一种供源电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电路供源技术领域，尤其涉及一种供源电路，包括变压器、整流桥、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、三端稳压集成芯片U1、二极管D1、晶体三级管Q1、Q2、Q3、电阻R1、R2、R3、R4、R5及稳压芯片U2，整流桥包括顺次的a端、b端、c端与d端，所述变压器一端与市电连接，另一端分别与a端及c端连接，三端稳压集成芯片U1包括三个外接端口，依次包括：VIN端：分别与b端、电容C1的一端、电容C2的一端及二极管D1的负极连接；GND端：分别与d端、电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的一端、电容C4的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C8的一端、电容C9的一端及接地端连接。容C9的一端及接地端连接。容C9的一端及接地端连接。

【技术实现步骤摘要】
一种供源电路


[0001]本技术涉及电路供源
，尤其涉及一种供源电路。

技术介绍

[0002]市面上的给电路提供电源的方式为整流降压的方式或直接通过外部供源，其中整流降压的供源方式易因电源振荡引起的电路供源不稳定，对电路具有一定的损害，不利于使用寿命，而直接外部供源的方式不适于在施工现场应用。
[0003]因此，现有技术存在不足，需要改进。

技术实现思路

[0004]为克服上述的技术问题，本技术提供了一种供源电路。
[0005]本技术解决技术问题的方案是提供一种供源电路，包括变压器、整流桥、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、三端稳压集成芯片U1、二极管D1、晶体三级管Q1、Q2、Q3、电阻R1、R2、R3、R4、R5及稳压芯片U2，整流桥包括顺次的a端、b端、c端与d端，所述变压器一端与市电连接，另一端分别与a端及c端连接，三端稳压集成芯片U1包括三个外接端口，依次包括：
[0006]VIN端：分别与b端、电容C1的一端、电容C2的一端及二极管D1的负极连接；
[0007]GND端：分别与d端、电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的一端、电容C4的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C8的一端、电容C9的一端及接地端连接；
[0008]+5V端：分别与二极管D1的正极、电容C3的另一端、电容C4的另一端、电容C5的一端、电阻R1的一端及晶体三级管Q1、Q2、Q3的发射极连接；
[0009]电容C5的另一端分别与电阻R1的另一端、晶体三级管Q3的基极、电阻R5的一端连接，晶体三级管Q3的集电极分别与电阻R4的一端、电阻R3的一端、电阻R2的一端连接，晶体三级管Q1的基极与电阻R2的另一端连接，晶体三级管Q2的基极与电阻R3的另一端连接；
[0010]稳压芯片U2包括三个外接端口，依次包括：
[0011]1端：分别与晶体三级管Q1的集电极、5v电压的正极、晶体三级管Q2的集电极、电阻R5的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端连接；
[0012]2端：分别与电容C8的另一端、电容C9的另一端及3.3V电压的正极连接；
[0013]3端：与d端连接并接地。
[0014]优选地，所述三端稳压集成芯片U1的型号为LM7805。
[0015]优选地，所述稳压芯片U2的型号为LM1117。
[0016]优选地，所述晶体三级管Q1、Q2、Q3为PNP型三极管。
[0017]优选地，所述电阻R2与R5的阻值相等。
[0018]相对于现有技术，本技术的供源电路具有如下优点：
[0019]通过晶体三级管Q1、Q2的限流作用，使得在电流过大时切断电源供给，起到保护电路的作用，增加了电路的稳定性及提升使用寿命；供源电路的应用场景不限于实验室，在施
工现场也可以进行应用，增加了适用程度，给企业的用电提供较大的便利。
【附图说明】
[0020]图1是本技术供源电路的一部分具体电路结构示意图。
[0021]图2是本技术供源电路的另一部分具体电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。
[0023]请参阅图1
‑
图2,本技术提供一种供源电路，包括变压器、整流桥11、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、三端稳压集成芯片U1、二极管D1、晶体三级管Q1、Q2、Q3、电阻R1、R2、R3、R4、R5及稳压芯片U2。
[0024]进一步地，整流桥11包括顺次的a端、b端、c端与d端，所述变压器一端与市电连接，另一端分别与a端及c端连接，三端稳压集成芯片U1包括三个外接端口，依次包括：VIN端：分别与b端、电容C1的一端、电容C2的一端及二极管D1的负极连接；GND端：分别与d端、电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的一端、电容C4的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C8的一端、电容C9的一端及接地端连接；+5V端：分别与二极管D1的正极、电容C3的另一端、电容C4的另一端、电容C5的一端、电阻R1的一端及晶体三级管Q1、Q2、Q3的发射极连接。
[0025]优选地，三端稳压集成芯片U1的型号为LM7805。
[0026]进一步地，电容C5的另一端分别与电阻R1的另一端、晶体三级管Q3的基极、电阻R5的一端连接，晶体三级管Q3的集电极分别与电阻R4的一端、电阻R3的一端、电阻R2的一端连接，晶体三级管Q1的基极与电阻R2的另一端连接，晶体三级管Q2的基极与电阻R3的另一端连接。
[0027]优选地，稳压芯片U2的型号为LM1117。
[0028]进一步地，稳压芯片U2包括三个外接端口，依次包括：
[0029]1端：分别与晶体三级管Q1的集电极、5v电压的正极、晶体三级管Q2的集电极、电阻R5的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端连接；2端：分别与电容C8的另一端、电容C9的另一端及3.3V电压的正极连接；3端：与d端连接并接地。
[0030]优选地，晶体三级管Q1、Q2、Q3均为PNP型三极管。
[0031]本技术的供源电路通过对市电进行整流、滤波、通过三端稳压集成芯片U1降压至5V、对电流进行限制防止因其过大而对电路造成的损坏以及通过稳压芯片U2再次降压至3.3V实现整流降压，具有较佳的稳定性及可适用于较多的场合，有利于提升使用寿命及降低企业成本支出；同时在电流出现过流情形时可切断对电源的供给，有利于保护供源电路不易因过流而产生损坏等不良的影响。
[0032]其中，电阻R2与R5的阻值相等，有利于确保流经晶体三级管Q1、Q2的电流几近相等。
[0033]相对于现有技术，本技术的供源电路具有如下优点：
[0034]通过晶体三级管Q1、Q2的限流作用，使得在电流过大时切断电源供给，起到保护电
路的作用，增加了电路的稳定性及提升使用寿命；供源电路的应用场景不限于实验室，在施工现场也可以进行应用，增加了适用程度，给企业的用电提供较大的便利。
[0035]以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本技术的专利保护范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供源电路，其特征在于：所述供源电路包括变压器、整流桥、电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、三端稳压集成芯片U1、二极管D1、晶体三级管Q1、Q2、Q3、电阻R1、R2、R3、R4、R5及稳压芯片U2，整流桥包括顺次的a端、b端、c端与d端，所述变压器一端与市电连接，另一端分别与a端及c端连接，三端稳压集成芯片U1包括三个外接端口，依次包括：VIN端：分别与b端、电容C1的一端、电容C2的一端及二极管D1的负极连接；GND端：分别与d端、电容C1的另一端、电容C2的另一端、电容C3的一端、电容C4的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C8的一端、电容C9的一端及接地端连接；+5V端：分别与二极管D1的正极、电容C3的另一端、电容C4的另一端、电容C5的一端、电阻R1的一端及晶体三级管Q 1、Q2、Q3的发射极连接；电容C5的另一端分别与电阻R1的另一端、晶体三级管Q3的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭伟，胡智超，
申请(专利权)人：智火柴科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：