【技术实现步骤摘要】
Sr2MgSi2O7:Eu
2+
,Dy
3+
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g
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C3N4复合材料制备方法及应用
[0001]本专利技术涉及光催化抗菌材料
,尤其是一种具有全天候光催化响应抗菌及降解有机物的Sr2MgSi2O7:Eu
2+
,Dy
3+
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C3N4复合材料制备方法及应用。
技术介绍
[0002]自2009年,研究者们发现石墨相氮化碳是可以用来光催化产氢的n型非金属聚合物半导体以来,g
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C3N4就逐渐成为了研究热点。g
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C3N4的具体结构是基于两个基本构造单元,分别为三嗪环(C6N7)和3
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s
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三嗪环(C3N3)。与传统半导体相比(例如:TiO2和ZnO),g
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C3N4具有π共轭体系的二维(2D)层状结构以及适中的带隙能(2.7eV),这导致其具有独特的光电特性,较高的化学稳定性以及良好的可见光吸收能力(大约在450
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460nm)。然而,原始的g
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C3N4由于可见光利用率低,电导性差以及光生载流子复合率高等缺陷,使其光催化活性较弱,从而导致在实际应用中受到了严重阻碍。
[0003]所以一种能够增强g
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C3N4可见光利用率和光催化活性的方法在催化抗菌和降解有机物方面具有广阔的应用前景。
[0004]目 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.Sr2MgSi2O7:Eu
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,Dy
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C3N4复合材料制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)合成P、g
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C3N4的复合材料:将三聚磷酸钠溶解在去离子水中,搅拌均匀后加入尿素中混合均匀,风干后研磨得到均匀混合的粉末;(2)Sr2MgSi2O7:Eu
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,Dy
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g
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C3N4复合材料制备:在步骤(1)所得的粉末中加入Sr2MgSi2O7:Eu
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,Dy
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粉末,将两者混合后的粉末再次研磨均匀,将所得粉末置于坩埚中;于马弗炉中以5℃/min的升温速率升至550℃,保温2h,冷却至室温后取出,研磨。2.根据权利要求1所述的Sr2MgSi2O7:Eu
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C3N4复合材料制备方法,其特征在于,所述三聚磷酸钠占尿素质量百分比为0.005%
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0.5%。3.根据权利要求1所述的Sr2MgSi2O7:Eu
2+
,Dy
3+
/P
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C3N4复合材料制备方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨纯,刘晓,姚雲腾,施晓晖,汤建新,凌俊猛,
申请(专利权)人:湖南东豪先进陶瓷材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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