聚合物、含有聚合物而成的半导体组合物、以及使用了半导体组合物的膜的制造方法技术

提供形成膜时可以减少升华物的新型聚合物以及包含该聚合物的组合物。根据本发明专利技术的聚合物(A)包含从以下描述的由单元(a)、单元(b)、单元(c)和单元(d)组成的组中选择的至少一个结构单元，单元(a)、(b)、(c)和(d)的各自的重复数n

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物、含有聚合物而成的半导体组合物、以及使用了半导体组合物的膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及含有特定的结构单元而成的聚合物、以及含有该聚合物而成的半导体组合物。此外，本专利技术涉及使用了半导体组合物的膜、以及器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体等器件的制造过程中，通常通过使用光致抗蚀剂的光刻技术进行精细加工。微细加工的工序是在硅晶片等半导体基板上形成薄的光致抗蚀剂层，用对应于以该层为目标的器件的图案的掩模图案覆盖该层，通过掩模图案用紫外线等活性光线曝光该层，通过显影曝光的层而得到光致抗蚀剂图案，将得到的光致抗蚀剂图案作为保护膜来蚀刻基板，由此形成与上述图案对应的精细凹凸。
[0003]在这些光刻工序中，由于来自基板的光的反射而引起的驻波的影响、以及由于基板的阶梯差引起的曝光光的乱反射的影响，导致光致抗蚀剂图案的尺寸精度降低的问题。因此，为了解决这个问题，广泛讨论了设置下层防反射膜的方法。作为这样的下层防反射膜所要求的特性，可列举出：对用于光致抗蚀剂的曝光的放射线具有大的吸光度，防止乱反射等使得曝光和显影后的光致抗蚀剂的截面与基板表面垂直，以及对光致抗蚀剂组合物中包含的溶剂具有难溶性(不容易发生混合)等。
[0004]专利文献1公开了包含交联剂的防反射涂层组合物。虽然专利文献2公开了具有特定聚合物的精细抗蚀剂图案形成用组合物，但是没有记载是否能够形成下层防反射膜、或是否具有作为下层防反射膜的要求特性。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开2011/101737
[0008]专利文献2：日本特开2014
‑
71424号公报
[0009]专利文献3：国际公开2007/111147

