串联电容电压均衡电路制造技术

本申请公开了一种串联电容电压均衡电路，包括：串联电容电路、均衡电压电路和第一均衡电路；串联电容电路的第一电容和第二电容之间设有第一节点；均衡电压电路用于提供均衡电压；第一均衡电路包括第一均衡电阻和第一三极管；第一均衡电阻的一端和第一三极管的集电极连接，第一三极管的发射极和第一节点连接，第一三极管的基极和均衡电压电路连接。本申请通过设置第一均衡电阻和第一三极管，使得在第二电容两端的电压和均衡电压的压差大于第一三极管的导通压降时，通过第一均衡电阻和第一三极管向第二电容充电，以使第一电容和第二电容二者的电压值达到平衡状态，以使第一电容和第二电容的寿命达到基本相等的状态，由此延长串联电容的寿命。联电容的寿命。联电容的寿命。

【技术实现步骤摘要】
串联电容电压均衡电路


[0001]本申请涉及电路
，尤其涉及一种串联电容电压均衡电路。

技术介绍

[0002]随着时代的发展，很多设备对产品的电压值要求越来越高，很多电源设备甚至需要800V甚至更高的电压，而用于滤波的大容量电解电容耐压值通常只到450V，因而在面对电压值需求更高的情况下，需要将多个大容量电解电容串联来满足高电压要求。
[0003]传统的串联电容通常是直接串联或者是在电容两端再并联电阻，如图1所示的传统的电容串联使用方式，C10和C20为串联使用的电容，R10和R20为与C10和C20并联设置的电阻，RC10和RC20分别为C10和C20的寄生电阻。理想状态下，电容C10和电容C20的容值和寄生电阻等各种参数和特性完全相同，电阻R10和电阻R20的阻值也完全相同。如此一来，电压V1＝1/2*VH+，那么C10和C20各分担一半的VH+。而实际上，虽然C10和C20一般都是用同类型同规格的电容，但由于工艺精度的原因，C10和C20的寄生参数(寄生电阻、电感等)和容值会存在偏差，从而导致C10和C20两端分担的电压不同，且随着VH+的增大C10两端的电压和C20两端的电压之间的差值越明显，从而会导致C10和C20中一个过压损坏。因此，整个串联电容会由此缩短，且使用该串联电容的电路安全系数较低。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种串联电容电压均衡电路，降低串联电容各自两端的电压差，提升电压均衡性，降低电容过压损坏的可能性，以延长串联电容的使用寿命，增加使用串联电容的电路的安全系数。
[0005]本申请提供的串联电容电压均衡电路，包括：串联电容电路、均衡电压电路和第一均衡电路；串联电容电路包括串联的第一电容和第二电容，第一电容和第二电容之间设有第一节点；均衡电压电路用于提供均衡电压；第一均衡电路包括第一均衡电阻和第一三极管；第一均衡电阻的一端和第一三极管的集电极连接，第一三极管的发射极和第一节点连接，第一三极管的基极和均衡电压电路连接。
[0006]可选的，第一均衡电路还包括：第二均衡电阻和第二三极管；第二均衡电阻的一端和第二三极管的集电极连接，第二三极管的发射极和第一节点连接，第二三极管的基极和均衡电压电路连接。
[0007]可选的，第一三极管Q1为NPN型三极管或N型MOS管；第二三极管Q2为PNP型三极管或P型MOS管。
[0008]可选的，均衡电压电路包括串联的第一电阻和第二电阻，第一电阻和第二电阻之间设有第二节点；第一三极管的基极和第二三极管的基极分别与第二节点连接。
[0009]可选的，第一电阻和第二电阻均为碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、无感电阻或薄膜电阻中任一种。
[0010]可选的，串联电容电路还串联有第三电容，第二电容和第三电容之间设有第三节
点；串联电容电压均衡电路还包括第二均衡电路，第二均衡电路包括第三均衡电阻和第三三极管；第三均衡电阻的一端和第三三极管的集电极连接，第三三极管的发射极和第三节点连接，第三三极管的基极和均衡电压电路连接。
[0011]可选的，第二均衡电路还包括：第四均衡电阻和第四三极管；第四均衡电阻的一端和第四三极管的集电极连接，第四三极管的发射极和第三节点连接，第四三极管的基极和均衡电压电路连接。
[0012]可选的，均衡电压电路还串联有第三电阻，第三电阻和第二电阻之间设有第四节点；第三三极管的基极和第四三极管的基极分别与第四节点连接。
[0013]可选的，第一电容和第二电容均为电解电容。
