本实用新型专利技术公开了一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，包括刻蚀装置本体，刻蚀装置本体的顶部固定连接有气源室，气源室的底部固定连接有送气管道，送气管道的右侧固定连接有进水管，所述进水管的底部固定连接有冷却管道，冷却管道的内侧固定连接有通气管道，所述通气管道的内侧开设有进气孔，所述进气孔的内侧固定连接有反应室。该可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置设置有冷却管道，气源室和送气管道将反应气体通过进气孔送入反应室的内部，真空泵通过抽气管道抽空反应室内部的反应气体，当该装置工作一段时间后，通过进水管将冷水灌入冷却管道的内部，此时通气管道受到冷却管道的影响而进行有效的降温。降温。降温。
【技术实现步骤摘要】
一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置
[0001]本技术涉及传感器单晶硅
，具体为一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置。
技术介绍
[0002]硅传感器，是用于医学、军事与航空航天、工业和汽车应用，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器，最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法，其影响被刻蚀物之刻蚀速率的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度、及搅拌之有无，定性而言，增加刻蚀温度与加入搅拌，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确，传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度。
[0003]现在的传感器单晶硅刻蚀装置过程中，会产生大量的热，如果不能及时的散除热量，就会对单晶硅的刻蚀造成一定的破坏，影响产品的质量，而现有单晶硅刻蚀装置散热效果较弱。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，包括刻蚀装置本体，所述刻蚀装置本体的顶部固定连接有气源室，所述气源室的底部固定连接有送气管道，所述送气管道的右侧固定连接有进水管，所述进水管的底部固定连接有冷却管道，所述冷却管道的内侧固定连接有通气管道，所述通气管道的内侧开设有进气孔，所述进气孔的内侧固定连接有反应室，所述反应室的内部中部活动连接有转动柱，所述转动柱的外表面固定连接有片架，所述转动柱的底部固定连接有第一齿轮，所述第一齿轮的左侧啮合有第二齿轮，所述第二齿轮的底部固定连接有旋转轴，所述旋转轴的底部固定连接有旋转电机，所述旋转电机的顶部两侧固定连接有支架，所述支架的右侧固定连接有抽气管道，所述抽气管道的右端固定连接有真空泵，所述刻蚀装置本体的左侧底部固定连接有出水管，所述出水管的顶部固定连接有电磁线圈。
[0006]优选的，所述刻蚀装置本体的外表面固定连接有电磁线圈。
[0007]优选的，所述刻蚀装置本体的顶部右侧固定连接有进水管。
[0008]优选的，所述冷却管道的左侧底部固定连接有出水管。
[0009]优选的，所述送气管道的底部固定连接有通气管道。
[0010]优选的，所述反应室的底部右侧固定连接有抽气管道。
[0011]优选的，所述支架的顶部固定连接有刻蚀装置本体。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013](1)该可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置设置有冷却管道，气源室和送气管道将反应气体通过进气孔送入反应室的内部，真空泵通过抽气管道抽空反应室内部的反应气体，当该装置工作一段时间后，通过进水管将冷水灌入冷却管道的内部，此时通气管道受到冷却管道的影响而进行有效的降温。
[0014](2)该可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置设置有进气孔，通气管道的内侧开设有进气孔，通过送气管道内的反应气体送入通气管道，再通过通气管道上的进气孔有效的将反应气体送入反应室,由通气管道上的进气孔将部分反应气体均匀的送入反应室内片架的各个位置,使得片架处的反应气体分布更加均匀,有效的提高了反应的效果。
附图说明
[0015]图1为本技术正视结构示意图；
[0016]图2为本技术正视内部结构示意图；
