RFID解谐读写器制造技术

技术编号:30202511 阅读:20 留言:0更新日期:2021-09-29 09:00
本实用新型专利技术涉及RFID解谐读写器,包括RFID读写器以及若干根RFID天线,所述RFID读写器以及若干根RFID天线之间通过同轴电缆连接,在每一根RFID天线与RFID读写器之间设置有失谐电路,所述失谐电路包括MOSFET、电阻R以及电感L,MOSFET、电阻R和电感L依次连接,且MOSFET的一端连接直流电源,电感L一端连接与同轴电缆上。电感L一端连接与同轴电缆上。电感L一端连接与同轴电缆上。

【技术实现步骤摘要】
RFID解谐读写器


[0001]本技术属于RFID
,尤其涉及RFID解谐读写器。

技术介绍

[0002]目前市面上存在一些读写器可以处理不同的协议,拥有多个不同的RFID天线。然而,当近场天线被放置在彼此接近时,由于天线回路的相互耦合,它们将趋向相互作用。由于电感是一个几何函数,耦合程度在很大程度上取决于两个天线的相对位置。
[0003]为了避免这些问题,可调节相邻天线,使之失谐,以减少它们之间的相互影响,使邻近的几个天线仍然具有互耦,但是由于它们具有不同的谐振点,所以这种相互耦合的影响将大大降低。

技术实现思路

[0004]为了解决上述的技术问题,本技术的目的是提供一种可有效解决多个并列天线的相互干扰问题的RFID解谐读写器。
[0005]为了实现上述的目的,本技术采用了以下的技术方案:
[0006]RFID解谐读写器,包括RFID读写器以及若干根RFID天线,所述RFID读写器以及若干根RFID天线之间通过同轴电缆连接,在每一根RFID天线与RFID读写器之间设置有失谐电路,所述失谐电路包括MOSFET、电阻R以及电感L,MOSFET、电阻R和电感L依次连接,且MOSFET的一端连接直流电源,电感L一端连接与同轴电缆上。
[0007]作为优选,所述RFID读写器还连接有多路复用器。
[0008]作为优选,所述同轴电缆为50Ω同轴电缆。
[0009]作为优选,所述RFID天线设置有调谐和阻抗电路,所述调谐和阻抗电路由RFID天线电感、谐振电容器以及谐振阻尼电阻两两并联组合构成。
[0010]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:
附图说明
[0011]图1是RFID解谐读写器设计原理图。
[0012]图2是RFID天线拓扑图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本技术的具体实施方式做一个详细的说明。
[0014]如图1所示的RFID解谐读写器。该RFID解谐读写器包括RFID读写器以及若干根RFID天线(天线A、天线B、天线C、天线D),所述RFID读写器以及若干根RFID天线之间通过50Ω的同同轴电缆连接,在每一根RFID天线与RFID读写器之间设置有失谐电路,所述失谐电路包括MOSFET(金属

氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管)、电阻R以及电感L,MOSFET、电阻R和电感L依次连接,且MOSFET的一端连接直流电源,电感L一端连接与同
轴电缆上。在RFID读写器还连接有多路复用器。MOSFET是基本的开关单元,电阻R对直流电流水平设置上限,电感L提供了一种分离元件的机制。此外,多路复用器用以确保读写器的馈送路由到相应的RFID天线。一般情况下RFID天线一般不会被直流分量馈送,只有失谐的相邻天线才需要由直流分量进行。
[0015]直流分量需要在RFID天线侧进行处理。图2显示了与单个RFID天线相关的调谐和阻抗电路。通过天线电感和谐振电容器的并联组合形成关键的谐振分量。还有一个并联谐振阻尼电阻R,这样可以确保天线具有正确的Q因子,从而推断出正确的谐振水平以及正确的响应水平。图2所示的电路具有一个分流电容匹配电路,该电路将RLC谐振组合形成的阻抗转换为50Ω天线馈线阻抗。此外,还有一个pin二极管电路,它在谐振电容电平上增加了并联电容,以确保RLC组合的谐振点远离13.56MHz的馈电频率。通过pin二极管注入直流来激活该电路,其行为类似于RF开关。当没有直流电流动时,RF开关处于断开状态;当直流电流动时,RF开关处于闭合状态。这些电感器起到阻止高频交流电的作用,但允许直流分量通过。
[0016]本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本技术所作的举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离本技术说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.RFID解谐读写器,其特征在于:包括RFID读写器以及若干根RFID天线,所述RFID读写器以及若干根RFID天线之间通过同轴电缆连接,在每一根RFID天线与RFID读写器之间设置有失谐电路,所述失谐电路包括MOSFET、电阻R以及电感L,MOSFET、电阻R和电感L依次连接,且MOSFET的一端连接直流电源,电感L一端连接与同轴电缆上。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟石云俞海滨
申请(专利权)人:杭州晟珈智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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