【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于有机硅的固化性组合物和其应用对相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求2018年12月26日提交的印度临时申请201821049325的优先权和权益，将其公开内容完全引入本文作为参考。
[0002]本技术涉及基于有机硅的固化性组合物。具体地，本技术涉及包括烯基官能化聚合物、氢基(氢化物，hydride)官能化聚合物、填料、和催化剂的基于有机硅的固化性组合物。
技术介绍
[0003]有机硅因其固有性质例如高的热稳定性、柔性和/或耐化学性而闻名。硅氧烷基于它们的性质例如以上提及的那些而被用于电子或电气应用。虽然在其中导电性可为重要的应用中使用硅氧烷可为期望的，但是开发导电性硅氧烷材料是挑战性的。
[0004]在有机硅中可通过将填料添加到有机硅基质中而实现电性质，并且期望的传导性可通过提高组合物中的填料加载量而实现。然而，在高的加载量下，经过一段时间填料颗粒可从组合物分离出来。因此，具有高加载量的填料在硅氧烷基质中的分散是主要挑战。组合物中较高的填料加载量还可不利地影响组合物的固化动力学和加工性。其它常见挑战包括，但不限于，可变的接触电阻和体积电阻率。
[0005]为了解决这些技术问题，努力开发具有期望的机械和化学性质的固化性有机硅组合物。为了解决这些技术问题，努力开发具有期望的机械和化学性质的固化性有机硅组合物。
技术实现思路
[0006]提供固化性有机硅组合物，其能够提供期望的粘附以及其它机械和化学性质和甚至电性质。在一些实施方式中，本技术提供固化性组合物，其包括聚合物A、
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.固化性有机硅组合物，其包括：(i)式1的聚合物A；(ii)式2的聚合物B；(iii)填料，和(iv)催化剂；其中所述固化性有机硅组合物为加成固化体系；和其中所述固化性组合物的经固化的形式为传导性材料，(R)
a
(W)
b
(R)
a
″
........................式1；其中a和a
″
可为零或更大，条件是a+a
″
＞0，并且b大于零，其中R由式(1a)表示：(CH2)
c
(CH2O)
d
(CHOH)
e
(S)
f
(X)
q
.............式(1a)其中，S独立地选自脲或氨基甲酸酯键、饱和的环状烃、不饱和的环状烃、杂环基团、砜、碳酸酯、马来酸酯、邻苯二甲酸酯、己二酸酯，和其中X由如下表示：式(1b)、式(1b
′
)、或者式(1b)的烯基自由基和式(1b
′
)的环结构的任一个的组合：其中R1选自具有1
‑
20个碳原子并且任选地连接至酯的脂族或芳族的取代烃或未取代烃、或氟化烃，其中c、g、d、e、f、h、i、j、k可为零或更大；式1的W由式(1c)表示：(Y)
l
(Z)
m
.......................................式(1c)其中l、m可为零或更大，条件是(l+m)＞0；式(1c)中的Y由式(1d)表示(M1)
u
(D1)
n
(D2)
o
(D
＊
)
p
(T1)
q
(Q1)
r
(M2)
v
............式(1d)其中n、o各自总是＞0，其中u、p、q、r和v可为零或更大，条件是n+o+p+q+r+u+v＞0；M1由式(1e)表示R2R3R4SiK
1/2
.....................式(1e)D1由式(1f)表示：R5R6SiK
2/2
........................式(1f)D2由式(1g)表示：R7R8SiK
2/2
........................式(1g)D*由式(1h)表示
D3由式(1i)表示R9R
10
SiK
2/2
..............................式(1i)D4由式(1j)表示R
11
R
12
SiK
2/2
.............................式(1j)D5由式(1k)表示R
13
R
14
SiK
2/2
.............................式(1k)D6由式(11)表示R
15
R
16
SiK
2/2
.............................式(11)T1由式(1m)表示：R
17
SiK
3/2
...........................式(1m)Q1由式(1n)表示：SiK
4/2
.................................式(1n)M2由式(1o)表示：R
18
R
19
R
20
SiK
1/2
........................式(lo)其中R2‑
R
20
可独立地选自R，具有1
‑
20个碳原子的单价环状或非环状、脂族或芳族的取代或未取代烃、或氟化烃，s和t可为零或更大；其中K为氧或(CH2)基团，其遵从如下限制：分子含有偶数个O
1/2
和偶数个(CH2)
1/2
并且O
1/2
和(CH2)
1/2
基团两者在分子中全部是配对的，其中式(1c)中的Z选自式(1p)的结构：R
21
(J)
w
R
22
................................式(1p)其中J独立地选自具有1
‑
20个碳原子的单价环状或非环状、脂族或芳族的取代或未取代烃、或氟化烃，其任选地连接至杂原子，w之0，其中R
21
、R
22
独立地选自R或者选自具有1
‑
20个碳原子的单价环状或非环状、脂族或芳族的取代或未取代烃、或氟化烃，其任选地连接至杂原子，其中，聚合物B可由式2表示：(R
′
)
a
′
(W
′
)
b
′
(R
′
)
a
′
........................式(2)其中a
′
、b
′
各自大于0，R
′
可由式(2a)表示(M3)
l
′
(D7)
c
′
(D8)
d
’
(D
＊＊
)
e
′
(T2)
f
′
(Q2)
g
′
(M4)
m
′
...式(2a)M3由式(2b)表示R
25
R
26
R
27
SoK
′
1/
2.........................式(2b)D7由式(2c)表示R
28
R
29
SiK
′
2/2
...........................式(2c)D8由式(2d)表示
R
30
R
31
SiK
′
2/2
...........................式(2d)D**由式(2e)表示D9由式(2f)表示R
32
R
33
SiK
′
2/2...........................式(2f)D
10
由式(2g)表示R
34
R
35
SiK
′
2/2
................................式(2g)D
11
由式(2h)表示R
36
R
37
SiK
2/2
′
................................式(2h)D
12
由式(2i)表示R
38
R
39
SiK
′
2/2
..............................式(2i)T2由式(2j)表示R
40
SiK
3/2
′
.......................................式(2j)Q2由式(2k)表示SiK
4/2
....................................................式(2k)M4由式(21)表示R
41
R
42
R
43
SoK
′
1/2
...........................式(21)R
25
‑
R
...
【专利技术属性】
技术研发人员：T蒙达尔，P盖洛特，S巴特，
申请(专利权)人：迈图高新材料公司，
类型：发明
国别省市：
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