本公开实施例中提供了一种定位装置及蚀刻装置，属于半导体技术领域，所述定位装置设置在所述晶圆承载盘的周侧，所述定位装置包括定位块和驱动装置，所述驱动装置与所述定位块连接，驱动装置为气缸驱动。定位块在驱动装置的驱动下沿朝向或者远离所述晶圆承载盘的方向移动，驱动装置带动定位块沿预设的方向朝向晶圆承载盘的方向移动，并在移动到止端位置时抵接所述晶圆承载盘上的晶圆。采用本公开实施例的定位装置，通过在晶圆传送到晶圆承载盘后对晶圆位置进行校正，保证晶圆处在制程正确位置，减少了由于晶圆位置偏差而带来的产品不良的现象。的现象。的现象。
【技术实现步骤摘要】
定位装置及蚀刻装置
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种定位装置及蚀刻装置。
技术介绍
[0002]目前，晶圆在蚀刻制程与快速制热过程中，通常是有晶圆承载盘所承托，晶圆由传送机构传送至晶圆承载盘上。在制程开始时，利用传送机构将晶圆传送至晶圆承载盘上，在制程结束后在利用传送机构将晶圆移出晶圆承载盘并送出腔体反应式。目前，相关蚀刻机台主腔体的晶圆传送到制程位置后，可能会因为某些偶发性晶圆位置偏差导致产品良率降低。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本公开实施例提供一种定位装置及蚀刻装置，至少部分解决现有技术中存在的问题。
[0004]第一方面，本公开实施例提供了一种定位装置，所述定位装置应用于蚀刻装置中，所述蚀刻装置包括蚀刻腔体和晶圆承载盘，所述晶圆承载盘安装在所述蚀刻腔体内，所述晶圆承载盘用于承载晶圆；
[0005]所述定位装置包括定位组件，所述定位组件安装在所述晶圆承载盘的周侧；
[0006]所述定位组件包括定位块和驱动装置，所述定位块与所述驱动装置连接，所述定位块用于在所述驱动装置的驱动下沿朝向或远离所述晶圆承载盘的方向移动，并在移动到止端位置时抵接所述晶圆承载盘上的晶圆。
[0007]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述定位组件还包括定位滑槽，所述定位滑槽垂直于所述晶圆承载盘外周切线，所述定位块的底部卡置在所述定位滑槽内，所述定位块在所述驱动装置的驱动下沿所述定位滑槽朝向或远离所述晶圆承载盘的方向移动。
[0008]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蚀刻装置还包括填充环，所述填充环围绕所述晶圆承载盘的周侧设置，所述定位滑槽靠近所述填充环的一端与所述填充环之间的间隙小于或者等于0.5毫米。
[0009]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述定位块顶面的高度与所述晶圆承载盘上放置所述晶圆后的高度平齐。
[0010]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述定位组件的数量为多个，多个所述定位组件围绕所述晶圆承载盘设置。
[0011]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述定位组件的数量为四个，四个所述定位组件绕所述晶圆承载盘均匀分布。
[0012]第二方面，本公开实施例提供了一种蚀刻装置，所述蚀刻装置包括蚀刻腔体和晶圆承载盘，所述晶圆承载盘安装在所述蚀刻腔体内，所述晶圆承载盘用于承载所述晶圆；
[0013]所述蚀刻装置还包括如上所述的定位装置。
[0014]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述蚀刻装置还包括设置在所述晶圆承
载盘上方的聚合环、第二驱动装置和顶杆，所述聚合环与所述顶杆连接，所述第二驱动装置安装在所述腔体外侧，所述顶杆远离所述聚合环的一端连接所述第二驱动装置，所述第二驱动装置用于驱动所述顶杆运动以带动所述聚合环沿朝向或远离所述晶圆承载盘的方向运动。
[0015]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述聚合环的外表面为陶瓷层，所述聚合环的内面为石墨层。
[0016]根据本公开实施例的一种具体实现方式，所述聚合环的高度大于所述定位块的高度。
[0017]本公开实施例中的定位装置，所述定位装置设置在所述晶圆承载盘的周侧，所述定位装置包括定位块和驱动装置，所述驱动装置与所述定位块连接，驱动装置为气缸驱动。定位块在驱动装置的驱动下沿朝向或者远离所述晶圆承载盘的方向移动，驱动装置带动定位块沿预设的方向朝向晶圆承载盘的方向移动，并在移动到止端位置时抵接所述晶圆承载盘上的晶圆。采用本公开实施例的定位装置，通过在晶圆传送到晶圆承载盘后对晶圆位置进行校正，保证晶圆处在制程正确位置，减少了由于晶圆位置偏差而带来的产品不良的现象。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0019]图1为本公开实施例提供的一种蚀刻装置的结构示意图；
[0020]图2为本公开实施例提供的一种蚀刻装置的另一状态的结构示意图；
[0021]图3为本公开实施例提供的一种定位装置的俯视图；
[0022]图4为本公开实施例提供的一种蚀刻装置中聚合环的结构示意图。
[0023]附图汇总：
[0024]100-上电极，101-气体分流盘，200-下电极，201-顶杆，202-晶圆承载盘，203-转移组件，204-填充环，205-定位滑槽，206-定位块，207-气缸，208-基座，209-腔室门，210-晶圆，211-聚合环，212-鞘层区域。
具体实施方式
[0025]下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
[0026]以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0027]需要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显
而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本公开，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
[0028]还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本公开的基本构想，图式中仅显示与本公开中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0029]另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
[0030]参见图1，本公开实施例提供的一种定位装置，所述定位装置应用于蚀刻装置中，所述蚀刻装置包括蚀刻腔体和晶圆承载盘202，所述晶圆承载盘202安装在所述蚀刻腔体内，所述晶圆承载盘202用于承载所述晶圆210；
[0031]所述定位装置包括定位组件，所述定位组件安装在所述晶圆承载盘202的周侧；
[0032]所述定位组件包括定位块206和驱动装置，所述定位块206与所述驱动装置连接本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种定位装置，其特征在于，所述定位装置应用于蚀刻装置中，所述蚀刻装置包括蚀刻腔体和晶圆承载盘，所述晶圆承载盘安装在所述蚀刻腔体内，所述晶圆承载盘用于承载晶圆；所述定位装置包括定位组件，所述定位组件安装在所述晶圆承载盘的周侧；所述定位组件包括定位块和驱动装置，所述定位块与所述驱动装置连接，所述定位块用于在所述驱动装置的驱动下沿朝向或远离所述晶圆承载盘的方向移动，并在移动到止端位置时抵接所述晶圆承载盘上的晶圆。2.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，所述定位组件还包括定位滑槽，所述定位滑槽垂直于所述晶圆承载盘外周切线，所述定位块的底部卡置在所述定位滑槽内，所述定位块在所述驱动装置的驱动下沿所述定位滑槽朝向或远离所述晶圆承载盘的方向移动。3.根据权利要求2所述的定位装置，其特征在于，所述蚀刻装置还包括填充环，所述填充环围绕所述晶圆承载盘的周侧设置，所述定位滑槽靠近所述填充环的一端与所述填充环之间的间隙小于或者等于0.5毫米。4.根据权利要求1至3中任一项所述的定位装置，其特征在于，所述定位块顶面的高度与所述晶圆承载盘上放置所述晶圆后的高度...
【专利技术属性】
技术研发人员：林帅，张涛，伍凯义，苏财钰，张嘉修，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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