探测存储电压的方法、使用该电压的显示设备及驱动方法技术

本发明专利技术提供一种探测存储电压的方法、使用该电压的显示设备及驱动方法。探测存储电压的方法包括施加测试电压到显示面板中的存储线，同时变化测试电压，该显示面板具有设置在存储线和数据线之间的有源层，有源层根据测试电压处于活性状态或非活性状态，并探测对应于有源层的非活性状态中的测试电压的存储电压。因此，显示面板通过使用探测的存储电压来驱动，使得开口率可以增加且电流消耗可以降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于探测存储电压的方法、使用该存储电压的显示设备 以及用于驱动该显示设备的方法。更具体地，本专利技术涉及一种用于探测施加 到形成存储电容器的存储线的存储电压的方法、使用该存储电压的显示设备 以及用于驱动该显示设备的方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)设备是显示图像的显示设备，包括显示基板、面对 该显示基板的对向基板、以及设置在显示基板和对向基板之间的液晶层。常规地，显示基板包括形成在透明基板上的栅极线、数据线、存储线、 薄膜晶体管(TFT)和像素电极，以独立地驱动多个像素。对向基板包括具 有红滤色器(R)、绿滤色器(G)和蓝滤色器(B)的滤色器层，设置在滤 色器之间的边界部分的黑矩阵，以及与像素电极相对的公共电极。最近，已经研发了其中与栅极线一起形成的存储线部分地与数据线交叠 的结构以防止光泄漏并增加开口率。然而，当进行在过程中使用 一个掩模形成数据线和有源层的四次掩模方 法时，设置在数据线下面的有源层突出到数据线的轮廓。因此，像素电极和 数据线之间的距离增加来对应于有源层的突出长度以便防止在像素电极和 数据线之间产生的寄生电容增加，从而会使得开口率降低。
技术实现思路
本专利技术致力于解决上述问题，本专利技术的方面提供用于探测存储电压以防 止有源层被激活而形成导体的方法，使用该存储电压的显示设备，以及用于 驱动使用该存储电压的显示设备的方法。在一示范性实施例中，本专利技术提供探测存储电压的方法，该方法包括施 加测试电压到显示面板中的存储线，同时变化该测试电压，该显示面板具有 设置在存储线和数据线之间的有源层，该有源层根据该测试电压处于活性状态或非活性状态，并探测对应于有源层的非活性状态中的测试电压的存储电 压。根据一示范性实施例，探测存储电压包括测量显示面板的电流消耗，该 电流消耗根据测试电压的变化而变化，并基于该电流消耗确定存储电压。根据一示范性实施例，确定存储电压包括将存储电压确定为等于或小于 对应于 一起始点的测试电压，在该起始点随着测试电压的降低而饱和的电流 消耗开始迅速下降。作为替换，根据另一示范性实施例，确定存储电压包括将存储电压确定 为等于或小于对应于一起始点的测试电压，在该起始点随着测试电压的降低 迅速下降的电流消耗开始饱和。根据另一示范性实施例，本专利技术提供一种显示设备，包括具有设置在存 储线和数据线之间的有源层的显示基板，以及将存储电压提供到存储线的电 源供应部分，有源层由该存储电压而处于非活性状态。根据一示范性实施例，该存储电压在大约-20V和大约12V之间的范围 中。根据一示范性实施例，该存储电压在大约-20V和大约OV之间的范围中。根据一示范性实施例，该显示基板包括第一金属图案，形成在基板上， 且包括栅极线和存储线，栅极线接收从电源供应部分提供的栅极信号；第一 绝缘层，形成在其上形成有第一金属图案的基板上；第二金属图案，形成在 第一绝缘层上，并包括至少部分地与存储线交叠且接收从电源供应部分提供 的数据信号的数据线；第二绝缘层，形成在其上形成有第二金属图案的基板 上；以及像素电极，对应于每个像素形成在第二绝缘层上，而且部分地与存 储线交叠。根据一示范性实施例，有源层形成在第一绝缘层和第二金属图案 之间。另外，有源层包括突出到第二金属图案的外侧的有源突出部分。根据一示范性实施例，存储线包括存储部分，其与栅极线平行延伸；以 及光阻挡部分，其沿数据线从存储部分延伸并与数据线交叠。根据一示范性实施例，光阻挡部分的宽度大于数据线的宽度和有源层的 宽度。在另一示范性实施例中，本专利技术提供一种驱动显示设备的方法，该方法 包括施加栅极信号到栅极线以使薄膜晶体管导通，施加数据电压到与有源层 和存储线交叠的数据线，以在当薄膜晶体管导通时将数据电压传输到像素电 极，以及施加在大约-20V和大约12V之间的范围内的存储电压到形成像素电极和存储电容器的存储线，以将传输到像素电极的数据电压保持一个帧。 