一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其冷却方法技术

技术编号:30175077 阅读:18 留言:0更新日期:2021-09-25 15:35
一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,包括有线圈骨架,线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连;左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置,左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置;用热管将G

【技术实现步骤摘要】
一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其冷却方法


[0001]本专利技术属于磁控拉单晶应用
,具体涉及一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其冷却方法。

技术介绍

[0002]高纯单晶硅广泛应用于太阳能电池、集成电路、半导体等行业,是光伏发电、电子信息等高新技术产业的关键材料之一,在保障能源、信息、国家安全方面具重要的战略地位。然而,由于磁拉单晶技术的核心部件—大型超导强磁体装置,其设计技术难度高、加工制造难度大、成本和风险居高不下等原因,导致国内缺乏相关基础研究和技术积累,该项技术被日、美、德等国完全垄断。
[0003]根据已有的文献调研可知,截止目前,磁控拉单晶用超导磁体领域,由于单晶硅加工制备的区域性及垄断性,导致目前国外研制单位主要为日本的住友(Sumitomo),东芝(Toshiba)及日本超导技术公司(JASTEC)等企业,同时该领域磁体制备技术几乎完全处于保密、封锁状态。国内单晶硅相关研究虽与日本同时起步,但就目前总体而言,生产技术水平仍然相对较低,国内消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但经过多年的积累与发展正迎头赶上,近几年也有相关专利进行了保护申请,如公开号为(CN103106994A)专利文献,提出的一种用于磁控直拉单晶用MgB2超导磁体;公开号为(CN110136915A)的专利文献提出一种超导磁体和磁控直拉单晶设备,然而,以前的磁体大都存在如下问题,冷却采用液氦的方式或者直接采用G

M制冷机热传导的方式对磁体进行降温冷却,采用液氦冷却方式,由于液氦为稀缺资源导致成本非常高昂,采用G

M制冷机热传导直接冷方式,所需要的降温时间非常长,根据磁体冷体的质量,一般8英寸和12英寸的超导磁体降温需要14~20天的时间,降温时间成本非常高,是目前磁体使用过程中面临的一个较为严重的影响生产效率的问题。同时,由于实际运行过程中,也难免因各种情况导致磁体失超,从而使得超导磁体温度升高,因此也需要再次降温到超导磁体运行临界温度以下。所以,超导磁体的降温时间长、短,实际将会严重影响磁体在实际生产中的使用效率。

技术实现思路

[0004]为克服上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体及其冷却方法,引入热管,从而提高磁体的冷却效率,缩短磁体从室温冷却到超导线材临界运行温度以下的时间,降低时间成本提高磁体生产效率。
[0005]为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,包括有线圈骨架,线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连;左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置,左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置;用热管将G

M制冷机一级冷头与G

M制冷机二级冷头相连;冷屏导冷装置8上侧与G

M制冷机相连。
[0006]所述的热管上端设有热管上端连接导冷件,下端设有热管下端连接导冷件;热管
上端连接导冷件下部与热管高温端冷凝器相连,热管高温端冷凝器位于热管腔体中;热管下端连接导冷件上部与热管下端换热器相连,热管下端换热器位于热管腔体中;热管腔体上端与热管冷凝器气体导入管相连通。
[0007]所述的热管上端连接导冷件和热管下端连接导冷件的热传导系数为200~700W/m*K。
[0008]所述的热管上端连接导冷件和热管高温端冷凝器的材料采用高纯无氧铜或高纯铝。
[0009]所述的热管腔体的上、下两端的材料的热传导系数为0.1~1W/m*K。
[0010]所述的热管腔体上、下两端的材料采用不锈钢、黄铜、铍铜或者钛合金。
[0011]所述的热管上端连接导冷件和热管下端连接导冷件的导冷结构采用多层嵌套结构。
[0012]所述的热管冷凝器气体导入管依次穿过热管上端连接导冷件、热管高温端冷凝器。
[0013]一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体的冷却方法,包括以下步骤:步骤1,设置冷却磁控拉单晶超导磁体,具体做法是:将马鞍形超导线圈左、右对称设置,超导线圈绕制在线圈骨架上面,线圈骨架的圆弧段与左右线圈导冷连接装置相连;左右线圈导冷连接装置的上侧设有冷屏导冷装置,左右线圈导冷连接装置的下侧设有线圈导冷装置;用热管将G

