电极、干蚀刻设备和制造电极的方法技术

技术编号:30179481 阅读:65 留言:0更新日期:2021-09-25 15:41
本申请涉及一种电极、干蚀刻设备和制造电极的方法。电极包括:铝基板(12),包括反应性气体的入口侧表面(13)和与入口侧表面(13)相对的反应性气体的出口侧表面(15),其中铝基板(12)还包括从入口侧表面延伸至出口侧表面(15)的多个均匀分布的贯通孔,贯通孔包括进气通道和与进气通道连通的安装孔(17);以及多个嵌入体,每个嵌入体(14)由陶瓷制成并且从出口侧表面(15)被嵌入安装至安装孔,其中每个嵌入体(14)包括出气通道,出气通道与进气通道连通以使得来自入口侧表面的反应性气体进入进气通道并且通过出气通道而离开出口侧表面。根据本申请的电极能够显著提高电极的耐久性进而提高使用寿命。提高使用寿命。提高使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
电极、干蚀刻设备和制造电极的方法


[0001]本申请的实施例总体上涉及适于产生等离子体的干蚀刻设备,特别地涉及干蚀刻设备的电极。

技术介绍

[0002]在液晶显示器(例如薄膜晶体管液晶显示器TFT

LCD)的制造过程中,通过在玻璃基板上制作薄膜半导体器件层。在薄膜半导体器件层形成期间通常需要用到干蚀刻工艺。干蚀刻设备包括成对电极,其中上电极包括气体喷射孔。通过反应性气体提供至成对电极之间,并且在成对电极之间施加高频电场,从而生成等离子体,通过等离子体来对薄膜半导体层中的未被掩模覆盖的部位进行蚀刻,以形成所需的电路器件。
[0003]为了实现对玻璃基板干蚀刻,需要来自气体喷射孔的喷射气流均匀喷射至玻璃基板,电极通常包括大量的气体喷射孔并且气体喷射孔的出口尺寸通常很小。该电极的工作表面经常暴露至等离子体,易于损坏,期望能够针对传统电极进行改进以提高电极的耐用性。

