等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法制造方法及图纸

为了提供使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法，等离子体处理装置具备：配置于真空容器内部的处理室内的样品台；形成用于对其上方的晶圆进行处理的等离子体的等离子体形成空间以及在下方与所述等离子体形成空间连通的下部空间；配置于所述下部空间的底部的排气口；对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热的加热器；在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力的第一真空计；与配置于包围该下方的所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通的校正用的第二真空计；使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一以及第二真空计的输出来补正所述第一真空计的输出的补正机。所述第一真空计的输出的补正机。所述第一真空计的输出的补正机。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置以及等离子体处理装置的工作方法


[0001]本专利技术涉及使用在真空容器内的处理室形成的等离子体来对配置于该处理室内的半导体晶圆等基板状的样品进行处理的等离子体装置以及等离子体处理装置的工作方法，尤其涉及使用对处理室内部的压力进行探测的压力计的输出来调节处理室内的压力并处理所述样品的等离子体装置以及等离子体处理装置的工作方法。

技术介绍

[0002]已知上述那样的等离子体处理装置中，以往用于调节处理室内的压力的压力计的输出伴随着装置的工作时间的经过或者稀少的处理个数的累计变大，而会从初始的状态进行变动。因此，如果达到规定的工作时间、样品的处理个数，则将用于调节样品的处理中的压力的压力计的输出与精度明确的基准用的其他压力计的输出进行比较，来补正用于调节样品的处理中的压力的压力计。
[0003]作为上述那样的以往的技术例，已知日本特开2004
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273682号公报(专利文献1)中记载的内容。该现有技术中公开了如下技术：除了与处理室连接的控制用压力计之外，还利用与同处理室相连的空间连接的校正用压力计，从而不需要在大气压下进行的控制用的压力计的校正作业。此外，作为其他的例子，在日本特开2010
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251464号公报(专利文献2)中公开了以下技术：通过使校正用压力计和在成膜处理时用于控制压力的控制用压力计的安装位置相同并使探测校正用的压力计和控制用的压力计的压力的条件相同，从而能在与实际进行成膜的处理的条件相接近的状态下进行控制用的压力计的零点校正，以高的精度实现处理中的压力的条件。
[0004]先行技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2004
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273682号公报
[0007]专利文献2：日本特开2010
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251464号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]在上述现有技术中，由于对以下方面考虑不充分，因而产生了问题。
[0010]即，上述专利文献1处于使所连接的处理室与装载锁(load lock)室连通而成为一个空间的状态，专利文献2具备在处理室连接校正用压力计和处理室内部的压力的调节用的压力计这两者的结构。而且，均为以下的技术：在对处理室内部进行真空排气而减压到规定的真空度之后，将该处理室调节为多个不同的压力状态，在各个压力状态下对校正用的压力计的输出和处理室的压力调节用的压力计进行比较，使用其结果对压力调节用压力计的输出添加补正。
[0011]然而，在本现有技术中，没有考虑以下的情况：在将装载锁室与处理室之间的闸阀气密地闭塞的状态下，对装载锁室以及处理室进行排气并减压之后，再次打开闸阀而使两
者的压力变为相同之后，对与装载锁室连接的校正用压力计和与处理室连接的压力调节用的压力计进行比较，在包含与在处理室内部实施的处理的条件相接近的接近于0的压力的状态、所谓高真空的压力的状态在内的多个压力的条件下，补正上述压力调节用的压力计的输出。产生了如下问题：在使用在压力变得更高的条件下进行校正的压力计时，使用该压力计调节的处理室的高真空度的压力的值变得不正确。
[0012]进而，在专利文献2中，没有考虑以下情况：如使用等离子体对半导体晶圆上的处理对象的膜进行蚀刻处理的情况那样在高真空度的压力的条件下，对校正用的压力计的输出进行补正。因此，在上述现有技术中，用于制造半导体设备的实际的晶圆的处理中的压力的值与所希望的值相差较大，对晶圆的处理结果带来恶劣影响，处理后所得到的加工形状的尺寸的偏差变大，处理的成品率会变差。
[0013]本专利技术的目的在于，提供一种使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法。
[0014]用于解决课题的手段