M制冷机一级冷头与G

M制冷机二级冷头相连;冷屏导冷装置上侧与G

M制冷机相连;热管上端设有热管上端连接导冷件,下端设有热管下端连接导冷件;热管上端连接导冷件下部与热管高温端冷凝器相连,热管高温端冷凝器位于热管腔体中;热管下端连接导冷件上部与热管下端换热器相连,热管下端换热器位于热管腔体中;热管腔体上端与热管冷凝器气体导入管相连通;步骤2,当磁控拉单晶磁体运行时,通过热管冷凝器气体导入管,将气体充入到热管中,根据热管的具体参数设置1~2MPa的压力值,使用真空机组对真空杜瓦抽真空,当真空度达到10
‑2Pa量级时,打开G

M制冷机对测试样品进行冷却;步骤3,在降温前期当超导线圈温度较高,热管中的气体将一级冷头与二极冷头连接起来,甚至当G

M制冷机的温度低于气体的液化温度时,热管高温端冷凝器将气体液化,液化的气体因重力滴入热管下端连接导冷件,使超导线圈的降温借助G

M制冷机一级冷头远远大于G

M制冷机二级冷头的冷量,从而加快超导线圈冷却的速度,提高冷却效率;当超导线圈温度低于充入气体的液化温度时,热管热管下端连接导冷件将气体液氦、甚至凝固,使热管中形成真空形式,将G

M制冷机一级冷头与G

M制冷机二级冷头断开,这样可避免低温时G

M制冷机一级冷头高温影响G

M制冷机二级冷头降温的问题,最终实现超导线圈的快速降温冷却。
[0014]所述的气体采用惰性气体,包括但不限于氮气、氩气、氖气。
[0015]本专利技术的有益效果是:1)在马鞍形线圈结构基础上引入热管的设计概念,采用热管将G

M制冷机的一级冷头与二级冷头连接起来,利用一级冷头制冷功率大的特点,当超导线圈温度较高时,热管中的气体将一级冷头与二极冷头连接起来,使得线圈的降温可以借助G

M制冷机一级冷头远远大于二级冷头的冷量,从而加快线圈冷却的速度,提高冷却效率。当超导线圈温度低于
充入气体的液化温度时,热管低温端会将气体液氦、甚至凝固,使热管中形成类真空形式,将一级冷头与二级冷头断开,这样又避免了低温时,一级冷头影响二级冷头降温的问题。
[0016]2)马鞍形线圈结构,使得单位磁场强度情况下超导线使用量更少、因此磁体的电感及储能相对传统的磁控拉单晶磁体更小,便于失超保护。同时,在磁体失超后,磁体部分储能将在室温端进行卸能,因此相对与传统磁体温度上升会低非常多,再借助热管便于短时间采用G

M制冷机降低线圈的温度,恢复磁体的磁场本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,包括有线圈骨架(4),其特征在于,线圈骨架(4)的圆弧段与左右线圈导冷连接装置(10)相连;左右线圈导冷连接装置(10)的上侧设有冷屏导冷装置(8),左右线圈导冷连接装置(10)的下侧设有线圈导冷装置(6);用热管(9)将G

M制冷机一级冷头(11)与G

M制冷机二级冷头(12)相连;冷屏导冷装置(8)上侧与G

M制冷机(7)相连。2.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管(9)上端设有热管上端连接导冷件(13),下端设有热管下端连接导冷件(17);热管上端连接导冷件(13)下部与热管高温端冷凝器(14)相连,热管高温端冷凝器(14)位于热管腔体(15)中;热管下端连接导冷件(17)上部与热管下端换热器(16)相连,热管下端换热器(16)位于热管腔体(15)中;热管腔体(15)上端与热管冷凝器气体导入管(18)相连通。3.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管上端连接导冷件(13)和热管下端连接导冷件(17)的热传导系数为200~700W/m*K。4.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管上端连接导冷件(13)和热管高温端冷凝器(14)的材料采用高纯无氧铜或高纯铝。5.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管腔体(15)的上、下两端的材料的热传导系数为0.1~1W/m*K。6.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管腔体(15)上、下两端的材料采用不锈钢、黄铜、铍铜或者钛合金。7.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管上端连接导冷件(13)和热管下端连接导冷件(17)的导冷结构采用多层嵌套结构。8.根据权利要求1所述的一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体,其特征在于,所述的热管冷凝器气体导入管(18)依次穿过热管上端连接导冷件(13)、热管高温端冷凝器(14)。9.一种用于传导冷却磁控拉单晶超导磁体的冷却方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,设置冷却磁控拉单晶超导磁体,具体做法是:将马鞍形超导线圈(5)左、右对称设置,超导线圈(...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘伟李超马鹏张弛李勇葛正福兰贤辉冯勇刘向宏张平祥
申请(专利权)人:西安聚能超导磁体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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