技术实现思路

[0004]本申请的实施例提供了一种连接器、用于电极、干蚀刻设备和制造电极的方法,旨在解决上述问题以及其他潜在的问题中的一个或多个。
[0005]根据本申请的第一方面,提供了一种电极,用于生成等离子体,包括:铝基板,包括反应性气体的入口侧表面和与所述入口侧表面相对的反应性气体的出口侧表面,其中所述铝基板还包括从所述入口侧表面延伸至所述出口侧表面的多个均匀分布的贯通孔,所述贯通孔包括进气通道和与所述进气通道连通的安装孔;以及多个嵌入体,所述多个嵌入体中的每个嵌入体由陶瓷制成并且从所述出口侧表面被嵌入安装至所述安装孔,其中所述多个嵌入体中的每个嵌入体包括出气通道,所述出气通道与所述进气通道连通以使得来自所述入口侧表面的反应性气体进入所述进气通道并且通过所述出气通道而离开出口侧表面。
[0006]根据本申请实施例的电极,能够显著提高电极的耐久性进而提高使用寿命。
[0007]在根据本申请的实施例中,在所述嵌入体被嵌入安装至所述安装孔之后,所述铝基板的所述出口侧表面被阳极氧化以在所述出口侧表面形成氧化层。
[0008]在根据本申请的实施例中,在所述出口侧表面形成氧化层之后,所述出口侧表面被喷砂,并且经喷砂后的所述出口侧表面被熔射Y2O3以在所述出口侧表面形成Y2O3熔射层。
[0009]在根据本申请的实施例中,所述电极在所述出口侧表面包括覆盖所述铝基板但是不覆盖所述嵌入体的氧化层。
[0010]在根据本申请的实施例中,所述电极在所述出口侧表面包括覆盖所述氧化层并且覆盖所述嵌入体的Y2O3熔射层。
[0011]在根据本申请的实施例中,所述嵌入体以过盈配合的方式被安装至所述铝基板的安装孔。
[0012]在根据本申请的实施例中,所述嵌入体包括适于定位所述嵌入体的导向部和适于与所述安装孔接合的配合部,其中所述导向部的直径小于所述配合部的直径。
[0013]在根据本申请的实施例中,所述嵌入体包括孔径小于所述进气通道的孔径的第一出口通道。
[0014]在根据本申请的实施例中,所述嵌入体包括孔径等于所述进气通道的孔径并且与所述第一出口通道对齐的第二出口通道,并且所述第二出口通道与所述进气通道对齐。
[0015]根据本申请的第二方面,提供了一种干蚀刻设备。干蚀刻设备包括:蚀刻室;被布置在所述蚀刻室中的第一电极,其被构造成根据上述方面中任一项所述的电极;以及与所述第一电极相对被布置在所述蚀刻室中的第二电极;其中所述第一电极和所述第二电极被施加高频功率以将通过所述第一电极供给至所述蚀刻室的反应性气体电作用成等离子体。
[0016]根据本申请的第三方面,提供了一种用于制造根据上述方面中任一项所述的电极的方法,提供铝基板,所述铝基板包括反应性气体的入口侧表面和与所述入口侧表面相对的反应性气体的出口侧表面,其中所述铝基板还包括从所述入口侧表面延伸至所述出口侧表面的多个均匀分布的贯通孔,所述贯通孔包括进气通道和与所述进气通道连通的安装孔;提供多个嵌入体,所述多个嵌入体中的每个嵌入体由陶瓷制成,其中所述多个嵌入体中的每个嵌入体包括出气通道,所述出气通道适于与所述进气通道连通以使得来自所述入口侧表面的反应性气体进入所述进气通道并且通过所述出气通道而离开出口侧表面;以及从所述出口侧表面将所述多个嵌入体中的每个嵌入体挤压嵌入所述安装孔。
附图说明
[0017]通过参考附图阅读下文的详细描述,本申请的实施例的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例而非限制性的方式示出了本申请的若干实施例。
[0018]图1示出了根据本申请的实施例的干蚀刻设备的整体示意图。
[0019]图2示出了根据本申请的实施例的电极的结构示意图。
[0020]图3示出了根据本申请实施例的电极的喷射孔的示意图。
[0021]图4示出反应性气体流过根据本申请实施例的电极的喷射孔的示意图。
[0022]图5a和图5b分别示出根据本申请实施例的铝基板和嵌入体的结构示意图。
[0023]图6和图7分别示出了根据本申请的用于将嵌入体挤压至铝基板的设备及其剖视示意图。
[0024]图8示出了根据本申请实施例的用于制造电极的方法的流程图。
[0025]在各个附图中,相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
具体实施方式
[0026]下面将参照附图更详细地描述本申请的优选实施例。虽然附图中显示了本申请的优选实施例,然而应该理解,可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了使本申请更加透彻和完整,并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0027]在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括,即“包括但不限于”。除非特别申明,术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施
例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“上”、“下”、“前”、“后”等指示放置或者位置关系的词汇均基于附图所示的方位或者位置关系,仅为了便于描述本申请的原理,而不是指示或者暗示所指的元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造或操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0028]下面结合附图来说明根据本申请实施例的电极。
[0029]图1示出根据本申请的实施例的干蚀刻设备100的整体示意图。如图1所示,干蚀刻设备100包括蚀刻室30和成对相对布置的第一电极10和第二电极20。待加工的玻璃基板可布置在第一电极10和第二电极20之间。第一电极10包括多个气体喷射孔,第一电极10的上部空间可提供反应性气体,所提供的反应性气体经由气体喷射孔而进入蚀刻室30。通过在第一电极10和第二电极20之间施加高频电场,从而生成等离子体,通过等离子体来对玻璃基板进行干蚀刻,以形成所需的电路器件。在蚀刻完成之后,可向蚀刻室30注入氮气以除去等离子体,并且还用于冷却的目的。在蚀刻室30吹扫完成之后,执行排气本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电极,用于生成等离子体,包括:铝基板(12),包括反应性气体的入口侧表面(13)和与所述入口侧表面(13)相对的反应性气体的出口侧表面(15),其中所述铝基板(12)还包括从所述入口侧表面延伸至所述出口侧表面(15)的多个均匀分布的贯通孔,所述贯通孔包括进气通道和与所述进气通道连通的安装孔(17);以及多个嵌入体(14),所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)由陶瓷制成并且从所述出口侧表面(15)被嵌入安装至所述安装孔(17),其中所述多个嵌入体(14)中的每个嵌入体(14)包括出气通道,所述出气通道与所述进气通道连通以使得来自所述入口侧表面的反应性气体进入所述进气通道并且通过所述出气通道而离开出口侧表面(15)。2.根据权利要求1所述的电极,其中在所述嵌入体(14)被嵌入安装至所述安装孔(17)之后,所述铝基板(12)的所述出口侧表面(15)被阳极氧化以在所述出口侧表面(15)形成氧化层(22)。3.根据权利要求2所述的电极,其中在所述出口侧表面(15)形成氧化层(22)之后,所述出口侧表面(15)被喷砂,并且经喷砂后的所述出口侧表面(15)被熔射Y2O3以在所述出口侧表面(15)形成Y2O3熔射层(24)。4.根据权利要求1所述的电极,其中所述电极在所述出口侧表面(15)包括覆盖所述铝基板(12)的表面且不覆盖所述嵌入体(14)的表面的氧化层(22)。5.根据权利要求4所述的电极,其中所述电极在所述出口侧表面(15)包括覆盖所述氧化层(22)的表面并且覆盖所述嵌入体(14)的表面的Y2O3熔射层(24)。6.根据权利要求1

5中任一项所述的电极,其中所述嵌入体(14)以过盈配合的方式被安装至所述铝基板(12)的安装孔(17)。7.根据权利要求6所述的电极,其中所述嵌入体(14)包括适于定位所述嵌入体(14)的导向部(142)和适于与所述安装孔(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡广云黄来国权太植金珉成陶源顾为飞
申请(专利权)人:合肥微睿光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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