像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法技术

提供了一种显示设备的像素结构、一种包括像素结构的显示设备以及一种用于制造像素结构的方法。该显示设备的像素结构包括电极线、至少一个超小型发光二极管和连接电极。电极线包括在基体基底上与第一电极分离并且与第一电极位于同一水平处的第二电极。至少一个超小型发光二极管位于基体基底上，并且具有比第一电极与第二电极之间的距离小的长度。连接电极包括将第一电极连接到超小型发光二极管的第一接触电极和将第二电极连接到超小型发光二极管的第二接触电极。极管的第二接触电极。极管的第二接触电极。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
[0001]本申请是申请日为2017年7月11日、申请号为201710560211.4、题为“像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]在此描述的一个或更多个实施例涉及一种像素结构、一种包括像素结构的显示设备以及一种用于制造像素结构的方法。

技术介绍

[0003]发光二极管(LED)具有高的光转换效率、极低的功耗、半永久寿命，并且是生态友好器件。因此，LED用于交通灯、移动电话、车辆的前灯、户外电子显示器、背光单元、室内照明和其它应用。
[0004]当用于显示器时，LED连接到电极以接收电源。在建立该连接方面，已经尝试布置并且减少由电极所占用的空间。一种尝试涉及在电极上直接生长LED。另一种尝试涉及在独立地且单独地生长LED之后将LED安置到电极上。在后一种情况下，如果LED是一般的发光元件，那么可以通过将3D发光元件安置在竖直位置中来使三维(3D)的发光元件连接到电极。然而，当LED是具有纳米尺寸或微尺寸的超小型发光元件时，该连接会是困难的。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例包括像素结构、包括该像素结构的显示设备以及制造该像素结构的方法，该像素结构被构造为防止在排列超小型发光二极管的工艺中对超小型发光二极管的损坏，并且增大朝向超小型发光二极管的前面发射的光的效率。
[0006]一个或更多个实施例包括像素结构、包括该像素结构的显示设备以及制造该像素结构的方法，该像素结构被构造为防止超小型发光二极管在排列超小型发光二极管的工艺中偏移至某一区，并且增大朝向超小型发光二极管的前面发射的光的效率。
[0007]附加的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，且部分地将通过描述而明显，或者可以通过本实施例的实践而了解。
[0008]根据一个或更多个实施例，一种显示设备的像素结构包括：电极线，包括在基体基底上与第一电极分离并且与第一电极位于同一水平处的第二电极；至少一个超小型发光二极管，位于基体基底上并且具有比第一电极与第二电极之间的距离小的长度；连接电极，包括将第一电极连接到超小型发光二极管的第一接触电极和将第二电极连接到超小型发光二极管的第二接触电极。
[0009]第一接触电极和第二接触电极可以是透明电极。第一电极和第二电极中的至少一个的面对超小型发光二极管的表面可以是反射将从超小型发光二极管发射的光的反射表面。第一电极和第二电极中的每个可以具有比超小型发光二极管的厚度大的厚度。反射表面的相对于基体基底的角可以小于90度。
[0010]超小型发光二极管可以包括：第一电极层和第二电极层，位于超小型发光二极管
的各个端部上；第一半导体层和第二半导体层，位于第一电极层与第二电极层之间；第一活性层，位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中，第一电极层和第二电极层是透明电极。第一电极和第二电极中的每个可以包括在第一方向上延伸的主电极和在与第一方向交叉的第二方向上从主电极延伸的指状电极。
[0011]指状电极的面对超小型发光二极管表面可以是反射光的反射表面。指状电极可以经由第一接触电极和第二接触电极中的至少一个电连接到超小型发光二极管。像素结构可以包括在第一电极和第二电极的外侧上的坝结构，坝结构可以具有比第一电极和第二电极中的每个的厚度大的厚度。像素结构可以包括电连接到第一电极的驱动晶体管和电连接到第二电极的电源线。
[0012]根据一个或更多个其它实施例，一种显示设备的像素结构包括：引导结构，位于基体基底上，并且具有中心区和从中心区以放射状形式延伸的多个引导区；多个超小型发光二极管，位于引导区中；坝结构，阻挡引导区的端部。超小型发光二极管中的每个超小型发光二极管的长度可以比引导区的宽度小。
[0013]引导结构可以包括以放射状形式延伸并且彼此分离以限定引导区的第一电极和第二电极。第一电极和第二电极中的每个可以具有比超小型发光二极管的厚度大的厚度。第一电极与第二电极之间的距离可以比超小型发光二极管的长度大，像素结构可以包括将超小型发光二极管连接到第一电极和第二电极的第一接触电极和第二接触电极。
[0014]引导结构可以包括多个引导杆，多个引导杆以放射状形式延伸，彼此分离以限定引导区，并且具有比超小型发光二极管的厚度大的厚度。引导杆之间的距离可以比超小型发光二极管中的每个超小型发光二极管的长度大。像素结构可以包括电连接到第一电极的驱动晶体管和电连接到第二电极的电源线。
