光学叠层体、偏振板和图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光学叠层体、偏振板和图像显示装置。本发明专利技术提供虽然防炫层中含有二氧化硅粒子，但该二氧化硅粒子适度地凝集、光学特性优良的光学叠层体。该光学叠层体具有透光性基材和含有二氧化硅粒子的防炫层，上述二氧化硅粒子的介电常数小于４．０。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学叠层体、其制造方法、以及具有前述光学叠层体的偏振板 (偏光板)、具有光学叠层体和偏振板中的任何一个的图像显^置。
技术介绍
io 在阴极射线管显示装置(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体显示器 (PDP)、电致发光显示器(ELD)等图像显示装置的最表面设有包含具有各种 功能的功能层的光学叠层体。作为这样的光学叠层体，已知具有在基材上依次 设置防弦层和低折射率层等功能层的觀结构，在这些功能层中含有作为防炫 齐啲微粒子的光学觀体(例如参照专禾忟献1和2)。其具有优异的防弦性能。 15 在这样的光学叠层体的防弦层中，广泛应用二氧化硅粒子作为防弦剂含有 二氧化硅粒子作为防炫剂的防炫层例如通过在基材上涂布含有二氧化硅粒子和 固化性树脂的防弦层形成用树脂组合物而形成。但是在用含有二氧化硅粒子作为防弦剂的防弦层形成用树脂组合物形成光 学叠层体盼瞎况下，存在防弦层形成用树脂组合物中的二氧化硅粒子的分散稳 20定性降低而7験，所形成的防炫层的光学特性低的问题。 专利文献1:日本特开20074)90717号公报 专利文献2:日本特开2006-267556号公报
技术实现思路
25 针对上述现状，本专利技术的目的是采用在用于形成含有二氧化硅粒子的防弦 层的防弦层形成用树脂组合物中二氧化硅粒子适度凝集并且分散稳定性优异的 组糊，提供一种光学特性优异的光学觀体。本专利技术的光学叠层体的特征在于，具有透光性基材、含有二氧化硅粒子的 防炫层，，二氧化硅粒子的介电常数(比誘電率)小于4.0。30tm二氧化硅粒子的比表面积为2000m2/g以下。雌二氧化硅粒子是无定形二氧化硅粒子。4腿相对于防弦层的树脂成分画质量份，二氧化硅粒子的含量为10 50质量份。此外，本专利技术提供图像显^置，其特征在于在最表面具有上述光学叠层5体。此外，本专利技术提供偏振板，其特征在于具有偏光元件(偏光素子)，在偏光 元件表面上具有，光学ftjl体。此外，本专利技术提供图像显示装置，其特征在于在最表面上具有上述光学叠 层体或上述偏振板。10 此外，本专利技术提供光学特性得到改善的光学叠层体的制造方法，该光学叠层体包括透光性基材和含有二氧化硅粒子的防弦层，该方法的特征在于包括以下步骤(a) (e):(a) 将二氧化硅粒子的介电常数调节至lj小于4.0的步骤；(b) 将粘合齐附脂和根据需要的其它成分与前述二氧化硅粒子一起分散到 15溶剂中并混合，调制防炫层形成用组合物的步骤，此时，该二氧化硅粒子间的静电弓l力得到抑制，获得二氧化硅粒子的凝集得到控制的组合物；(c) 提供透光性基材的步骤；(d) 在前^it光性St才上涂布步骤(b)中调制的防弦层形成用组合物，形 ^^布膜的步骤；20 (e)使前述涂布膜千燥、固化，得到光学叠层体的步骤；在此，所获得的光学4M体兼制尤异的黑色再现性(黒色再現性)及防弦性。 tt^地，在步骤(a)中，通过使用中空二氧化硅粒子作为二氧化硅粒子， 改变其空隙率(空隙率)，将前述二氧化硅粒子的介电常数调节到小于4.0。此外，，在步骤(a)中，iM^参杂二氧化硅粒子，将前述二氧化硅粒子25的介电常数调节到小于4.0。itWh j继在步骤(a)中，aiw二氧化硅粒子的表面进行化学^t布，将前述二氧化硅粒子的介电常数调节到小于4.0。进一步地，im二氧化硅粒子的表面化学修饰是^ffi硅氧烷材料的疏水化 表面化学鹏。30 下面详细地说明本专利技术。5本专利技术中，只要不特别说明，将单体、低聚物、预聚物等固化性树脂前体 总称为"树月g"。