一种可温控电光KTP开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可温控电光KTP开关，包括壳体、KTP晶体和单纵模调QND，所述壳体底层设置有底座，所述壳体一侧设置有温控件，所述温控件内侧设置有传导件，所述KTP晶体上方设置有V+层，所述KTP晶体下方设置有V

【技术实现步骤摘要】
一种可温控电光KTP开关


[0001]本技术涉及一种KTP开关，具体为一种可温控电光KTP开关。

技术介绍

[0002]电光开关是激光系统的重要单元,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲,可以对调Q脉冲进行削波,它也是电光隔离器中不可缺少的元件。电光开关性能的不断改进,对一个激光系统提高输出的成功率、稳定性起着十分关键的作用,合理地选择电光材料是提高开关性能的有效途径之一。KDP和LiNbO3是目前广泛应用于普克尔盒的电光材料,但它们都有缺点。LiNbO3晶体普克尔盒有低的半波电压,也不潮解,但由于它的光学破坏阈值低,限制了它在高峰值功率激光系统中的应用,压电效应引起的声光作用使LiNbO3晶体在高重复率激光系统中的运用变得复杂。KDP晶体普克尔盒虽然也有较高的光学破坏阈值,但半波电压相对较高,还潮解,使用时需要密封在一个盒子内,在端面镀增透膜和加折射率匹配材料,进一步增加了器件的插入损耗。
[0003]KTP晶体作为相对新的非线性光学材料,有其独特的优点,已被广泛用于腔内倍频钕离子辐射的1μm附近的红外激光。以前的测量表明,KTP晶体还有大的电光系数和低的介电常数,有比LiNbO3晶体大一个量级的光学破坏阈值,并且不潮解,在整个透明波段,插入损耗低。由此可见,KTP普克尔盒保留了以上两种开关优点的同时,克服了它们的缺点。然而,KTP是双折射晶体,我们在应用KTP普克尔盒时,关键是要补偿它的静态双折射。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种可温控电光KTP开关，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可温控电光KTP开关，包括壳体、KTP晶体和单纵模调QND，所述壳体底层设置有底座，所述壳体一侧设置有温控件，所述温控件内侧设置有传导件，所述KTP晶体上方设置有V+层，所述KTP晶体下方设置有V
‑
层，所述KTP晶体前后两侧分别设置有检偏器B和检偏器A，所述KTP晶体内侧穿梭有激光束，所述单纵模调QND11输出端连接有GaAs光电导开关，所述GaAs光电导开关输出端连接有分光镜，所述分光镜输出端连接有洛匈双棱镜A，所述洛匈双棱镜A输出端连接有所述KTP晶体，所述KTP晶体输出端连接有洛匈双棱镜B和高压电脉冲形成器，所述高压电脉冲形成器输出端连接有所述GaAs光电导开关。
[0006]优选的，所述激光束分别穿梭有所述检偏器A、所述KTP晶体和所述检偏器B，分别作为起偏和检偏。
[0007]优选的，放在晶体两端的所述检偏器B和所述检偏器A的起偏方向相互正交,并且起偏方向都与z轴成45
°
角，晶体垂直主轴切割,光沿y方向传播,通光长度是l,z方向加电场，这样做还能提高晶体的光学破坏阈值。
[0008]优选的，所述单纵模调QND为YLF激光器,工作波长为1.053μm,输出约为50ns的长
脉冲，调整适应波长。
[0009]优选的，所述KTP晶体放置于温控炉里，方便调节温度,测得的透过率随温度的变化。
[0010]优选的，所述激光束为功率恒定的波长为1.053μm的激光，符合实验波长。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术综合了许多优点,如半波电压低、光学破坏阈值高、插入损耗小以及不明显的由压电效应引起的声光作用,是LiNbO3和KDP晶体普克尔盒等无法比得上的。通过采取一些措施,可以将KTP普克尔盒运用于腔内调Q高功率Nd：YLF激光器。