[0014]可选的，还包括电压源电路，电压源电路和第一电容远离第二电容的一端连接。
[0015]本申请提供的串联电容电压均衡电路，包括：串联电容电路、均衡电压电路和第一均衡电路；串联电容电路包括串联的第一电容和第二电容，第一电容和第二电容之间设有第一节点；均衡电压电路用于提供均衡电压；第一均衡电路包括第一均衡电阻和第一三极管；第一均衡电阻的一端和第一三极管的集电极连接，第一三极管的发射极和第一节点连接，第一三极管的基极和均衡电压电路连接。由上可见，本申请通过设置第一均衡电阻和第一三极管，在第一电容和第二电容之间的电压不均衡，且第二电容两端的电压和均衡电压的压差大于第一三极管的导通压降时，电压源电路通过第一均衡电阻和第一三极管向第二电容充电，以使第一电容和第二电容二者的电压值达到平衡状态。从而使得第一电容和第二电容承担的电压相等，以使第一电容和第二电容的寿命达到基本相等的状态，降低其中第一电容过压损坏的可能性，由此延长串联电容的寿命，增加使用该串联电容的电路的安全系数。
附图说明
[0016]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，
[0017]图1为
技术介绍
中的均衡电路的示意图。
[0018]图2为本申请实施例提供的串联电容电压均衡电路的电路图；
[0019]图3为本申请实施例提供的串联电容电压均衡电路的电路图；
[0020]图4为本申请实施例提供的串联电容电压均衡电路的电路图；
[0021]图5为本申请实施例提供的串联电容电压均衡电路的电路图；
[0022]图6为本申请实施例提供的串联电容电压均衡电路的电路图。
[0023]附图标记：
[0024]10
‑
串联电容电路，20
‑
均衡电压电路，30
‑
第一均衡电路，40
‑
第二均衡电路，50
‑
电压源电路。
[0025]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将详细的描述。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0027]应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。
[0028]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种串联电容电压均衡电路，其特征在于，包括：串联电容电路、均衡电压电路和第一均衡电路；所述串联电容电路包括串联的第一电容和第二电容，所述第一电容和所述第二电容之间设有第一节点；所述均衡电压电路用于提供均衡电压；所述第一均衡电路包括第一均衡电阻和第一三极管；所述第一均衡电阻的一端和所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的发射极和所述第一节点连接，所述第一三极管的基极和所述均衡电压电路连接。2.根据权利要求1所述的串联电容电压均衡电路，其特征在于，所述第一均衡电路还包括：第二均衡电阻和第二三极管；所述第二均衡电阻的一端和所述第二三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极和所述第一节点连接，所述第二三极管的基极和所述均衡电压电路连接。3.根据权利要求2所述的串联电容电压均衡电路，其特征在于，所述第一三极管为NPN型三极管或N型MOS管，所述第二三极管为PNP型三极管或P型MOS管。4.根据权利要求2所述的串联电容电压均衡电路，其特征在于，所述均衡电压电路包括串联的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻之间设有第二节点；所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极分别与所述第二节点连接。5.根据权利要求4所述的串联电容电压均衡电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻均为碳膜电阻、金属膜电阻、...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧小电，赵德琦，吴壬华，
申请(专利权)人：深圳欣锐科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：