本专利技术的光学叠层 透光性5#上具有含有二氧化硅粒子的防弦层。，二氧化硅粒子的介电常数为1.5以上，且小于4.0。具有含有这样的二5氧化硅粒子的防弦层的本专利技术的光学4M体显示出优异的光学特性的理由推测如下艮P，现有的光学叠层体含有二氧化硅粒子从而具有了高防弦性。但是，由 于现有的二氧化硅粒子一般使用显示高介电常数的二氧化硅粒子，因此在防弦 层形成用树脂组合物中会发生凝集。认为因此得不到二氧化硅粒子均匀分散的 10防弦层，所形成的光学fijl体的光学特性低。与此相对，由于本专利技术的光学叠层tt防炫层中含有的二氧化硅粒子显示 出特定范围的介电常数，因此二氧化硅粒子间的静电弓l力被抑制，二氧化硅粒 子适度她驗，显示出优良的光学特性。，二氧化硅粒子的介电常数小于4.0。如果为4.0以上，则二氧化硅粒子15变得容易凝集，光学特性低。战介电常数越小越好。现在可得到的介电常数的下限为1.5，更im是2.0。 tt^战介电常数的上限为3.3，更雌是3.0。二氧化硅粒子的介电常数可以测定二氧化硅粒子状态、或含有二氧化硅粒 子的油墨组合物(一乂年组合物)的状态以及使用该组合物涂布、固化的光学 叠层体的膜状态中的任何一个。作为其方法，有探针法、开放型共振器法20(開放型共振器法)、扰动空洞共^法(摂動空洞共振法)、传播迟延法(伝播遅延法)、椭圆偏光法等，根据介电常数的范围适当地选择各测定方法。测定物在凝胶状或液体形态的情况下可以使用专用的测定电Mi2行导通，以确定介电常数。在 测定物为固化膜状的情况下可以使含有二氧化硅粒子的层作为最表面的光学叠 层体导通，从而确定介电常数。通过切削等仅切出固化膜的含有二氧化硅粒子25的层部分^iS行观啶，育,更好地确定介电常数。二氧化硅的介电常数例如可以ffii改变中空二氧化硅粒子的空隙率、在二氧化硅粒子中掺杂、对二氧化硅粒子表面进行化学修饰等方法来改变。向二氧 化硅粒子掺杂的情况可以举出氟、硼、磷等非金属元素掺杂，钛、铋、镍等过 渡金属、金属元素掺杂，或多元掺杂、氧化物掺杂等，可通过适当选择掺杂的30元素或调节掺杂浓度来改变介电常数。对于前述化学修饰，将在下面描述，在对二氧化硅粒子表面进行诱导物处理时，通过调节表面处理的程度或者适当选 择表面处理剂，可以改变介电常数。作为，二氧化硅粒子，优选t该面积为2000 m2/g以下。皿2000 m2/g 时会变成多 L质，存在凝集控制困难的可能性。更 上述比表面积的上限为 5 1500m2/g。此外，imJd悉比表面积的下限为100m2/g，更tt^为500m2/g。上 述比表面积可以使用BET比表面积测定装置(岛津制作所制卜，^7夕-3000) 进行测定。ttelh^二氧化硅粒子的表面实施有机物处理。通逝OT这样的二氧化硅粒子，不会使下面详述的防弦层形鹏树脂组合物的粘度上升，能够使二氧10化硅粒子的分散性良好。作为实施了，有机物处理的二氧化硅粒子，不特别限定，可以是结晶性、溶胶状、凝胶状、中空、多孑L质等中的任何一种状态的二氧化硅粒子。此外，也可以是无定形二氧化硅粒子。此外，作为实施了上述有机物处理的二氧化硅粒子，可以使用市售品，例如可列举无定形二氧化硅(大日精化工业社制造)、 15 了工口、》p (f夕，公司制造)、脇二氧化硅(日产化学工业制造)等。从形成有效的凹凸形状、表现防弦性的角度考虑，优^J^二氧化硅粒子 是无定形二氧化硅粒子。上述有机物处理有在二氧化硅粒子表面化学地结合化合物的方法、不与粒 子表面化学结合而浸透到粒子内或粒子间的空隙等的物理方法，可以使用任一20 禾中。一般地，从处理效率的角度考虑，雌使用禾,羟基或硅醇基(、"/ —々基) 等二氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学叠层体，其特征在于，具有透光性基材、和含有二氧化硅粒子的防炫层，前述二氧化硅粒子的介电常数小于４．０。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本佳奈，伊藤洁，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]