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]本专利技术者认为还有一个以上的课题需要改进。它们例如可以列举如下：减少升华物；合适的耐腐蚀性；涂抹性；对复杂而精细的基板的嵌入性(例如，阶梯状基板)；可以在低温下形成膜；大吸光度；合适的折射率；驻波减少；减少与其他组合物(例如抗蚀剂组合物)或膜的混合；形成的膜的上表面平坦；溶质溶性高；保存稳定性；形成的抗蚀剂图案形状良好，成品率高：LWR低。
[0012]本专利技术是基于上述技术背景而完成的，提供新的聚合物及包含其而成的组成物。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本专利技术的聚合物(A)，包含从以下单元(a)、单元(b)、单元(c)和单元(d)组成的组
中选择的至少一个结构单元：
[0015]式(a)所表示的单元(a)：
[0016][0017](式(a)中，R
a1
和R
a2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基或
‑
COOH，
[0018]L
a
为单键、C1‑5亚烷基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，
[0019]ma为0～1，
[0020]X
a1
为H、或C1‑5烃基(C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH2‑
可以分别独立地被
‑
NH
‑
、
‑
C(＝O)
‑
和/或
‑
O
‑
替换，且C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH3也可以分别独立地被
‑
NH2和/或
‑
COOH替换)，
[0021]Y
a
为N或O，其中，Y
a
为N时pa为1或2的整数，Y
a
为O时pa为1，
[0022]X
a2
为H、或C1‑5烃基(C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH2‑
可以分别独立地被
‑
NH
‑
、
‑
C(＝O)
‑
和/或
‑
O
‑
替换，且C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH3也可以分别独立地被
‑
NH2和/或
‑
COOH替换)，pa为2时，2个X
a2
可以相同也可以不同，
[0023]其中，还可以是X
a1
与X
a2
键合，和/或pa为2时2个X
a2
键合，形成饱和环或不饱和环)；
[0024]式(b)所表示的单元(b)：
[0025][0026](式(b)中，
[0027]R
b1
和R
b2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、C1‑5烷氧基烷基、或
‑
COOH，
[0028]mb为0～1，
[0029]L
b
为单键、C1‑5亚烷基、C6‑
20
亚芳基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，
[0030]Z
b
为C6‑
20
芳香族烃或C7‑
20
芳香族取代脂肪族烃，
[0031]pb为0～4，
[0032]qb为1～3，
[0033]R
b3
为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、C1‑5烷氧基烷基、或
‑
COOH，pb>1时，各个R
b3
可以相同也可以不同，
[0034]R
b4
为H或甲基，qb>1时，各R
b4
可以相同也可以不同，
[0035]其中，单元(b)包含含有至少1个缩合结构的芳基)；
[0036]式(c)所表示的单元(c)：
[0037][0038](式(c)中，
[0039]R
c1
和R
c2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、或
‑
COOH，
[0040]mc为0～1，
[0041]L
c
为单键、C1‑5亚烷基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，
[0042]V
c
为缩合芳香族烃或缩合杂环，V
c
为3～6个环缩合而成，
[0043]pc为0～5，
[0044]R
c3
为C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、或
‑
COOH，pc>1时，各R
c3
可以相同也可以不同)；以及
[0045]下述式(d)所表示的单元(d)：
[0046][0047](式(d)中，
[0048]R...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚合物(A)，包含从以下单元(a)、单元(b)、单元(c)和单元(d)组成的组中选择的至少一个结构单元：式(a)所表示的单元(a)：(式(a)中，R
a1
和R
a2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基或
‑
COOH，L
a
为单键、C1‑5亚烷基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，ma为0～1，X
a1
为H、或C1‑5烃基(C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH2‑
可以分别独立地被
‑
NH
‑
、
‑
C(＝O)
‑
和/或
‑
O
‑
替换，且C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH3也可以分别独立地被
‑
NH2和/或
‑
COOH替换)，Y
a
为N或O，其中，Y
a
为N时pa为1或2的整数，Y
a
为O时pa为1，X
a2
为H、或C1‑5烃基(C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH2‑
可以分别独立地被
‑
NH
‑
、
‑
C(＝O)
‑
和/或
‑
O
‑
替换，且C1‑5烃基中的1个以上的
‑
CH3也可以分别独立地被
‑
NH2和/或
‑
COOH替换)，pa为2时，2个X
a2
可以相同也可以不同，其中，还可以是X
a1
与X
a2
键合，和/或pa为2时2个X
a2
键合，形成饱和环或不饱和环)；式(b)所表示的单元(b)：(式(b)中，R
b1
和R
b2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、C1‑5烷氧基烷基、或
‑
COOH，mb为0～1，L
b
为单键、C1‑5亚烷基、C6‑
20
亚芳基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，Z
b
为C6‑
20
芳香族烃或C7‑
20
芳香族取代脂肪族烃，
pb为0～4，qb为1～3，R
b3
为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、C1‑5烷氧基烷基、或
‑
COOH，pb>1时，各个R
b3
可以相同也可以不同，R
b4
为H或甲基，qb>1时，各R
b4
可以相同也可以不同，其中，单元(b)包含含有至少1个缩合结构的芳基)；式(c)所表示的单元(c)：(式(c)中，R
c1
和R
c2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、或
‑
COOH，mc为0～1，L
c
为单键、C1‑5亚烷基、
‑
O
‑
、或C1‑5亚烷氧基，V
c
为缩合芳香族烃或缩合杂环，V
c
为3～6个环缩合而成，pc为0～5，R
c3
为C1‑5烷基、C1‑5烷氧基、或
‑
COOH，pc>1时，各R
c3
可以相同也可以不同)；以及下述式(d)所表示的单元(d)：(式(d)中，R
d1
和R
d2
分别独立地为H、C1‑5烷基、C1‑5烷氧基或
‑
COOH，md为0～1，L
d
为单键、C1‑5亚烷基(C1‑5亚烷基中的1个以上的
‑
CH2‑
可以被
‑
NH
‑
、
‑
C(＝O)
‑
和/或
‑
O
‑
替换，且C1‑5亚烷基中的1个以上的
‑
CH3可以被
‑
OH、
‑
NH2和/或<...

【专利技术属性】
技术研发人员：仁川裕，片山朋英，矢野友嗣，张锐，菱田有高，铃木理人，小崎力生，冈村聪也，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：