才艮据一示范性实施例，施加存储电压包括将在大约-20V和大约OV之间的范围内的存储电压施加到存储线。根据本专利技术，可以增加开口率且降低电流消耗。附图说明本专利技术的上述和/或其它方面、特征和优点将从下面结合附图的详细描述变得更加清晰，其中图1是示出根据本专利技术的显示设备的示范性实施例的结构图；图2是示出根据本专利技术的示范性实施例的图1中的显示面板的平面图；图3是沿图2中的线I-I，剖取的截面图；图4是示出根据本专利技术的经由四掩模方法形成的显示基板和经由五掩模 方法形成的显示基板的示范性实施例的截面图；图5是示出根据本专利技术探测存储电压以降低像素电极和数据线之间的距 离的方法的示范性实施例的流程图；以及图6是示出根据本专利技术根据测试电压的变化而变化的显示面板的电流消 耗的示范性实施例的图。具体实施方式下文将参照附图对本专利技术做更为充分的描述，附图中示出了本专利技术的实 施例。然而，本专利技术可以以多种不同的形式实施，而不应4皮解释为限于此处 所述的实施例。并且，提供这些实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将 本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。附图中，为清晰起见可能会夸大 层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解，当称一个元件或层在另一元件或层"上"、"连接到"或"耦 接到，，另一元件或层时，它可以直接在、连接到或耦接到另一元件或层上， 或者还可以存在居间的元件或层。相反，当称一个元件"直接在"、"直接连 接到"或"直接耦接到"另一元件或层上时，不存在居间元件或层。整个说 明书中相同的附图标记指代相同的元件。如此处所用的，术语"和/或"包括 一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。应当理解，虽然这里可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限 于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区 域、层或部分区别开。因此，以下讨"i仑的第一元件、组件、区域、层或部分 可以在不背离本专利技术教导的前提下称为第二元件、组件、区域、层或部分。 为便于描述此处可以使用诸如"在…之下"、"在…下面"、"下部"、 "在…之上"、"上部，，等等空间相对性术语以描述如图中所示的一个元件或 特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。应当理解，空间相对性术语意 图是概括除附图所示取向之外的使用或操作中的器件的不同取向的。例如， 如果附图中的器件翻转过来，被描述为"在"其他元件或特征"之下，，或"下 面"的元件将会取向为在其他元件或特征"之上"。这样，术语"在...下面" 就可以涵盖之上和之下两种取向。器件可以采取其他取向(旋转90度或其 他取向)，此处所用的空间相对性描述做相应解释。这里所用的术语仅仅是为了描述特定实施例，并非要限制本专利技术。如此处所用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式"一(a)"、 "一(an)" 和"该(the)"均同时旨在包括复数形式。需要进一步理解的是，术语"包 括(comprise)"和/或"包括(comprising )",当在本说明书中使用时，指定 了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或 多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。 这里参照截面图描述本专利技术的实施例，这些图为本专利技术理想化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探测存储电压的方法，该方法包括：　施加测试电压到显示面板中的存储线，同时变化该测试电压，该显示面板具有设置在存储线和数据线之间的有源层，该有源层根据该测试电压而处于活性状态或非活性状态；以及　探测对应于该有源层的非活性状态中的测试电压的存储电压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜信宅，李奉俊，卢相龙，金宽浒，李钟焕，金宣亨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]