半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、源极、半导体层、漏极、绝缘层以及栅极，源极的主体部与漏极的主体部异面设置，半导体层设置在源极与漏极之间，且栅极设置在半导体层的一侧。从而形成垂直沟道型薄膜晶体管。提高了薄膜晶体管内载流子的迁移率，当电荷在垂直型沟道内传输时，即使对其进行弯折等操作，不会对器件的性能造成影响，进而有效的提高半导体器件的性能。而有效的提高半导体器件的性能。而有效的提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示面板制造
，特别是涉及一种半导体器件及半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断提升，新型显示产品对显示技术的要求也越来越高，特别是在大尺寸8K可卷曲型高端显示产品中，对显示背板的驱动能力也提出了更高的要求。
[0003]在显示面板等半导体器件中，一般包括阵列基板。其中，阵列基板包括薄膜晶体管。常用的薄膜晶体管包括顶栅自对准结构型薄膜晶体管，该顶栅自对准结构型薄膜晶体管包括有源层，其中有源层可分为与栅电极对应的高电阻区以及与源漏极对应的低电阻区，因栅电极和有源层中低电阻区没有交叠，使栅电极与有源层之间具有较小的寄生电容，可减小有源层的电阻，从而可减小信号延迟，提高显示效果，而被广泛的应用于高分辨率、大尺寸的显示面板中。但是，目前制备得到的薄膜晶体管还存在一定的问题，如迁移率较低以及稳定性差，并且，在制备薄膜晶体管时，阵列基板受限于复杂的制备工艺，从而造成生产成本较高，进而难以满足较大尺寸的需求。
[0004]综上所述，现有制备技术中得到的半导体器件还无法满足较大尺寸的面板需求，并且，半导体器件内的薄膜晶体管在正常工作时，器件电子迁移率较小，无法满足高刷新率显示的需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法，通过对半导体器件内的薄膜晶体管的结构进行改进，进而形成一种垂直沟道型薄膜晶体管，有效的提高器件载流子的迁移率，并最终提高半导体器件的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供的技术方法如下：
[0007]本专利技术实施例的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：
[0008]衬底、源极、漏极、半导体层以及栅极；
[0009]其中，所述源极的主体部与所述漏极的主体部异面设置，所述半导体层设置在所述源极的主体部的一侧，且至少部分所述半导体层覆盖所述源极的主体部，所述栅极设置在所述源极的非主体部上。
[0010]根据本专利技术一实施例，所述半导体层包括主体部和延伸部，所述半导体层的主体部设置在所述源极上，所述半导体层的延伸部设置于所述衬底的表面。
[0011]根据本专利技术一实施例，所述漏极的一端设置在所述半导体层上，所述漏极的另一端设置于所述衬底的表面。
[0012]根据本专利技术一实施例，所述栅极在所述衬底上的投影位于所述漏极在所述衬底上的投影的范围外。
[0013]根据本专利技术一实施例，所述半导体器件还包括绝缘层，所述绝缘层的一端设置在
所述源极上，所述绝缘层的另一端设置于所述漏极的所述主体部上。
[0014]根据本专利技术一实施例，所述绝缘层包括设置在所述绝缘层的一端和所述绝缘层的另一端之间的弯折部，所述弯折部与所述半导体层的一侧面以及所述漏极的一侧面相接触，且所述栅极设置在所述源极的非主体部对应的所述绝缘层上并与所述弯折部相接触。
[0015]根据本专利技术一实施例，所述源极或所述漏极为网格状结构。
[0016]根据本专利技术一实施例，所述半导体器件还包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极设置在所述漏极的一侧，所述第二接触电极设置在所述源极的一侧。
[0017]根据本专利技术实施例的第二方面，还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
[0018]B100：在衬底上制备第一绝缘层；
[0019]B101：在所述第一绝缘层上制备源极；
[0020]B102：在所述源极的一侧制备半导体层，且至少部分所述半导体层覆盖所述源极的主体部；
[0021]B103：在所述半导体层上制备漏极，其中，至少部分所述漏极在所述源极的主体部上的投影与所述源极的主体部重叠；
[0022]B104：在所述源极上制备第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层与所述半导体层的一侧面以及所述漏极的至少一部分相接触；
[0023]B105：在所述第二绝缘层上制备栅极。
[0024]根据本专利技术一实施例，所述步骤B102包括：通过蓝色激光退火工艺对所述半导体层进行处理。
[0025]综上所述，本专利技术实施例的有益效果为：
[0026]本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法，通过对半导体器件内的薄膜晶体管的结构进行改进，将半导体层设置在薄膜晶体管的源极上，并将漏极设置在半导体层，同时将薄膜晶体管的栅极设置在半导体层的两侧对应位置处，从而形成一种垂直沟道型薄膜晶体管，进而提高薄膜晶体管内载流子的迁移率，当电流在垂直型沟道内传输时，即使对其进行弯折等操作，也不会对器件的性能造成影响，进而有效的提高薄膜晶体管的性能。
附图说明
[0027]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果更清楚。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的一种半导体器件的结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的半导体器件的弯折结构示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的又一半导体器件的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的另一半导体器件的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例提供的另一半导体器件的膜层结构示意图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的半导体器件的膜层结构示意图；
[0034]图7为本专利技术实施例提供的半导体器件制备工艺流程示意图；
[0035]图8A
‑
图8D为本专利技术实施例提供的半导体器件制备工艺对应的膜层结构示意图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0038]随着显示面板制备技术的不断发展，人们希望制备并获得到质量及性能最佳的面板。但是，显示面板中的半导体器件在显示过程中，内部的薄膜晶体管的性能在很大程度上影响到器件的显示性能，因此，制备并获得具有较高迁移本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、源极、漏极、半导体层以及栅极；其中，所述源极的主体部与所述漏极的主体部异面设置，所述半导体层设置在所述源极的主体部的一侧，且至少部分所述半导体层覆盖所述源极的主体部，所述栅极设置在所述源极的非主体部上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括主体部和延伸部，所述半导体层的主体部设置在所述源极上，所述半导体层的延伸部设置于所述衬底的表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极的一端设置在所述半导体层上，所述漏极的另一端设置于所述衬底的表面。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极在所述衬底上的投影位于所述漏极在所述衬底上的投影的范围外。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括绝缘层，所述绝缘层的一端设置在所述源极上，所述绝缘层的另一端设置于所述漏极的所述主体部上。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括设置在所述绝缘层的一端和所述绝缘层的另一端之间的弯折部，所述弯折部与所述半导体层的一侧面以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡道兵，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：