[0017]图3为图2中A处的放大结构示意图。
[0018]图中：1刻蚀装置本体、2气源室、3送气管道、4进水管、5冷却管道、6通气管道、7进气孔、8反应室、9转动柱、10片架、11第一齿轮、12第二齿轮、13旋转轴、14旋转电机、15支架、16抽气管道、17真空泵、18出水管、19电磁线圈。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
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3，本技术提供一种技术方案：一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，包括刻蚀装置本体1，刻蚀装置本体1的外表面固定连接有电磁线圈19，刻蚀装置本体1的顶部右侧固定连接有进水管4，刻蚀装置本体1的顶部固定连接有气源室2，气源室2的底部固定连接有送气管道3，送气管道3的底部固定连接有通气管道6，送气管道3的右侧固定连接有进水管4，进水管4的底部固定连接有冷却管道5，冷却管道5的左侧底部固定连接有出水管18，气源室2和送气管道3将反应气体通过进气孔7送入反应室8的内部，真空泵17通过抽气管道16抽空反应室8内部的反应气体，当该装置工作一段时间后，通过进水管4将冷水灌入冷却管道5的内部，此时通气管道6受到冷却管道5的影响而进行有效的降温，冷却管道5的内侧固定连接有通气管道6，通气管道6的内侧开设有进气孔7，通气管道6的内侧开设有进气孔7，通过送气管道3内的反应气体送入通气管道6，再通过通气管道6上的进气孔7有效的将反应气体送入反应室8,由通气管道6上的进气孔7将部分反应气体均匀的送入反应室8内片架10的各个位置,使得片架10处的反应气体分布更加均匀,有效的提高了反应的效果，进气孔7的内侧固定连接有反应室8，反应室8的底部右侧固定连接有抽气管道16，反应室8的内部中部活动连接有转动柱9，转动柱9的外表面固定连接有片架10，转动柱9的底部固定连接有第一齿轮11，第一齿轮11的左侧啮合有第二齿轮12，第二齿轮12的底
部固定连接有旋转轴13，旋转轴13的底部固定连接有旋转电机14，旋转电机14的顶部两侧固定连接有支架15，支架15的顶部固定连接有刻蚀装置本体1，支架15的右侧固定连接有抽气管道16，抽气管道16的右端固定连接有真空泵17，刻蚀装置本体1的左侧底部固定连接有出水管18，出水管18的顶部固定连接有电磁线圈19。
[0021]工作原理：该一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置在使用时，气源室2和送气管道3将反应气体通过进气孔7送入反应室8的内部，通过送气管道3内的反应气体送入通气管道6，再通过通气管道6上的进气孔7有效的将反应气体送入反应室8,由通气管道6上的进气孔7将部分反应气体均匀的送入反应室8内片架10的各个位置,使得片架10处的反应气体分布更加均匀,有效的提高了反应的效果，真空泵17通过抽气管道16抽空反应室8内部的反应气体，当该装置工作一段时间后，通过进水管4将冷水灌本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，包括刻蚀装置本体(1)，其特征在于：所述刻蚀装置本体(1)的顶部固定连接有气源室(2)，所述气源室(2)的底部固定连接有送气管道(3)，所述送气管道(3)的右侧固定连接有进水管(4)，所述进水管(4)的底部固定连接有冷却管道(5)，所述冷却管道(5)的内侧固定连接有通气管道(6)，所述通气管道(6)的内侧开设有进气孔(7)，所述进气孔(7)的内侧固定连接有反应室(8)，所述反应室(8)的内部中部活动连接有转动柱(9)，所述转动柱(9)的外表面固定连接有片架(10)，所述转动柱(9)的底部固定连接有第一齿轮(11)，所述第一齿轮(11)的左侧啮合有第二齿轮(12)，所述第二齿轮(12)的底部固定连接有旋转轴(13)，所述旋转轴(13)的底部固定连接有旋转电机(14)，所述旋转电机(14)的顶部两侧固定连接有支架(15)，所述支架(15)的右侧固定连接有抽气管道(16)，所述抽气管道(16)的右端固定连接有真空泵(17)，所述刻蚀装置本体(1)的左侧底...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴铁山，
申请(专利权)人：无锡金田电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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