描述了用于存储器装置的刷新速率控制的方法、系统和装置。举例来说，可根据例如刷新速率的第一组刷新参数刷新存储器装置的存储器阵列。所述存储器装置可检测所述存储器装置处与数据完整性降低相关联的事件。在一些情况下，所述事件可与所述存储器装置的温度、在所述存储器装置处检测到的电压电平、所述存储器装置处的错误事件等等相关联。作为检测到所述事件的结果，所述存储器装置可调适所述一组刷新参数中的一或多个，例如增大所述存储器阵列的所述刷新速率。在一些情况下，所述存储器装置可通过增加在刷新操作期间刷新的所述存储器阵列的行的数量、减小刷新操作之间的周期性或同时进行这两种操作来调适所述一组刷新参数。数。数。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器装置的刷新速率控制
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请要求沙佛(Schaefer)等人在2020年2月10日申请的标题为“存储器装置的刷新速率控制(REFRESH RATE CONTROL FOR A MEMORY DEVICE)”的第16/786,725号美国专利申请和沙佛等人在2019年2月12日申请的标题为“存储器装置的刷新速率控制(REFRESH RATE CONTROL FOR A MEMORY DEVICE)”的第62/804,469号美国临时专利申请的优先权，所述申请中的每一篇均转让给本受让人并且均明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
[0003]下文大体上涉及存储器系统，且更具体来说，涉及存储器装置的刷新速率控制。
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置最经常存储两个状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如SRAM、DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。
[0006]对于一些类型的存储器(例如，DRAM、其它易失性存储器)，可偶尔(例如，周期性地)刷新由存储器单元存储的逻辑状态。此外，在一些情况下，所存储的数据可在不刷新的情况下维持数据完整性的时间量可与存储器装置的其它参数有关。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、提高可靠性、提高数据完整性、降低功率消耗或降低制造成本，以及其它度量。
附图说明
[0007]图1说明支持支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的系统的实例。
[0008]图2说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的存储器裸片的实例。
[0009]图3说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的系统的实例。
[0010]图4到6说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的过程流的实例。
[0011]图7展示支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的装置的框图。
[0012]图8到11展示说明支持如本文中所公开的存储器装置的刷新速率控制的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
[0013]存储器装置可在各种条件下作为电子设备的部分进行操作，所述电子设备例如个人计算机、无线通信装置、服务器、物联网(IoT)装置、机动车辆的电子组件等等。在一些情况下，支持某些实施方案(例如，机动车辆，在一些情况下具有自主或半自主驾驶能力)的应用的存储器装置可能受制于增加的可靠性约束。因而，用于一些应用的存储器装置(例如，DRAM)可预期以受制于相对较高的行业标准或规范的可靠性(例如，较高可靠性约束)进行操作。
[0014]例如动态存储器单元等一些存储器单元可能随时间展现所存储的逻辑状态的劣化(丢失)。举例来说，在电容性存储元件例如由于电荷从电容器泄漏而损失一定量的存储电荷的情况下，利用电容性存储元件的存储器单元(例如，DRAM存储器单元)可能会丢失所存储状态或使所存储状态变为不同状态。在没有干预的情况下，例如在不通过重写存储器单元(例如，对电容性存储元件再充电)刷新逻辑状态的情况下，由存储器单元存储的逻辑状态可能会丢失或损坏。一个解决方案是例如通过将在存储器单元被刷新时由存储器单元存储的逻辑值写入到阵列中的每一存储器单元来时常(例如，以周期性间隔)刷新(重写)存储器阵列。存储器阵列的期望刷新速率可取决于多种因素，包含阵列中的存储器单元的劣化(例如，泄漏)速率和阵列的可靠性准则或约束。在一些情况(例如，汽车应用)中，可能需要提高存储器阵列的可靠性(例如，针对关键安全功能)。另外或替代地，劣化速率可基于存储器阵列的一或多个操作条件而变化。举例来说，DRAM存储器单元的泄漏速率可随着温度而增大，且汽车应用可能会使存储器阵列经历恶劣(例如，高)温度。在另一实例中，如果存储器装置的电压条件变化(例如，电源电压减小)，那么DRAM存储器单元的泄漏速率可增大。
[0015]描述了用于存储器装置的刷新速率控制的技术。举例来说，存储器装置可检测存储器装置处可与数据完整性降低相关联的事件。因此，存储器装置可确定调整存储器阵列的刷新速率以保持数据完整性。存储器装置可增加响应于从主机装置接收到每一刷新命令而刷新的行(例如，存储器阵列的一或多个物理行处的存储器单元)的数量。举例来说，为了将刷新速率增大两(2)倍，存储器装置可将响应于单个刷新命令而刷新的存储器阵列行的数量加倍。另外或替代地，存储器装置可调整定时参数。举例来说，为了增大存储器阵列的刷新速率，存储器装置可减小刷新操作的周期性。
