用于制造集成电路的热点避免方法技术

本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。一种方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；以及将第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者进行比较。比较步骤包括计算第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者之间的相似度值。方法还包括将相似度值与预定阈值相似度值进行比较，并且响应于相似度值大于预定阈值相似度值的结果，记录具有该结果的相应图像的位置。该位置是相应图像在布图中的位置。是相应图像在布图中的位置。是相应图像在布图中的位置。

【技术实现步骤摘要】
用于制造集成电路的热点避免方法


[0001]本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。

技术介绍

[0002]在集成电路的制造中，在通过从所制造的晶圆进行物理测量来完成相应工艺之后，可能发现诸如拓扑热点(hotspot)之类的工艺相关缺陷。例如，要找到与化学机械抛光(CMP)相关的缺陷，必须执行几个阶段(包括电路设计阶段、电路布图阶段、在物理晶圆上制造和执行CMP、以及测量物理晶圆)以发现拓扑缺陷。该过程通常需要三个月。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自所述多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；将所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者进行比较，其中，所述比较包括计算所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者之间的相似度值；将所述相似度值与预定阈值相似度值进行比较；以及响应于所述相似度值大于所述预定阈值相似度值的结果，记录具有所述结果的相应图像的位置，其中，所述位置是所述相应图像在所述布图中的位置。
[0004]根据本公开的另一实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成多个散列值，每个散列值来自所述多个图像之一；从热点库中搜索以找到与所述多个散列值相似的相似散列值，其中，所述热点库存储索引到具有热点的图像的散列值；以及标记所述多个图像中的与所述相似散列值相关联的一些图像在所述集成电路的布图上的位置。
[0005]根据本公开的又一实施例，提供了一种制造半导体器件的系统，包括：库，存储在有形介质中，所述库包括多个条目，每个条目包括：散列值；图像，与所述散列值相关联，其中，所述图像包括热点；配方，被配置为减少所述热点；以及所述热点的拓扑信息。
附图说明
[0006]在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。
[0007]图1至图4示出了根据一些实施例的在其上执行化学机械抛光工艺的结构以及结果的横截面视图。
[0008]图5示出了根据一些实施例的集成电路的设计和制造中的示意流程。
[0009]图6示出了根据一些实施例的用于构造热点库的过程流程。
[0010]图7示出了根据一些实施例的示例图像和所生成的散列值。
[0011]图8示出了根据一些实施例的具有热点的示例晶圆的示意图。
[0012]图9示出了根据一些实施例的示例裁剪图像。
[0013]图10示出了根据一些实施例的对散列值的分组。
[0014]图11和图12示出了根据一些实施例的具有不同图案密度和线宽的裁剪图像中的所表示区域。
[0015]图13示出了根据一些实施例的使用热点库来确定可能的热点的过程流程。
[0016]图14示出了根据一些实施例的将布图裁剪成多个裁剪图像。
[0017]图15示出了根据一些实施例的用于找到与热点相对应的配方(recipe)的过程流程。
[0018]图16示出了根据一些实施例的寻找配方中的图形表示。
[0019]图17示出了根据一些实施例的示例配方。
[0020]图18示出了根据一些实施例的改进热点预防模型和改进配方的过程。
[0021]图19示出了根据一些实施例的用于执行任务的系统。
具体实施方式
[0022]下面的公开内容提供了用于实现本专利技术的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅仅是示例而不意图是限制性的。例如，在下面的说明中，在第二特征上方或之上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开在各个示例中可能重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简单性和清楚性的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0023]此外，本文中可能使用了空间相关术语(例如，“下方”、“之下”、“低于”、“以上”、“上部”等)，以易于描述图中所示的一个要素或特征相对于另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用的空间相关描述符同样可能被相应地解释。
[0024]根据一些实施例，提供了一种用于制造集成电路的热点避免方法。根据一些实施例，示出了用于预测热点并且使用所预测的热点来找到最佳配方的系统和过程。讨论了一些实施例的一些变型。本文所讨论的实施例将提供示例，以使得能够进行或使用本公开的主题，并且本领域普通技术人员将容易理解能够做出的修改，同时保持在不同实施例的预期范围内。贯穿各种视图和说明性实施例，相似的参考编号用于指示相似的元件。虽然方法实施例可能被讨论为以特定顺序执行，但是其他方法实施例可以以任何逻辑顺序执行。
[0025]在整个说明书中，术语“热点”是指在集成电路制造工艺中生成的缺陷，而不是与设计有关的缺陷。换句话说，术语“热点”是指工艺相关缺陷。热点的示例是化学机械抛光(CMP)工艺中生成的缺陷，这将参考图1至图4进行详细讨论，同时热点还可以指其他类型的缺陷，包括但不限于与蚀刻工艺有关的缺陷(例如，在蚀刻工艺中想要去除但未能去除的部分)、与沉积工艺有关的缺陷等。
[0026]图1至图4示出了一些特征的沉积、CMP工艺、以及由于CMP而产生的几个可能结果。应当理解，图1至图4示出了用于形成金属线的CMP工艺的示例结构，而实际CMP工艺可以施
加于不同的结构、不同的材料等。参考图1，提供了晶圆10。晶圆10包括基底层20，该基底层20可以包括例如硅衬底以及上覆的结构和层，并且未示出细节。可以形成延伸到基底层20的电介质层中的多个沟槽。然后进行沉积工艺以沉积胶层22，并且在胶层22之上沉积金属材料24。根据本公开的一些实施例，胶层22可以由钛、氮化钛、钽、氮化钽等形成，或包括钛、氮化钛、钽、氮化钽等。填充材料24可以包括铜、铝铜等。由于基底层20中的沟槽的拓扑，所沉积的金属材料24具有能够反映基底层20的拓扑的非平面顶表面。执行CMP工艺以去除金属材料24的多余部分，产生多个导电特征26(包括26A和26B)，该多个导电特征26可以包括金属线、通孔、接触插塞等，如图2、图3或图4所示。
[0027]由于各种因素，例如基底层20的拓扑(例如，沟槽的密度和宽度)、以及CMP工艺的配方，可以实现不同的结果，如图2、图3或图4所示。在整个说明书中，术语“配方”是指工艺条件的集合，例如CMP工艺中的(子)步骤的数量、浆料的类型、浆料的流速、晶圆相对于抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自所述多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；将所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者进行比较，其中，所述比较包括计算所述第一多个散列值中的每一者与所述第二多个散列值中的每一者之间的相似度值；将所述相似度值与预定阈值相似度值进行比较；以及响应于所述相似度值大于所述预定阈值相似度值的结果，记录具有所述结果的相应图像的位置，其中，所述位置是所述相应图像在所述布图中的位置。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个图像形成阵列，并且所述位置包括所述相应图像在所述阵列中的行号和列号。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在晶圆上制造所述集成电路，其中，所述制造包括对所述晶圆执行化学机械抛光工艺；以及从所述位置找到热点，其中，所述热点是所述晶圆中的由于所述化学机械抛光工艺而产生的缺陷。4.根据权利要求1所述的方法，其中，裁剪所述多个图像包括：将所述布图划分为图像的阵列，并且裁剪所述阵列中的所述多个图像中的每个图像。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定阈值相似度值为0.9。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翼硕，夏致群，周信廷，苏冠华，洪伟伦，陈志宏，陈科维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：