附图说明
[0012]图1为本技术KTP晶体结构结构图；
[0013]图2为本技术温控KTP电光开关结构图；
[0014]图3为本技术运行结构框图。
[0015]图中：1
‑
壳体；2
‑
底座；3
‑
温控件；4
‑
传导件；5
‑
V+层；6
‑
V
‑
层；7
‑
KTP晶体；8
‑
激光束；9
‑
检偏器A；10
‑
检偏器B；11
‑
单纵模调QND；12
‑
GaAs光电导开关；13
‑
分光镜；14
‑
洛匈双棱镜A；15
‑
洛匈双棱镜B；16
‑
高压电脉冲形成器。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
‑
3，本技术提供一种技术方案：一种可温控电光KTP开关，包括壳体1、KTP晶体7和单纵模调QND11，所述壳体1底层设置有底座2，所述壳体1一侧设置有温控件3，所述温控件3内侧设置有传导件4，所述KTP晶体7上方设置有V+层5，所述KTP晶体7下方设置有V
‑
层6，所述KTP晶体7前后两侧分别设置有检偏器B10和检偏器A9，所述KTP晶体7内侧穿梭有激光束8，所述单纵模调QND11输出端连接有GaAs光电导开关12，所述GaAs光电导开关12输出端连接有分光镜13，所述分光镜13输出端连接有洛匈双棱镜A14，所述洛匈双棱镜A14输出端连接有所述KTP晶体7，所述KTP晶体7输出端连接有洛匈双棱镜B15和高压电脉冲形成器16，所述高压电脉冲形成器16输出端连接有所述GaAs光电导开关12。
[0018]所述激光束8分别穿梭有所述检偏器A9、所述KTP晶体7和所述检偏器B10，分别作为起偏和检偏。放在晶体两端的所述检偏器B10和所述检偏器A9的起偏方向相互正交,并且起偏方向都与z轴成45
°
角，晶体垂直主轴切割,光沿y方向传播,通光长度是l,z方向加电场，这样做还能提高晶体的光学破坏阈值。所述单纵模调QND11为YLF激光器,工作波长为1.053μm,输出约为50ns的长脉冲，调整适应波长。所述KTP晶体7放置于温控炉里，方便调节温度,测得的透过率随温度的变化。所述激光束8为功率恒定的波长为1.053μm的激光，符合实验波长。
[0019]工作原理：本技术单纵模调QND11为YLF激光器,工作波长1.053μm,输出约为50ns的长脉冲，洛匈双棱镜A14和洛匈双棱镜B15,分别作为起偏和检偏;KTP晶体7置于温控
炉里面;GaAs光电导开关12、高压电脉冲形成器16输出整形电脉冲可适当延迟,并且幅度可调。当GaAs光电导开关12接收到从分光镜13反射出来的光信号后,GaAs光电导开关12导通,输出与光脉冲形状一致的电脉冲,但只有当电脉冲幅度大于预定值时,才能触发GaAs光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可温控电光KTP开关，其特征在于：包括壳体（1）、KTP晶体（7）和单纵模调QND（11），所述壳体（1）底层设置有底座（2），所述壳体（1）一侧设置有温控件（3），所述温控件（3）内侧设置有传导件（4），所述KTP晶体（7）上方设置有V+层（5），所述KTP晶体（7）下方设置有V
‑
层（6），所述KTP晶体（7）前后两侧分别设置有检偏器B（10）和检偏器A（9），所述KTP晶体（7）内侧穿梭有激光束（8），所述单纵模调QND（11）输出端连接有GaAs光电导开关（12），所述GaAs光电导开关（12）输出端连接有分光镜（13），所述分光镜（13）输出端连接有洛匈双棱镜A（14），所述洛匈双棱镜A（14）输出端连接有所述KTP晶体（7），所述KTP晶体（7）输出端连接有洛匈双棱镜B（15）和高压电脉冲形成器（16），所述高压电脉冲形成器（...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵修强，冯骥，翟娜娜，周婧，
申请(专利权)人：山东辰晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：