[0016]下文参考图1到3在存储器系统和存储器装置的上下文中进一步描述本公开的特征。接着参考图4到6在过程流的上下文中描述本公开的特征。参考图7到11中涉及可配置错误校正模式的设备图和流程图进一步说明并描述本公开的这些和其它特征。
[0017]图1说明根据本文中所公开的方面的利用一或多个存储器装置的系统100的实例。系统100可包含外部存储器控制器105、存储器装置110以及使外部存储器控制器105与存储器装置110耦合的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但为易于描述，可将所述一或多个存储器装置描述为单个存储器装置110。
[0018]系统100可包含电子装置的各方面，例如计算装置、移动计算装置、无线装置或图形处理装置。系统100可为便携式电子装置的实例。系统100可为计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置等等的实例。存储器装置110可以是经配置以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据的系统的组件。在一些实例中，系统100经配置以用于使用基站或接入点与其它系统或装置进行双向无线通信。在一些
实例中，系统100能够进行机器类型通信(MTC)、机器对机器(M2M)通信或装置对装置(D2D)通信。
[0019]系统100的至少若干部分可以是主机装置的实例。此类主机装置可为使用存储器来执行过程的装置的实例，所述装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、因特网连接装置、一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：根据对应于刷新存储器装置的存储器阵列的第一速率的第一组刷新参数操作所述存储器阵列；由所述存储器装置检测对应于电压条件、数据错误条件、最小刷新速率或所述存储器阵列的一或多个组件的状态中的至少一个的事件；以及至少部分地基于检测到所述事件而根据第二组刷新参数操作所述存储器阵列，所述第二组刷新参数对应于刷新所述存储器阵列的第二速率，所述第二速率快于所述第一速率。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于在所述存储器装置处检测到所述事件而由所述存储器装置从根据所述第一组刷新参数操作切换到根据所述第二组刷新参数操作。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：由所述存储器装置确定所述存储器装置的温度满足阈值，其中在所述存储器阵列处检测所述事件至少部分地基于确定所述存储器装置的所述温度满足所述阈值。4.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一组刷新参数包括针对多个刷新操作中的每一个刷新的行的第一数量；并且所述第二组刷新参数包括针对所述多个刷新操作中的每一个刷新的行的第二数量。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：由所述存储器装置确定行的所述第一数量和第一刷新周期性，其中根据所述第一组刷新参数操作所述存储器阵列包括以所述第一刷新周期性执行所述多个刷新操作；以及由所述存储器装置至少部分地基于在所述存储器阵列处检测到所述事件而确定行的所述第二数量和第二刷新周期性，其中根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列包括以所述第二刷新周期性执行所述多个刷新操作。6.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：从主机装置接收多个刷新命令，其中根据所述第一组刷新参数或所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列包括针对所述多个刷新命令中的每一个执行所述多个刷新操作中的一个。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述数据错误条件至少部分地基于对存储在所述存储器阵列中的数据发起错误校正的电路的错误校正速率。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于在所述存储器阵列处检测到所述事件而将包括根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列的指示的信令传输到主机装置。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述信令包括指示所述事件的一或多个位。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在根据所述第二组刷新参数操作所述存储器阵列时从主机装置接收根据第三组刷新参数操作所述存储器阵列的指示；以及至少部分地基于从所述主机装置接收到所述指示而根据所述第三组刷新参数操作所述存储器阵列。11.一种方法，其包括：从主机装置接收用于存储器装置的存储器阵列的多个刷新命令；
在所述存储器阵列处根据第一组刷新参数执...
【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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