原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法技术

本申请涉及原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法；涉及枝晶纳米结构制备领域。方法包括：将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层，将预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构，在暗室条件下，将预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构；本申请通过氧化、置换和沉积的步骤，简单的制备得到金银枝晶花状纳米结构，且在金银枝晶花状纳米结构表面沉积探针分子，在激发光入射条件下，由于金银枝晶花状纳米结构对不同的探针分子，具有不同的散射特性，金银枝晶花状纳米结构通过增加探针分子的光辐射效率，即通过增加散射峰的强度，实现对拉曼光谱的增强。对拉曼光谱的增强。对拉曼光谱的增强。

【技术实现步骤摘要】
原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法


[0001]本申请涉及枝晶纳米结构制备领域，具体而言，涉及一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法。

技术介绍

[0002]自从1970年表面增强拉曼散射效应(SERS)发现以来，具有检测单个分子极限分析物的非接触式无损拉曼光谱检测技术，表现出了强大生命力，并已经在多个领域受到广泛关注。由于拉曼光谱频移仅依赖于目标分子的振动能级，与激发波长无关，所以拉曼光谱可作为分子的指纹光谱，靶向目标识别性极强，因此，在实际工程使用中，拉曼光谱技术受到越来越多的关注。由于分子拉曼散射截面小，通常在10
‑
30
cm2–
10
‑
25
cm2的范围内，自由态分子的拉曼信号极其微弱，探测器光谱行为对测试环境要求极为苛刻，极大地限制其工程推广。
[0003]为了进一步增强拉曼散射光谱信号，研究者将被测分子吸附贵金属纳米结构表面，并观察到拉曼光谱强度增强。枝晶金属纳米结构中，两相邻枝晶间会发生强局域场耦合，易于形成电磁热点，能够有效增强分子的电子辐射跃迁速率，实现拉曼光谱增强。因此，制备具有低成本和高稳定性的金属枝晶纳米结构衬底尤为重要。
[0004]但是，现有技术中的金属枝晶纳米结构一般的制备流程较为复杂，成本较高，难以应用于增强拉曼散射光谱信号。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，以解决现有技术中的金属枝晶纳米结构一般的制备流程较为复杂，成本较高，难以应用于增强拉曼散射光谱信号的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，方法包括：
[0008]将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层；
[0009]将预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构；
[0010]在暗室条件下，将预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构；
[0011]将预设探针分子沉积在金银枝晶花状纳米结构的表面。
[0012]可选地，该第一预设时间为60分钟
‑
120分钟，第二预设时间为20分钟
‑
60分钟。
[0013]可选地，该将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层的步骤之前还包括：
[0014]将预设衬底裁剪为预设尺寸；
[0015]使用丙酮溶液、乙醇和去离子水清洗预设衬底；
[0016]将预设衬底放置在电解槽的阳极，在电解槽中注入预设抛光溶液，在冰浴条件下
将预设衬底抛光；
[0017]将抛光后的预设衬底进行氧化。
[0018]可选地，该将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层的步骤包括：
[0019]将氧化的预设衬底进行第二次裁剪；
[0020]将预设衬底放置在体积比为1/10的稀盐酸溶液中，反应第三预设时间，去除预设衬底表面的氧化层；
[0021]使用去离子水清洗预设衬底的表面。
[0022]可选地，该将预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构的步骤之前包括：将0.085g的 AgNO3晶体溶解在50ml去离子水配置0.01mol/L的硝酸银溶液。
[0023]可选地，该在暗室条件下，将预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构的步骤之前包括：将0.034g的HAuCl4·
4H2O晶体溶解在100ml去离子水中，配置得到0.001mol/L的氯金酸溶液。
[0024]可选地，该预设探针分子为罗丹明和结晶紫中任意一种。
[0025]本专利技术的有益效果是：
[0026]本申请提供一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，方法包括：将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层，将预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构，在暗室条件下，将预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构，将预设探针分子沉积在金银枝晶花状纳米结构的表面，本申请通过氧化、置换和沉积的步骤，简单的制备得到金银枝晶花状纳米结构，且通过在金银枝晶花状纳米结构表面沉积探针分子，在一定的激发光入射条件下，由于该金银枝晶花状纳米结构对不同的探针分子，具有不同的散射光谱，该金银枝晶花状纳米结构通过增加探针分子的光辐射速率，即通过增加散射峰的强度，实现对拉曼光谱的增强，且由于本申请制备银枝晶纳米结构的流程简单，进而使得本申请制备的银枝晶纳米结构的成本也相应较低。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0028]图1为本专利技术一实施例提供的一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法的流程示意图；
[0029]图2为本专利技术一实施例提供的另一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法的流程示意图；
[0030]图3为本专利技术一实施例提供的另一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法的流程示意图；
[0031]图4为本专利技术一实施例提供的另一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底
的制备方法的制备的结构的结构图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0033]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]为了使本专利技术的实施过程更加清楚，下面将会结合附图进行详细说明。
[0035]图1为本专利技术一实施例提供的一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法的流程示意图；如图1所示，本申请提供一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，方法包括：
[0036]S101、将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除预设衬底表面的氧化层。
[0037]本申请的预设衬底用于承载本申请需要制备的结构，该预设衬底的材料一般为金属，在此不做具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除所述预设衬底表面的氧化层；将所述预设衬底放置在硝酸银溶液中，反应第一预设时间，得到银枝晶纳米结构；在暗室条件下，将所述预设衬底放置在氯金酸溶液中，反应第二预设时间，得到金银枝晶花状纳米结构；将预设探针分子沉积在所述金银枝晶花状纳米结构的表面。2.根据权利要求1所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间为60分钟
‑
120分钟，所述第二预设时间为20分钟
‑
60分钟。3.根据权利要求2所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，其特征在于，所述将预设衬底放置在第一预设溶液中，去除所述预设衬底表面的氧化层的步骤之前还包括：将所述预设衬底裁剪为预设尺寸；使用丙酮溶液、乙醇和去离子水清洗所述预设衬底；将所述预设衬底放置在电解槽的阳极，在所述电解槽中注入预设抛光溶液，在冰浴条件下将所述预设衬底抛光；将抛光后的所述预设衬底进行氧化。4.根据权利要求3所述的原位置换法生成金银枝晶花状纳米结构衬底的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：董军，吴飞飞，高伟，韩庆艳，王勇凯，杨程元，祁建霞，
申请(专利权)人：西安邮电大学，
类型：发明
国别省市：