22中的汲区1920和图28中的汲区2520)，其用作LED 140的阴极端子或n型LED电极。因此，在这样的实施例中，LED 140不具有(free of)阴极端子或n型LED电极。图1是示出根据本公开的一些实施例的示例性LED组件100的示意图。
[0019]更详细地，图1的示例包括多个LED单元，例如LED单元110，行解码器120a，列解码器120b和驱动电路130。如图1所示，LED单元以行和列的阵列布置。由于所述多个LED单元在结构和操作上相似，故以下仅描述LED单元110。LED单元110包括LED 140和晶体管150。LED140包括阳极端子160或p型LED电极，其被配置为接收电源电压(Vcc)。晶体管150包括源区170，其被配置为接收小于电源电压(Vcc)的参考电压(例如，OV)。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管组件，包括：多个发光二极管单元，每个所述发光二极管单元包括：发光二极管，包括第一发光二极管层，包括III
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V族化合物半导体，第二发光二极管层，在所述第一发光二极管层上方，发光二极管电极，在所述第二发光二极管层上方，其中所述第一发光二极管层不具有发光二极管电极，及晶体管，包括汲区，所述汲区连接所述第一发光二极管层；及驱动电路，配置来驱动所述多个发光二极管单元。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第二发光二极管层覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部。3.如权利要求2所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第二发光二极管层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的所述相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。4.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括在所述第一和第二发光二极管层之间并且覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部的发光层。5.如权利要求4所述的发光二极管组件，其特征在于，所述发光层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。6.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括透明导电层，在所述第二发光二极管层和所述发光二极管电极之间，并覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部。7.如权利要求6所述的发光二极管组件，其特征在于，所述透明导电层还覆盖所述第一发光二极管层的顶表面上的相对的多个端部之间的所述第一发光二极管层的顶表面上的中间部分。8.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述汲区不具有汲电极；所述汲区直接接触所述第一发光二极管层。9.一种发光二极管组件，包括多个发光二极管单元，每个所述发光二极管单元包括：发光二极管，包括发光二极管层，所述发光二极管层包含III
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V族化合物半导体并具有第一侧壁及相对于所述第一侧壁的第二侧壁，及晶体管，包括汲区，所述汲区直接连接所述发光二极管层的所述第一侧壁，其中所述发光二极管层的所述第二侧壁不具有所述汲区；及驱动电路，配置来驱动所述多个发光二极管单元。10.如权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述晶体管的整个所述汲区。11.如权利要求9所述的发光二极管组件，其特征在于，还包括所述晶体管的源区；钝化层，在所述源区的顶表面上方；和
源电极，位于所述源区的顶表面上方，其中所述钝化层和所述源电极覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘锡明，王明宗，汪秉龙，
申请(专利权)人：宏齐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：