[0015]上述的目的能够通过下述的等离子体处理装置或者其工作方法实现，该等离子体处理装置具备：样品台，配置于真空容器内部的处理室内并在其上表面载置处理对象的晶圆；等离子体形成空间，是所述处理室的所述样品台上方的空间，且使用被供给的处理用的气体来形成用于对所述晶圆进行处理的等离子体；下部空间，是所述样品台的下方的所述处理室的下部的空间，且经由所述样品台外周的该处理室内的空间与所述等离子体形成空间连通；排气口，配置于所述下部空间的底部并与对所述处理室内部进行排气使其减压的排气装置连通；加热器，对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热；第一真空计，在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力；校正用的第二真空计，位于该第一真空计的下方，且与配置于包围所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通；和补正机，使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一真空计以及第二真空计的输出，来对所述第一真空计的输出进行补正。
[0016]专利技术效果
[0017]根据本专利技术，能够提供一种使成品率提高的等离子体处理装置或者等离子体处理装置的工作方法。
附图说明
[0018]图1为示意性地表示本专利技术的实施例所涉及的等离子体处理装置的概要结构的纵剖视图。
[0019]图2为示意性地表示对图1所示的实施例所涉及的等离子体处理装置进行维护的作业和此时的等离子体处理装置的状态的图。
[0020]图3为示意性地表示对图1所示的实施例所涉及的等离子体处理装置进行维护的作业和此时的等离子体处理装置的状态的图。
[0021]图4为示意性地表示对图1所示的实施例所涉及的等离子体处理装置进行维护的作业和此时的等离子体处理装置的状态的图。
[0022]图5为表示对图1所示的实施例所涉及的等离子体处理装置的维护工作中的第一真空计进行校正时的动作的流程的时序图。
具体实施方式
[0023]以下，使用附图对本申请专利技术的实施方式进行说明。
[0024]实施例
[0025]使用图1～图5对本专利技术的实施例进行说明。图1为示意性地表示本专利技术的实施例所涉及的真空处理室的概要结构的纵剖视图。
[0026]图1所示的等离子体处理装置100具有真空容器，该真空容器大体包含：在中央部具有圆形的排气口124的基座板109；在基座板109的上方配置且内侧的侧壁面具有圆筒形的上部容器101；在上部容器101的下方配置的下部容器102；以及夹在上部容器101与下部容器102之间的样品台基座107。进而，在真空容器的下方，配备有包含与该真空容器连结而配置的涡轮分子泵等排气泵103在内的排气部。进而，在真空容器的上方，配置有具有使用于在真空容器内部的空间形成等离子体的规定频率的电场在内侧进行传播的波导管122以及螺线管线圈105的等离子体形成部。
[0027]上部容器101、下部容器102、样品台基座107，它们的外侧的壁面面对等离子体处理装置100的周围的大气气氛，内侧的壁面包围作为由排气泵103减压且形成等离子体的空间的处理室104的周围。这些构件的内壁面具备水平方向的截面具有圆形的圆筒形状，中间夹着O本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理装置，具备：样品台，配置于真空容器内部的处理室内并在其上表面载置处理对象的晶圆；等离子体形成空间，是所述处理室的所述样品台上方的空间，且使用被供给的处理用的气体来形成用于对所述晶圆进行处理的等离子体；下部空间，是所述样品台的下方的所述处理室的下部的空间，且经由所述样品台外周的该处理室内的空间与所述等离子体形成空间连通；排气口，配置于所述下部空间的底部并与对所述处理室内部进行排气使其减压的排气装置连通；加热器，对包围该下部空间的所述真空容器的下部进行加热；第一真空计，在所述晶圆的处理时检测所述处理室内的压力；校正用的第二真空计，位于该第一真空计的下方，且与配置于包围所述下部空间的外周的处理室的内壁的开口连通；和补正机，使用将所述处理室内的压力视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一真空计以及第二真空计的输出，来对所述第一真空计的输出进行补正。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体处理装置具备环状的板构件，该板构件包围所述样品台的侧壁的外周并与所述上表面相比配置于下方，且具备使所述处理用的气体或者等离子体的粒子通过的多个贯通孔，与所述第一真空计连通的开口配置在所述环状的板构件的下方的所述处理室的内壁。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，包围所述下部空间的处理室的内壁由所述加热器加热到在所述晶圆的处理中所述处理用气体或者等离子体中的粒子的附着被抑制的温度。4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，在减压到将所述处理室内的压力视作0的程度的高的真空度之后，在将所述排气口气密地闭塞的状态下，对所述处理室内供给规定期间的气体之后，停止该供给，在所述处理室内的压力上升了的状态下，所述补正机使用通过反复多次使用所述第一真空计以及所述第二真空计来检测该压力值而得到的结果，来补正所述第一真空计的输出。5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述补正机将视作0的程度的压力值以及比该压力值高的多个压力值中的所述第一真空计的输出补正为使用规定的数学表达式进行了近似的值。6.一种等离子体处理装置的工作方法，该等离子体处理装置具备：样品台，配置于真空容器内部...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋永启佑，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：