一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，其中，显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，像素区域包括：绑定区域和包围绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；连接电极设置在驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与驱动背板连接；粘附层与连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定发光元件；辅助电极，用于连接发光元件和连接电极。本申请不仅可以节省时间，而且可以节省生产成本。省生产成本。省生产成本。
【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法
[0001]本文涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。随着芯片制作及封装技术的发展，约50微米～60微米的次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)显示和15微米以下的微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)显示逐渐成为显示面板的一个热点。其中，Micro LED显示具有低功耗、高色域、高稳定性、高分辨率、超薄、易实现柔性显示等显著优势，有望成为替代有机发光二极管显示(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)的更优显示技术。
[0003]Micro LED显示技术存在的一个技术难点是巨量转移技术。Micro LED只能通过外延生长制备，而如何将Micro LED从最初的外延衬底上简便、可靠地转移到显示基板上，一直是业界难题，阻碍了Micro LED显示的发展，造成了Micro LED显示的发展缓慢。相关技术中的Micro LED转移技术不仅耗时，而且生产成本较高。
[0004]申请内容
[0005]本申请提供了一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，不仅可以节省时间，而且可以降低生成成本。
[0006]第一方面，本申请提供了一种显示基板，用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；所述显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，所述像素区域包括：绑定区域和包围所述绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；
[0007]所述连接电极设置在所述驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与所述驱动背板连接；所述粘附层与所述连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定所述发光元件；所述辅助电极，用于连接所述连接电极和所述发光元件。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述驱动背板包括：衬底、薄膜晶体管、供电电极和平坦层；
[0009]所述薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述供电电极设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述平坦层位于供电电极远离所述衬底的一侧；所述供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；
[0010]其中，所述平坦层沿垂直于衬底方向的长度大于1.5微米。
[0011]在一种可能的实现方式中，在每个像素区域中，所述平坦层上设置有第一过孔和第二过孔；
[0012]所述供电电极包括：第一供电电极和第二供电电极，所述第二供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；所述连接电极包括：第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极
和所述第二连接电极分别位于所述绑定区域的两侧；
[0013]所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一供电电极电连接，所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述第二供电电极电连接。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述发光元件包括：第一电极和第二电极，所述发光元件包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面；
[0015]所述粘附层与所述发光元件的第一表面直接接触；
[0016]所述粘附层的黏度小于500毫帕每秒，所述粘附层的厚度小于100纳米。
[0017]在一种可能的实现方式中，在每个像素区域中，所述辅助电极包括：第一辅助电极和第二辅助电极；
[0018]所述第一辅助电极用于连接所述第一电极和所述第一连接电极，所述第二辅助电极用于连接所述第二电极和所述第二连接电极。
[0019]在一种可能的实现方式中，所述连接电极和所述辅助电极一体成型。
[0020]第二方面，本申请还提供了一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述方法包括：
[0021]形成一驱动背板；
[0022]在驱动背板上形成连接电极；
[0023]在形成有所述连接电极的驱动背板上形成位于非绑定区域的，且用于限定绑定区域的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层在所述驱动背板上的正投影与所述连接电极在驱动背板上的正投影存在重叠区域；
[0024]在形成有绝缘支撑层的驱动背板上采用印刷工艺形成粘附层；
[0025]采用对位设备将承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板对位，使得承载基板上的发光元件粘附在位于绑定区域的粘附层上；
[0026]将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热，使得粘附层固化，以固定所述发光元件；
[0027]依次剥离所述承载基板和所述绝缘支撑层，以暴露出连接电极；
[0028]形成连接所述连接电极和所述发光元件的辅助电极。
[0029]在一种可能的实现方式中，所述形成一驱动背板包括：
[0030]提供一衬底；
[0031]在所述衬底上形成薄膜晶体管；
[0032]在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧形成包括第一供电电极和第二供电电极的供电电极；
[0033]在所述供电电极远离所述薄膜晶体管的一侧形成包括第一过孔和第二过孔的平坦层。
[0034]在一种可能的实现方式中，所述将对位后的所述承载基板与形成有粘附层的所述驱动背板进行加热包括：
[0035]将对位后的所述承载基板与形成有原始粘附层的所述原始显示基板进行加热，其中，加热时间为25-35分钟，加热温度为200-230摄氏度。
[0036]在一种可能的实现方式中，所述剥离承载基板包括：
[0037]采用激光工艺和物理撕除工艺剥离承载基板。
[0038]在一种可能的实现方式中，述剥离绝缘支撑层包括：
[0039]采用等离子刻蚀工艺剥离绝缘支撑层，其中，刻蚀时间为20-40分钟。
[0040]第三方面，本申请还提供一种发光元件的转移方法，所述方法包括：
[0041]提供一承载基板；
[0042]将所述承载基板与所述原始基板贴合，采用激光工艺对所述原始基板远离所述承载基板的一侧进行照射，以将所述发光元件从原始基板剥离；
[0043]采用上述显示基板的制作方法将承载基板上所承载的发光元件转移至上述显示基板中。
[0044]本申请提供一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法，其中，显示基板用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，像素区域包括：绑定区域和包围绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；连接电极设置在驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与驱动背板连接；粘附层与连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定发光元件；辅助电极，用于连接发光元件和连接电极。本申请通过将承载基板上上承载从原始基本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，用于绑定承载基板所承载的从原始基板上剥离下来的发光元件；所述显示基板包括：多个矩阵排布的像素区域，所述像素区域包括：绑定区域和包围所述绑定区域的非绑定区域，每个像素区域包括：驱动背板、连接电极、粘附层和辅助电极；所述连接电极设置在所述驱动背板的一侧，且位于非绑定区域，用于与所述驱动背板连接；所述粘附层与所述连接电极同层设置，且位于绑定区域，用于绑定所述发光元件；所述辅助电极，用于连接所述连接电极和所述发光元件。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动背板包括：衬底、薄膜晶体管、供电电极和平坦层；所述薄膜晶体管设置在所述衬底的一侧，所述供电电极设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底的一侧，所述平坦层位于供电电极远离所述衬底的一侧；所述供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；其中，所述平坦层沿垂直于衬底方向的长度大于1.5微米。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在每个像素区域中，所述平坦层上设置有第一过孔和第二过孔；所述供电电极包括：第一供电电极和第二供电电极，所述第二供电电极与薄膜晶体管的漏电极连接；所述连接电极包括：第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别位于所述绑定区域的两侧；所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一供电电极电连接，所述第二连接电极通过所述第二过孔与所述第二供电电极电连接。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光元件包括：第一电极和第二电极，所述发光元件包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述第一电极和所述第二电极位于所述第二表面；所述粘附层与所述发光元件的第一表面直接接触；所述粘附层的黏度小于500毫帕每秒，所述粘附层的厚度小于100纳米。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，在每个像素区域中，所述辅助电极包括：第一辅助电极和第二辅助电极；所述第一辅助电极用于连接所述第一电极和所述第一连接电极，所述第二辅助电极用于连接所述第二电极和所述第二连接电极。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接电极和所述辅助电极一体成型...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈右儒，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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