[0015]根据一个或更多个其它实施例，一种显示设备包括前述的像素结构和连接到像素结构的驱动器。
[0016]根据一个或更多个其它实施例，一种显示设备包括前述的像素结构和连接到像素结构的驱动器。
[0017]根据一个或更多个其它实施例，一种用于制造像素结构的方法包括：在基体基底上形成第一电极和第二电极，第一电极和第二电极彼此分开预定距离；在第一电极和第二电极的外侧上形成坝结构；用包括多个超小型发光二极管的溶液涂覆基体基底，超小型发光二极管具有比第一电极与第二电极之间的距离小的长度；通过向第一电极和第二电极施加预定的电压来排列超小型发光二极管；将超小型发光二极管电连接到第一电极和第二电极。
[0018]根据一个或更多个其它实施例，一种用于制造像素结构的方法包括：在基体基底上形成包括中心区和从中心区以放射状形式延伸的多个引导区的引导结构；形成阻挡引导区的端部的坝结构；用包括多个超小型发光二极管的溶液涂覆引导结构的中心区；使包括多个超小型发光二极管的溶液移动到引导区；通过向第一电极和第二电极施加预定的电压来排列超小型发光二极管。
附图说明
[0019]通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域的技术人员将变得明显，
在附图中：
[0020]图1示出了像素结构的实施例；
[0021]图2示出了沿图1中的剖面线II
‑
II的图；
[0022]图3示出了像素结构的另一实施例；
[0023]图4示出了像素结构的另一实施例；
[0024]图5A和图5B示出了沿图4中的剖面线A
‑
A'和B
‑
B'的图；
[0025]图6示出了像素结构的另一实施例；
[0026]图7示出了像素结构的另一实施例；
[0027]图8A至图8D示出了用于制造像素结构的方法的实施例；
[0028]图9示出了像素结构的另一实施例；
[0029]图10A至图10B示出了沿图9中的剖面线C
‑
C'和D
‑
D'的图；
[0030]图11示出了像素结构的另一实施例；
[0031]图12示出了根据实施例的用于制造像素结构的方法的另一实施例；
[0032]图13A至图13F示出了图12的方法中的各个阶段；
[0033]图14和图15示出了像素结构的另一实施例；
[0034]图16示出了像素结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备的像素结构，所述像素结构包括：基体基底；第一电极，在所述基体基底上并且包括第一主电极和第一指状电极；第二电极，在所述基体基底上并且包括第二主电极和第二指状电极；以及发光二极管，设置在所述第一主电极与所述第二主电极之间并且具有0.5μm至10μm的长度，其中，所述第一主电极和所述第二主电极在第一方向上延伸并且彼此分离，其中，所述第一指状电极在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且连接到所述第一主电极，并且其中，所述第二指状电极在所述第二方向上延伸并且连接到所述第二主电极。2.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构，所述像素结构还包括：第一接触电极，电连接所述第一主电极和所述发光二极管；以及第二接触电极，电连接所述第二主电极和所述发光二极管。3.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一指状电极包括：第一子指状电极，朝向所述发光二极管延伸；以及第二子指状电极，平行于所述第一子指状电极延伸，并且其中，所述第二指状电极包括：第三子指状电极，朝向所述发光二极管延伸；以及第四子指状电极，平行于所述第三子指状电极延伸。4.根据权利要求3所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一子指状电极和所述第三子指状电极在所述第二方向上的长度沿所述第一方向不同。5.根据权利要求4所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一子指状电极包括中心部分和外部，并且其中，所述中心部分在所述第二方向上的长度比所述外部在所述第二方向上的长度大。6.根据权利要求5所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一子指状电极和所述第三子指状电极具有三角形形状。7.根据权利要求3所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一子指状电极和所述第三子指状电极具有四边形形状。8.根据权利要求1所述的显示设备的像素结构，其中，所述第一指状电极和所述第二指状电极包括反射从所述发光二极管提供的光的反射表面。9.根据权利要求8所述的显示设备的像素结构，其中，所述反射表面相对于所述基体基底的角...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大贤，任铉德，赵显敏，姜钟赫，洪性珍，李周悦，曹治乌，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：