本发明专利技术涉及一种QLED发光晶体管和显示装置，所述QLED发光晶体管通过将TFT开关内的半导体层替换为QLED层，实现QLED与TFT开关的一体化设计，简化工艺流程，降低生产成本，而且通过调节施加在栅极层的第二电压，可使得QLED发光晶体管单独发出红光、绿光或蓝光，实现出光波长多样性。波长多样性。波长多样性。
【技术实现步骤摘要】
QLED发光晶体管和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种QLED发光晶体管及具有该QLED发光晶体管的显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展，OLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光晶体管)已经实现了市场化，而QLED作为一种新兴的技术，在色域上相比OLED又有了进一步的提高，但QLED目前由于材料稳定性等原因尚未实现市场化。
[0003]参照图1，传统的QLED为二极管结构，包括由下至上依次设置的阳极层(anode)210、HTL层(空穴传输层)220、QDs层(量子点层)230、ETL层(电子传输层)240和阴极层(cathode)250，QLED发光需要外部的TFT(薄膜晶体管)开关，在阳极层210和阴极层250之间施加一定电压，HTL层220内的电子和ETL层240内的电子分别向QDs层230内移动，而使得QDs层230发光，实现QLED的发光，通过TFT开关调节施加的电压值的大小控制QLED发光的亮度。
[0004]然而，现有的QLED与TFT开关的组合方式尚无法实现QLED发光和TFT开关的一体化，而且，如果需要单独发出红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)，则分别需要一个独立的QLED来实现，无法实现单个QLED单独发出红光、蓝光或绿光，即无法满足单个QLED的发光波长多样性。
技术实现思路
[0005]本专利技术目的在于，解决现有QLED无法实现与TFT一体化的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种QLED发光晶体管，所述QLED发光晶体管包括：依次设置的衬底、栅极层和绝缘层；QLED层，设置于所述绝缘层远离所述栅极层一面，所述QLED层包括用以发光的量子点层；以及源/漏极层，所述源/漏极层包括源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层中的一个作为阳极设置于所述QLED层远离所述绝缘层一面，另一个作为阴极设置于所述绝缘层与所述QLED层之间，所述阳极与所述阴极之间串联连接，所述阳极接收第一电压使得所述QLED层发光。
[0007]可选的，所述阴极与所述栅极层串联连接，所述栅极层接收第二电压，调节所述第一电压和所述第二电压使得所述QLED层发红光、绿光或蓝光。
[0008]可选的，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的红量子点层、绿量子点层和蓝量子点层；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发红光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发蓝光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。
[0009]可选的，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的蓝量子点层、绿量子点层和红量子点层；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发蓝光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发红光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。
[0010]可选的，所述QLED层还包括设置于所述阴极与所述量子点层之间的用以向所述量子点层传导电子的电子传输层。
[0011]可选的，所述QLED层还包括设置于所述量子点层与所述阳极之间的用以向所述量子点层传导电子的空穴传输层。
[0012]可选的，所述阴极由两根以上银纳米线形成，两根以上所述银纳米线呈网格状交错排布于所述绝缘层远离所述栅极层一面。
[0013]可选的，所述栅极层为ITO层。
[0014]可选的，所述QLED发光晶体管从所述栅极层一侧出光。
[0015]为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括如前所述的QLED发光晶体管。
[0016]本专利技术的有益效果在于，本专利技术提供一种QLED发光晶体管，将QLED与TFT相结合，具体地，将TFT中的半导体层替换为QLED，将TFT中的源极和漏极中的一个作为阳极，另一个作为阴极，并通过调节栅极层的电压，控制电流移动到量子点中的相应层数，例如移动至红量子点层则发红光，移动到绿量子点层则发绿光，移动到蓝量子点层则发蓝光，从而控制QLED层的发光波长，发不同颜色的光，实现发光波长多样性，并实现QLED和TFT开关的一体化，简化制备流程，降低生成成本。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018]图1是现有QLED的结构示意图；
[0019]图2是本专利技术一示例性实施例中的QLED发光晶体管的结构示意图；
[0020]图3是本专利技术另一示例性实施例中的QLED发光晶体管的结构示意图；
[0021]图4是本专利技术另一示例性实施例中的QLED发光晶体管的结构示意图；
[0022]图5是本专利技术另一示例性实施例中的QLED发光晶体管的结构示意图；
[0023]图中箭头方向为QLED发光晶体管的出光方向。
[0024]图中部件编号如下：
[0025]100、QLED发光晶体管，110、衬底，120、栅极层，130、绝缘层，140、QLED层，141、量子点层，142、电子传输层，143、空穴传输层，150、源/漏极层，151、源极层，152、漏极层，153、银纳米线；
[0026]RQDs、红量子点层，GQDs、绿量子点层，BQDs、蓝量子点层；
[0027]V1、第一电压，V2、第二电压；
[0028]210、阳极层，220、HTL层，230、QDs层，240、ETL层，250、阴极层。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]所述QLED发光晶体管通过将TFT开关内的半导体层替换为QLED层，实现QLED与TFT开关的一体化设计，简化工艺流程，降低生产成本，而且通过调节施加在栅极层的第二电压，可使得QLED发光晶体管单独发出红光、绿光或蓝光，实现出光波长多样性。作为典型应用，所述QLED发光晶体管可被应用于显示装置上，例如具备QLED发光晶体管的TFT
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LCD显示器。
[0031]参照图2，在本专利技术的一个实施例中，QLED发光晶体管100包括衬底110、栅极层120、绝缘层130、QLED层140和源/漏极层150。其中，所述衬底110、栅极层120和绝缘层130由下至上依次设置，源/漏极层150中的源极层151作为阴极设置于所述绝缘层130的远离栅极层120一面，QLED层140设置于源极层151远离绝缘层130一面，源/漏极层150中的漏极层152设置于QLED层140远离绝缘层130一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种QLED发光晶体管，其特征在于，所述QLED发光晶体管包括：依次设置的衬底、栅极层和绝缘层；QLED层，设置于所述绝缘层远离所述栅极层一面，所述QLED层包括用以发光的量子点层；以及源/漏极层，所述源/漏极层包括源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层中的一个作为阳极设置于所述QLED层远离所述绝缘层一面，另一个作为阴极设置于所述绝缘层与所述QLED层之间，所述阳极与所述阴极之间串联连接，所述阳极接收第一电压使得所述QLED层发光。2.如权利要求1所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述阴极与所述栅极层串联连接，所述栅极层接收第二电压，调节所述第一电压和所述第二电压使得所述QLED层发红光、绿光或蓝光。3.如权利要求2所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述量子点层包括由靠近所述绝缘层一端向远离所述绝缘层一端依次设置的红量子点层、绿量子点层和蓝量子点层；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为正时，所述QLED层发红光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为负时，所述QLED层发蓝光；当所述第一电压与所述第二电压之间的压差为0时，所述QLED层发绿光。4.如权利要求2所述的QLED发光晶体管，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：程希，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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